a-Si:H掺杂机理的研究

本文利用CNDO/2量子化学理论方法,对P和B原子在四面体配位的Si₄₆和Sl₄₆H₆₀H₄^*原子集团中置换Si原子前后的原子集团能量和能态分布变化进行了计算.计算结果表明:1)在Si₄₆H₆₀H₄^*原子集团中用P(或B)置换引Si原子后在能隙中明显地出现施主(或受主)态子带,同样在Si_{46相似文献}   

晶态硅中氢化单空位的络合物模型

本文对氢化单空位模型中SiH键间的相互作用对总能量的影响进行了计算。据用全略微分重迭(CNDO/2)方法计算的结果,单空位中四个氢原子有较明显的相互作用,四氢原子络合成组是含氢单晶硅中一种合理的氢相关组态模型。 关键词：     

Ⅱ-Ⅵ族化合物(Hg_(1-x)Cd_xTe)非晶薄膜的半导体性质

本文对用蒸发法制备的非晶和多晶碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)薄膜的结构特性及其光学和电学性质进行了研究。在800—2600nm的波长范围内测量了样品的透过率,得到了非晶和多晶状态相应的光学隙分别为1eV以上和0.65eV左右。对非晶样品的退火实验发现,在90—100℃区间退火使非晶样品的结构转变为多晶,同时电阻率突然变小约5个数量级和光学隙由1eV以上突变为0.62eV左右。在20—300K的温度范围内,分别测量了非晶与多晶样品的电阻率,所得结果可用现代非晶半导体理论进行解释。     

一个利用量子化学方法计算Si—H伸缩振动频率的半经验公式

本文将前人对硅烷类分子中Si—H红外吸收光谱实验结果和我们对其键长、键级的量子化学计算结果进行综合分析,得到了一个计算Si—H伸缩振动频率的半经验公式:v~2=1.635×10~7·P·R~(-3/2)+7.458×10~(-2)。用该公式对七种硅烷类分子的计算得到了满意的结果,平均偏差不超过0.4%。     

非晶硅电子结构的EHT理论研究

本文用EHT方法对Si_(47)H_(60),原子团的电子态密度性质进行了多种情况下的计算分析,计算结果表明,非晶硅与单晶硅电子态密度谱的区别主要发生在B峰与C峰之间,而不是通常所认为的A峰与B峰之间,这与Hayes的XPS实验结果一致.据我们计算分析,得出产生这一区别的主要原因是键角和二面角无序,而不是以前人们所认为的键角的单一无序.     

a-Si:H中本征缺陷引起的赝隙态

本文取原子集团模型Si₈H₁₈,Si₁₇及从连续无规网络中挖取的集团模型Si₂₉和Si₄₇,用CNDO LCAO-MO方法计算其电子结构,探讨了a-Si:H中由弱键、弯键和带电组态等本征缺陷引起的赝隙态分布。结果表明,当弱键拉伸时,两个弱键态移动并收缩至带隙中央;过剩电荷使弱键能级移至价带顶或导带底附近;弯键态主要出现在价带顶附近。当弯键曲率较大时,弯键态上移至带隙中央以下的区域。结构拓扑无序导致 关键词：     

辉光放电非晶态硅薄膜光、暗电导率特性的研究

一、引 言 非晶态硅(a-Si)太阳能电池的研究,是近几年来世界上引人注目的一个重要课题.主要原因是a-si材料成本低,而且在用于制造太阳能电池时具有某些较好的性能,如在太阳光谱峰值附近,a-Si的光吸收系数比单晶硅高出近一个数量级.早在1976年,就有人制得了能量转换效率高达5.5%     

硅离子簇的理论研究

本文采用ＭＮＤＯ方法研究了Ｓｉｎ，Ｓｉｎ＋和Ｓｉｎ２＋（ｎ＝２—６）簇的原子结构，得到了一系列稳定的簇结构，并确定出每一类簇所对应的最佳稳定结构．从中发现，无论Ｓｉｎ，Ｓｉｎ＋还是Ｓｉｎ２＋簇，都存在共同的“幻数’，即４，５，６，然而，Ｓｉｎ，Ｓｉｎ＋和Ｓｉｎ２＋对应的稳定结构一般是各不相同的．本文的结构说明，以往人们单纯从中性Ｓｉｎ簇的研究去推断并解释Ｓｉｎ离子族的结构和性质是不恰当的，荷电将改变原子簇的构型．文中还指出了几个以前没有发现的稳定构型．     

Si(113)表面电子结构的研究

采用Si_(16)H_(21)和Si_(31)H_(39)原子集团分别模拟Si(113)和Si(111)表面;通过半经验自洽CNDO法计算了两个体系的电子结构.结果表明,Si(113)具有与Si(111)不同的表面态特征.Si(113)表面台阶和台面原子上电荷重新分布,与悬键相关的表面电子态都强烈地定域在表面Si原子上,尤其局域在悬键方向上,并且具有比(111)面上更高的悬健态密度.理论计算结果能解释以前的光电子谱实验.