硅十字梁单块力传感器

本文介绍一种用硅材料制成的十字梁力传感器,它的各主要结构部分是通过微加工技术在同一硅片上得到的。具有灵敏度高、温漂小,成本低、一致性好等优点。本文对器件进行了结构分析、应力计算,得到了各结构参数对器件灵敏度的影响,并在理论分析的指导下制作了高灵敏度的力传感器样品,最高灵敏度可达340mV/10g,适用于小量程范围力的测量。器件还具有过载保护结构。     

埋沟式横向电压型集成压力传感器

本文提出一种低功耗埋沟式横向电压型集成压力传感器结构,并根据精确的工艺模型成功地进行了工艺计算机模拟程序和制作。实验表明,该器件可以在低功耗条件下具有很高的灵敏度和可靠的稳定性。     

剪切应力对压阻传感器灵敏度的影响

本文从理论上和实验上对剪切应力对力敏电阻的压阻灵敏度影响进行了研究.在本文的分析中,取消了已往工作中对力敏电阻设计的取向限制,在计入剪切应力项作用的情况下,得到了(100)、(110),(111)圆硅膜和(100)方膜和长方膜上力敏电阻的压阻灵敏度表式.结果的解析形式及其曲线图示表明,在一般情况下,剪切应力项可以有很大的影响.为了证实这些分析的正确性,在长方形n型(100)硅膜上扩散制造了五个有不同取向角的电阻.这些电阻的压阻灵敏度对取向角关系的实验结果表明,剪切应力项的作用不可忽略.由于目前所见的关于压阻传感器的文献中都没有对剪切应力的作用足够重视,本工作的结果对力敏电阻设计提供了有用的资料.     

Si_3N_4薄膜对集成晶体管特性的影响

本文研究了用不同的制备方法,以及制备不同厚度的Si_3N_4膜对集成晶体管电流增益的影响,取得了能明显地提高电流增益的最佳Si_3N_4膜厚及其制备的方法。通过对硅片平整度和少子寿命的测试,估计了Si_3N_4膜对硅片因热氧化而引起的表面应力的补偿作用,发现电流增益提升效果最佳的Si_3N_4膜与最佳的表面应力补偿相对应,这时的硅片少子寿命最长。