模拟调制参数高精度测量算法研究

为了满足模拟调制信号的测试需求,提出并实现了模拟调制参数高精度测量算法。首先介绍模拟调整参数测量流程,确定模拟调制参数高精度测量算法需要完成的任务。在此基础上,提出高精度模拟调制参数测量的关键技术,着重对基于戈泽尔算法的载波频偏及载波功率测量、调制参数测量的算法进行详细的描述。另外介绍模拟调制参数高精度测量算法的实现结果。试验测试表明,模拟调制参数高精度测量算法能够很好地满足模拟调制信号的测试需求。     

FM调频偏移高精度测量方法

在FM调制信号调频频偏参数测量过程中,测量准确度与载波偏移误差、解调带宽、采样速率等密切相关.本文提出的FM调频偏移高精度测量方法,首先采用相位差分法从获得的IQ信号数据中提取瞬时频率波形,然后利用戈泽尔算法计算出瞬时频率波形中存在的直流偏移,并进行去直流处理,最后采用加窗SINC正弦内插方法对瞬时频率波形进行插值,从内插的波形中获得调频偏移.实际应用结果表明,采用该方法能够满足调频频偏测量准确度优于1%的测量要求.     

多孔硅反射谱的测量与分析

测量了多孔硅的光反射谱，并进行了分析和讨论，得出了其能带展宽等特性。利用K－K关系，计算得出了多孔娃的折射率n等光学常数，并结合单晶硅的相应光学常数进行了比较和分析．     

多孔硅吸收光谱和反射光谱

测定了多孔硅的吸收光谱和反射光谱，结果发现其吸收边对应于可见光区域。同单昌硅要比，其吸收边发生了蓝移，并且吸收强烈。由多孔硅反射谱曲一，利用Ｋ－Ｋ关系对其光学常数进行了简单的计算和分析。     

多孔硅深能级谱的测试

测试了几种不同条件下制备的多孔硅样品的深能级谱（DLTS）。结果发现，其深能级都处于禁带深处，其位置和相对浓度随样品不同而不同。对测得的谱线进行了计算和分析，并联系多孔挂的表面状态作了分析和讨论。     

多孔硅吸收光谱的研究

利用大电流剥离方法制备了多孔硅薄膜层，测定了其吸收光谱。结果发现其吸收边对应于可见光区域，同单晶硅吸收光谱相比，其吸收边发生了蓝移，并且吸收强烈。这说明多孔硅的能带结构较硅发生了改变，表现为一种新的能带结构特征。