超导电子学初探

本文叙述了几种超导晶体管模型,并提出在无缓冲层的Si及GaAs衬底上淀积高温超导体YBCO薄膜是困难的,只有缓冲层材料才能改善超导薄膜的质量。     

硅衬底上制作GaAs两层器件

<正> 据报道日本冲电气在 Si 衬底上直接形成可制作器件的 GaAs,继而完成 GaAs 三维电路元件。Si 衬底上的 GaAs 晶体由 MOCVD 法生成,用直接离子注入法,最终制成17级 E/D 结构的环形振荡器。栅长1μm,栅宽10μm 的典型器件的跨导为240mS/mm,环形振荡器的 t_(pd)是51ps/门,t_(ps)·p 是10.4,fJ/门(t_(pd)为63ps/门),这些数值几乎与平常的 GaAs 器件一样。     

高速GaAs ADC与GaAs DAC研制现状

本文叙述了高速GaAs ADC与GaAs DAC的研制现状。着重介绍了在芯片上有T/H电路的闪光型ADC和在芯片上有电流源的DAC,以及它们的性能。     

异质结双极晶体管概况

<正> 一、前言 1951年肖克莱提出了宽能带发射极原理,1957年由Kroemer详细地介绍了双极晶体管中采用宽能带发射区,从而提高注入效率和电流放大系数的理论。由于当时没有先进的工艺技术作基础,无法证实这种双极晶体管的优越性能。直到七十年代初,随着液相外延(LPE)技术的出现,对异质结晶体管的研制及其有关的研究工作才开始活跃起来。许多学者曾利用LPE技术制成了微波和光电应用的AlGaAs/GaAs异质结构的分立器件,并证明了异质结双极晶体管(HBT)的许多优点。随着对HBT的深入研究,发现它所要求的基区宽度很薄,要求     

超高频大功率MOS场效应晶体管

尽管小信号用的硅 MOS 场效应晶体管已经大量生产和大量使用,但功率用的硅MOS 场效应管除了二、三篇报告以外还没有别的报道。高频大功率 MOS 场效应管所以出现较晚的原因,一方面是由于出自 MOS 场效应管的工作原理而使管芯面积增大,也就是说因为 MOS 场效应管的电流通路是在表面极薄的沟道层,所以为了流过大电流,管芯的面积就要增大,以取得电流通过的面积。同时,作为高频功率用的场效应管沟道长度要短,沟道宽度也要显著地加宽,就工厂生产技术水平而言,能否稳定地成品率较高地     

低频低噪声器件概况

叙述了Si低频低噪声器件的噪声性能.在低频工作时,器件的1/f噪声和猝发噪声占支配地位,并对其产生机理作了讨论.介绍了目前主要采用的一些技术,例如完美晶体、低温钝化、氧化铝钝化等都能有效地改善和保护器件表面状态,从而获得良好的噪声特性.     

带陡化间隙的触发真空开关触发源研制北大核心CSCD

针对主电极间距20mm以上的沿面击穿型多棒极触发真空开关(TVS),研制了开关触发源。触发源利用脉冲变压器产生脉冲高压输出,在脉冲变压器高压侧并联小容值电容并在电容后串联陡化间隙。陡化间隙的加入可以使触发源输出不受触发沿面金属蒸气沉积的影响。通过调节间隙击穿电压也可以提高电容充电电压及储存能量,从而增加TVS触发沿面被击穿时注入到其中的触发能量。使用该触发源对TVS进行导通实验,结果表明,加入陡化间隙后的触发源输出能量大幅提高且不受触发沿面金属蒸气沉积的影响,能够实现TVS的100%可靠导通。     

脉冲功率晶闸管反向恢复特性

为建立有效的晶闸管模型来仿真晶闸管关断时过电压,减小晶闸管过压损坏的概率,以最大通流150 kA、耐压5.2 kV的脉冲晶闸管为研究对象,将其前置于脉冲形成单元回路中作为大功率开关使用,记录放电过程中晶闸管两端电压及电流。实验数据表明：恢复过程中的电流下降率、反向恢复电荷、反向恢复电流峰值随通态电流峰值的增大而增大,晶闸管关断时间随通态电流峰值的增大而减小。此外,在关断过程中,当电流下降率在-50~1000 A/s时,电流下降率与电流峰值为线性关系。因此,在大脉冲电流条件下,推导反向恢复过程参数与通态电流参数的关系时电流下降率可用与电流峰值的线性关系代替。基于Matlab仿真平台,建立了具有反向恢复过程的脉冲晶闸管模型。该模型仿真得到的晶闸管反向恢复电流峰值与实测结果较为吻合,反向恢复电压尚待进一步修正。     

带陡化间隙的触发真空开关触发源研制

针对主电极间距20 mm以上的沿面击穿型多棒极触发真空开关（TVS）,研制了开关触发源。触发源利用脉冲变压器产生脉冲高压输出,在脉冲变压器高压侧并联小容值电容并在电容后串联陡化间隙。陡化间隙的加入可以使触发源输出不受触发沿面金属蒸气沉积的影响。通过调节间隙击穿电压也可以提高电容充电电压及储存能量,从而增加TVS触发沿面被击穿时注入到其中的触发能量。使用该触发源对TVS进行导通实验,结果表明,加入陡化间隙后的触发源输出能量大幅提高且不受触发沿面金属蒸气沉积的影响,能够实现TVS的100%可靠导通。     

电容器薄膜等离子体表面改性实验研究

建立了一套辉光放电等离子体对电容器薄膜进行表面处理的装置。采用N2,O2及Ar三种气体对聚丙烯、聚酯和聚苯硫醚膜进行了表面处理。红外光谱分析表明:薄膜表面的生成物与薄膜种类、气体种类和处理强度密切相关。场扫描电镜显示了薄膜表面的刻蚀现象明显。处理过的薄膜,非晶相被去除,球晶暴露。能谱分析说明了薄膜中C元素下降,N,O元素增加,但总体改变量很小。处理前后薄膜的直流击穿电压没有明显改变,但刻蚀过程造成的薄膜表面粗化可帮助电容器的浸渍过程更充分,从而可提高电容器的使用场强与储能密度。