非晶硅太阳电池中磁共振的光伏检测(英文)

The detection of magnetic resonance via the photovoltage (PDMR) is a sensitive method for investigating recombination and light-induced meta-stable defects in a-Si:H solar cells. The steady-state PDMR signals are dependent on the light intensity, microwave power and sample temperature. Particularly,the delay time of signal or the phase shift of lock-in amplifier is also dependent on the light intensity and temperature. For a given temperature and microwave power there is an optimum light intensity for the signal noise ratio. According to our results, a brief analysis and discussion are given.     

非晶硅太阳电池的光伏检测磁共振研究

本文利用光伏检测磁共振(PDMR)方法初步研究了p⁺in⁺ a-Si:H太阳电池中与自旋状态有关的复合机制。研究表明太阳电池的制作工艺不同,相应的PDMR共振信号的线型和g因子亦不同,因而起支配作用的复合过程不同。根据PDMR结果讨论了a-Si:H膜的生长速度、衬底温度、本征层厚度等对太阳电池性能的影响。 关键词：     

苯甲醛及对溴苯甲醛光解初级过程自由基的ESR研究

苯甲醛的光解与其在放置过程中的自氧化引发机理密切相关,因此确定光解过程的主要中间产物有重要意义。自氧化的全过程比较复杂,但单纯的光解本身显然相对简单一些。本文用自旋捕捉-ESR技术研究了苯甲醛及与其相类似的对溴苯甲醛在紫外和可见光作用下生成的活泼中间体,并讨论了在本文实验条件下的光解初级过程。     

深能级瞬态谱仪

一、引言众所周知,如果在半导体中存在着某些杂质或缺陷,相应地在半导体的禁带中就出现一些能级．离开导带底较远或者离开价带顶较远的能级,都称为深能级．深能级的存在对于半导体的电学、光学和热学性质都有深刻的影响．对二极管和晶体管的开关特性与击穿特性,对发光二极管及半导体激光器的量子效率和使用寿命,对发光二极管的发光颜色以及电荷耦合器件的电荷转移效率等方面,深能级杂质和缺陷都有重要的甚至是决定性的影?...     

中子辐照硅中一个新的EPR缺陷及氢对它的影响

在中子辐照区熔硅中,观测到一个具有C_2v对称性、有效自旋为1的新的顺磁性缺陷,按惯例称为Si-PK3,其g和D的主值为g₁=2.0048,g₂=2.0118,g₃=2.0085;D₃=35.9×10^-4cm^-1,D₂=-17.1×10^-4cm^-1,D₃=-18.8×10^-4cm^-1.可能的微观结构是沿〈110〉晶向、在中间空位上俘获一个氧原子的平面三空位链.氢的存在可使它的退火消失温度由500℃降为350℃左右.     

用电容瞬态技术测量界面态密度

本文叔述了一种简单方便的用于测量MOS界面态密度的电容瞬态技术。给出了利用该技术对N型硅-二氧化硅界面态总密度和界面态分布的测量结果。该技术适用于工厂中作一般工艺监测。     

测量半导体中深中心分布的双相关技术

自１９７４年Ｄ．Ｖ．Ｌａｎｇ［１］提出深能级瞬态谱技术（ＤＬＴＳ）以来,ＤＬＴＳ已经成为研究半导体中深能级杂质,缺陷（以下统称深中心）的物理性质的广泛使用的有效手段．例如,通过ＤＬＴＳ测量可以得到深中心的浓度、俘获截面、能级位置等．１９７７年Ｈ．Ｌｅｆｅｖｅ和Ｍ．Ｓｃｈｕｌｚ［２］提出了双相关ＤＬＴＳ技术（ＤＤＬＴＳ）,采用ＤＤＬＴＳ技术可以方便地测量半导体中深中心的分布．测量半导体中深中心?...     

用DLTS研究中子嬗变掺杂硅中的电子陷阱

<正> 硅单晶的中子嬗变掺杂(NTD),是硅原子俘获热中子发生(n,r)反应而实现嬗变掺磷的.这一核反应过程是~(30)Si(n,r)~(31)Si→~(31)P+β~-(T_(1/2)=2.6h).由于NTD工艺具有掺杂均匀、易于精确控制等优点,日益受到注意.在大功率器件制造中已显示了它的优越性,人们正在研究将其用于制造高质量探测器等.NTD工艺会引入辐照损伤.~(30)Si原     

原子氢、氘钝化以及质子注入掺杂硅的红外吸收

用FTIR研究了原子氢、原子氘钝化掺硼硅以及质子注入掺杂单晶硅,当原子氘钝化条件不同时分别产生了1360cm^-1和1263cm^-1的[BD]对局域振动模红外吸收带,这表明氘在单晶硅的硼受主邻近有两种可能的状态。质子注入掺杂硅的红外吸收光谱与不掺杂硅的明显不同,氢原子优先结合于硼的附近,注入氢仅约1%生成光效的缺陷,而绝大部份生成无光效的中心,它们可能是氢分子。 关键词：     

半绝缘砷化镓EPR谱的异常退火特性

中子辐照的水平生长出绝缘GaAs(样品A)、原生的和塑性形变的直法拉制半绝缘GaAs(样品C和D),都给出一组四线谱,但在不同的样品中呈现不同的退火特性:样品A经125℃三小时退火后,EPR谱有部分光猝灭效应,加长退火时间,光猝灭效应消失,表现出异常的退火特性;而样品C和D,则无光猝灭效应.