带有P0函数的非线性互补问题的一个新的非内点连续算法

研究带有P₀函数的非线性互补问题. 基于一个新的光滑函数, 把问题近似成参数化的光滑方程组, 并且给出一个新的非内点连续算法. 所给算法在每步迭代只需要求解一个线性方程组和执行一次Armijo类型的线搜索. 在不需要严格互补条件的情况下, 证明了算法是全局收敛和超线性收敛的. 并且, 在一个较弱的条件下该算法具有局部二阶收敛性. 数值实验证实了算法的可行性和有效性.     

基于单幅数字散斑投影及图像相关的离面振动测量

采用单幅数字散斑图投影及高速数字图像采集技术,研究了动态离面位移的测量。采用商用液晶投影仪将计算机产生的模拟散斑图投影到待测动态变形物体表面,由高速数字图像采集设备摄取并保存变形散斑图,采用时间序列数字图像相关软件计算出物体表面各点随时间变化的离面位移。这种方法用于振动分析时不仅可以获得振型分布,而且还可以获得各点的振幅值。与现有的激光频闪照相测振及激光多普勒测振等方法相比,具有光学系统简单,可全场定量测量。悬臂梁振动实验结果证实了该方法的有效性。     

基于属性识别准则大学生思想品德量化的数学模型

依据一定的社会评价标准,建立大学生思想品德评价的指标体系,利用现代数学方法——属性识别理论和层次分析方法,建立定量研究模型.     

重性抑郁患者血浆双向电泳图谱的构建

目的：建赢稳定的重性抑郁血浆双向凝胶电泳技术体系。方法：从血浆蛋自质样品制备、等电聚焦和水化方式等方面对双向凝胶电泳分离技术进行优化。结果：建立了稳定的抑郁症血浆双向凝胶电泳图谱,达到了较好的血浆蛋白分离效果。结论：成功的血浆图谱构建,为进一步开展重性抑郁诊断和机制研究奠定基础。     

社会和谐系数的构建与评价

基于城乡恩格尔系数、基尼系数、社会保障水平系数与城乡人口比,定义城镇、农村与合成的社会和谐系数.此定义考虑了中国的城乡二元结构的特殊国情,能够从经济学的层面较为精确地定量描述国家或地区的社会和谐状态,可用于横向和纵向比较.     

频率选择表面结构耐功率仿真及试验研究

随着大功率电子对抗技术的不断发展,频率选择表面(FSS)结构的功率耐受问题成为亟待解决的技术难题,而国内外鲜有相关报道。本文主要针对此问题展开了理论和仿真分析,并通过典型样件的试验结果对分析结果进行了验证。首先通过将电磁场理论和经典传热学理论相结合,对带有FSS 结构和纯介质结构典型样件的功率耐受问题进行了理论建模和分析。然后,在多物理场仿真环境下对FSS 加载夹层结构和纯介质夹层结构的典型样件在微波照射效应下的温升效应进行了建模和功率耐受性能计算。最后,制作了符合理论模型的FSS 结构和纯介质结构典型样件,在微波暗室内对其功率耐受性能进行了实测验证。结果表明,在相同介质厚度的情况下,带有FSS 结构的典型样件在同等强度的微波激励下会产生更高的温升。     

薄型宽频带复合吸波结构设计

本文设计了一种薄型宽带电阻膜-电磁带隙(Electromagnetic Band-gap,EBG)复合吸波结构。该吸波体由多层电阻膜片和双层EBG结构组成,采用有限元算法对该吸波结构的电磁吸波特性进行了数值仿真分析。仿真结果表明:电阻膜-EBG复合吸波结构,厚度为14.3mm,在1GHz-4GHz平均反射率为-8.8dB,4GHz-16GHz平均反射率为-11.3dB,且具有较好的角域特性。     

不同血清浓度培养条件对博尔纳病病毒感染滴度的影响比较

目的：探讨不同血清浓度对博尔纳病病毒（BDV）感染少突胶质细胞（OL细胞）感染力的影响,寻找BDV病毒感染细胞最适宜的血清浓度。方法：接种BDV的OL细胞（OL/BDV）于培养皿中,培养24小时后,通过反复冻融、超声破碎的方法获取BDV病毒液,用于感染正常的OL细胞。在保证除血清浓度因素不同而其余因素均相同的条件下,用DMEM、2%FCS、5%FCS、10%FCS四种不同浓度的血清培养基在96孔板中培养BDV新感染的OL细胞,测定病毒感染滴度,比较各组之间是否有统计学差异。结果：DMEM、5%FCS和10%FCS组所测得的BDV病毒滴度两组之间无统计学差异,2%FCS组所测得的病毒滴度和DMEM、5%FCS、0%FCS组之间有明显统计学差异,2%FCS组病毒滴度明显高于其它两组。结论：不同浓度的血清浓度对Boma病毒对细胞的感染力有影响,2%FCS的培养条件可能更适合于BDV感染OL细胞实验。     

半定规划的一个新的宽邻域非可行内点算法

基于一种新的宽邻域,提出一个求解半定规划的新的非可行内点算法．在适当的假设条件下,证明了该算法具有较好的迭代复杂界O（√nL）,优于目前此类算法的最好的复杂性O（n√nL）,等同于可行内点算法．     

商用Flash器件在空间应用中温变规律的实验研究

分析了工业级Flash存储器件应用于空间电子产品时应考虑的温变规律和机理,并在-35～105 ℃的温度条件下对韩国三星公司生产的大容量Flash存储器件K9G08UD系列进行了温循试验和高温步进应力试验,以评估其空间应用的可行性。试验结果显示:这一系列存储器在温度变化的情况下,电性能参数会发生规律性变化,其中页编程时间随温度的升高线性增大,105 ℃比-35 ℃时页编程时间增加15%;块擦除时间在低温条件下明显增大。在-35 ℃低温条件下,块擦除时间比常温条件高出72%,在105 ℃高温条件下,块擦除时间比常温条件高出10%。试验表明Flash K9G08UD系列存储器能够在-35～105 ℃的环境下工作,器件可正常擦写读,坏块没有增加。页编程时间随着温度的增加而增加,但是,仍然在器件的最大页编程时间之内。但是,在低温环境下,擦除时间会明显增加,在空间应用时需为擦除操作预留足够的时间。