电荷转移复合物1-氮-甲基-苯并哒嗪TCNQ和2-氮-甲基-苯并哒嗪TCNQ的能带结构与电性质的研究

本文采用以EHMO为基础的紧束缚近似方法计算了同分异构复合物1-N-Mci TCNQ_2和2-N-Mci TCNQ_2的能带结构。通过计算谐振稳定能估算复合物中TCNQ的电荷。计算结果表明, 复合物晶体中的给体N-Mci对一维能带的前沿轨道无影响。1-N-Mci和2-N-Mci的几何形状不同, 在晶体堆积能量上影响TCNQ的排列, 使两个复合物的TCNQ堆积方式不同, 能带结构也就不一样了。1-N-Mci TCNQ_2复合物的TCNQ之间π-π轨道迭合较好, 能隙小。LU带色散大, LU轨道上的电子为末充满状态(δ≈1.77), 具有较好的导电性能。2-N-Mci TCNQ_2复合物中TCNQ二聚体之间π-π轨道重叠不好, 能隙大, LU带宽很窄, LU轨道上电子为半充满状态(δ≈1.0), 易于形成磁绝缘体, 其导电性比1-N-Mci TCNQ_2差, 这与实验结果是一致的。     

Bi2Sr2CuO6的电子结构和铜氧对间电荷涨落

自发现含铋铜氧化物的高温超导性以来,采用各种复杂程度方法对电子结构的计算已经在文献中报道.它们集中讨论了能带结构,态密度和Fermi面的性质,但很少报道铜氧对间的电荷涨落。而价态变动对超导电性起着至关重要的作用,因此本文对Bi_2Sr_2CuO_6进行了紧束缚带计算,探讨了电子缺陷和氧呼吸式振动对铜和氧电荷分布的影响。     

高温超导膜微波滤波器

我们用氧化锆单晶衬底GBCO高温超膜研制了超导膜悬微波低通滤波器。在77K测试获得:通带插损在0—2GHz,0—4GHz和0—6GHz通带内,分别为0.326dB,0.507dB和1.393dB。文中阐明悬置微带电路用于研制高介电常数衬底的高温超导微波无源器件是适宜的。     

电荷转移复合物1-氮-甲基-苯并哒嗪TCNQ和2-氮-甲基-苯并哒嗪TCNQ的能带结构与电性质的研究

本文采用以EHMO为基础的紧束缚近似方法计算了同分异构复合物1-N-Mci TCNQ_2和2-N-Mci TCNQ_2的能带结构。通过计算谐振稳定能估算复合物中TCNQ的电荷。计算结果表明,复合物晶体中的给体N-Mci对一维能带的前沿轨道无影响。1-N-Mci和2-N-Mci的几何形状不同,在晶体堆积能量上影响TCNQ的排列,使两个复合物的TCNQ堆积方式不同,能带结构也就不一样了。1-N-Mci TCNQ_2复合物的TCNQ之间π-π轨道迭合较好,能隙小。LU带色散大,LU轨道上的电子为末充满状态(δ≈1.77),具有较好的导电性能。2-N-Mci TCNQ_2复合物中TCNQ二聚体之间π-π轨道重叠不好,能隙大,LU带宽很窄,LU轨道上电子为半充满状态(δ≈1.0),易于形成磁绝缘体,其导电性比1-N-Mci TCNQ_2差,这与实验结果是一致的。