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1.
研究了高压VDMOS内部电子流向的变化,提出了其近似解析表达式,在此基础之上,求得了电子密度分布变化的解析表达式,从而建立了高压VDMOS的一种改进静态物理模型。计算结果表明,由于这一模型是基于更为合理的电子流向变化和电子密度分布变化的解析表达式而建立的,所以与Yeong-seuk Kim等人模型和参考文献[2]的模型相比,在较大的工作电压范围内,其计算精度的提高都是非常显著的。  相似文献   
2.
动态电压调节是一种有效的运用于实时嵌入式系统中的低功耗技术。实时嵌入式系统DVS技术不仅要实现系统功耗的降低,同时也要兼顾系统的实时性,满足任务的截止时间限。该文针对近几年实时嵌入式系统中DVS策略,首先介绍实时系统中DVS策略模型,对主流策略进行分类比较,并且对相应策略进行仿真,DVS策略可以取得10%~40%的能耗节省。  相似文献   
3.
本文提出了偏置栅MOS管漂移区离子注入剂量对表面电压和PN结边界电场两者关系的一种新的分析模型,借助数学推导得到该模型的计算方程,通过仿真曲线图能清楚地看到它们之间的变化关系,同时说明提高偏置栅MOS管击穿电压的方法。  相似文献   
4.
射频集成电路的研究和制作将大大拓展集成电路的应用空间,本文介绍了当今RF的主流工艺,并分别对基于硅的深亚微米CMOS工艺在RF设计中的可行性和困难进行了研究,评述了其中存在的问题,最后提出了该领域中未来的发展前景。  相似文献   
5.
A sub-circuit SPICE model of a MOSFET for low temperature operation is presented.Two resistors are introduced for the freeze-out effect,and the explicit behavioral models are developed for them.The model can be used in a wide temperature range covering both cryogenic temperature and regular temperatures.  相似文献   
6.
一种STN LCD控制器的设计及其实现   总被引:1,自引:0,他引:1  
罗岚  茆邦琴  时龙兴 《半导体技术》2002,27(5):40-43,57
介绍了一种超扭曲向量(STN)LCD控制器的设计方案,详细分析了该控制器各模块的划分及其功能,用Verilog硬件描述语言完成了整个LCD控制器的设计工作,并用Cadence Verilog-XL软件对设计结果进行了仿真验证.仿真结果表明该LCD控制器实现了预定的设计目标.  相似文献   
7.
PDP选址驱动芯片的HV-COMS器件设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
设计出一种能与 0 .6μm的标准低压 CMOS工艺完全兼容的 HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构 ,并提出了具体的工艺实现方法——单阱非外延工艺 ,该工艺能降低生产难度和成本。同时采用 TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟 ,并用 MEDICI对该结构的电流 -电压和击穿等特性进行模拟。该结构的 HV-CMOS应用于 PDP(Plasma Display Panel)选址驱动芯片 ,能在 80 V、40 m A的工作要求下安全工作  相似文献   
8.
张哲  胡晨  王学香  时龙兴 《电子器件》2004,27(4):705-709,718
传统的BIST结构中,由于LFSR产生大量的测试矢量在测试过程中消耗了大量的功耗。为了减少测试矢量的数目而不影响故障覆盖率,我们提出了一种新的基于双模式LFSR的低功耗BIST结构。首先介绍了功耗模型和延迟模型的基础知识,然后给出了用于生成双模式LFSR的矩阵,并介绍了解矩阵方程式的算法。随后说明了新的BIST结构和用于矢量分组的模拟退火算法。最后,基于Benchmark电路的实验证明这种结构可以在不降低故障覆盖率的同时减少70%的功耗。  相似文献   
9.
建立了PDP驱动芯片用高压LDMOS的SPICE子电路模型,该模型集成了LDMOS固有特性:准饱和特性、电压控漂移区电阻、自热效应、密勒电容等. 与其他物理模型和子电路模型比较,该模型不但能提供准确的模拟结果,而且建模简单快捷,另外该模型可较容易地嵌入SPICE模拟软件中. 模型的实际应用结果显示:模拟与实测结果误差在5%以内.  相似文献   
10.
本文提出一种新的模拟集成电路宏模型计算机辅助自动建立方法,通用性强、宏模型精度高。文中详细描述了建立过程,给出相应的软件流程,并对建立过程中的一些关键算法进行了探讨和创新。最后给出利用新方法建立二级运放宏模型的实例。  相似文献   
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