Mechanism of improving forward and reverse blocking voltages in AlGaN/GaN HEMTs by using Schottky drain

In this paper, we demonstrate that a Schottky drain can improve the forward and reverse blocking voltages(BVs)simultaneously in AlGaN/GaN high-electron mobility transistors(HEMTs). The mechanism of improving the two BVs is investigated by analysing the leakage current components and by software simulation. The forward BV increases from72 V to 149 V due to the good Schottky contact morphology. During the reverse bias, the buffer leakage in the Ohmicdrain HEMT increases significantly with the increase of the negative drain bias. For the Schottky-drain HEMT, the buffer leakage is suppressed effectively by the formation of the depletion region at the drain terminal. As a result, the reverse BV is enhanced from-5 V to-49 V by using a Schottky drain. Experiments and the simulation indicate that a Schottky drain is desirable for power electronic applications.     

光度法测定水发产品浸泡液中残留过氧化氢

在微酸性介质中,铁(Ⅱ)与过氧化氢反应产生的羟基自由基可氧化亮绿SF,使其在吸收峰632nm处的吸光度降低。此反应的最佳条件:①反应时间为20min;②溶液的pH为3.0;③铁(Ⅱ)的初始浓度为100μmol·L-1;④反应温度为25℃。过氧化氢的浓度在50μmol·L-1以内与其吸光度的降低值(ΔA)呈线性关系,检出限(3s/k)为0.25μmol·L-1。据此提出了水发产品浸泡液中残留的痕量过氧化氢的光度测定法。方法用于3个水发产品浸泡液样品的分析,加标回收率在91.0%~112%之间,测定值的相对标准偏差(n=5)在1.9%~2.5%之间。     

一种利用共振隧穿二极管简化电路的分频器设计

提出了一种基于共振隧穿二级管的新型边沿触发D触发器并将之用于构成二进制分频器.详细讨论了设计过程,用SPICE验证了电路的功能,并和已有的设计进行了比较.由于利用了共振隧穿二极管高度的非线性,同CMOS分频器相比,电路中元件的数量可以减少一半.     

橙黄G-Fenton体系催化分光光度法测定雨水中过氧化氢

基于在pH=3.0的H2SO4介质中,利用Fenton体系产生的羟基自由基能够与橙黄G发生反应,使其吸光度降低的原理,建立了一种在常温下测定H2O2浓度的催化光度分析新方法.在橙黄G最大吸收峰478 nm波长处测得的吸光度降低值(△A)与H2O2浓度在0～100 μmol/L范围内呈线性相关,检测限(S/N=3)为0.5μmol/L.该方法简单、方便、快捷,将其应用于雨水中微量H2O2的测定,结果满意.     

铁路机车车轮及轮心智能转运机械手设计

一种铁路机车车轮及轮心智能转运机械手主要由C轴水平旋转装置、卡紧装置、翻转装置组成;C轴水平旋转装置主要用于车轮及轮心的空间位置360°无死角水平旋转,卡紧装置用于车轮及轮心的取放,翻转装置用于工件的翻转。文章设计了一款机车车轮及轮心检修转运智能机械手（旋转、卡紧、翻转系统）,可提高整个机车车轮及轮心检修作业的规范性。     

孔雀石绿-铁(Ⅱ)体系催化动力分光光度法测定雨水中微量过氧化氢

基于在pH 4.0的H₂SO₄介质中,Fe（Ⅱ）对H₂O₂氧化孔雀石绿褪色反应的催化作用,建立了一种在常温下测定H₂O2浓度的催化光度分析方法。在孔雀石绿吸收峰618nm波长处测得的吸光度降低值（△A）与过氧化氢浓度在0—50μmol·L^-1范围内呈线性相关,回归方程为△A=0.0171C+0.0191,检出限为1.0μmol·L^-1（s/n=3）。本法可以方便、快捷的用于雨水中微量过氧化氢的测定,结果满意。     

基于InP全增强HEMT逻辑的环形压控振荡器研究

A voltage-controlled ring oscillator （VCO） based on a full enhancement-mode InAlAs/InGaAs/InP high electron mobility transistor （HEMT） logic is proposed. An enhancement-mode HEMT （E-HEMT） is fabricated, whose threshold is demonstrated to be 10 mV. The model of the E-HEMT is established and used in the SPICE simulation of the VCO. The result proves that the full E-HEMT logic technology can be applied to the VCO. And compared with the HEMT DCFL technology, the complexity of our fabrication process is reduced and the reliability is improved.     

一种利用共振隧穿二极管简化电路的分频器设计

提出了一种基于共振隧穿二级管的新型边沿触发D触发器并将之用于构成二进制分频器.详细讨论了设计过程,用SPICE验证了电路的功能,并和已有的设计进行了比较.由于利用了共振隧穿二极管高度的非线性,同CMOS分频器相比,电路中元件的数量可以减少一半.