透反液晶显示器

兼有透射型和反射型液晶显示优点的透反液晶显示可工作于透射和反射两种显示模式，它将广泛应用于手机、PDA等通讯领域。透反液晶显示可分为单盒厚和双盒厚两大类。又可分为扭曲型和非扭曲型两种。为了研制出高性能透反液晶显示器，需解决透反两个显示区的响应时间、光效率、色饱和度的差异以及视角等问题。文中介绍了Sharp公司开发的2种基本的透反液晶显示。以及3种新近开发的高性能透反液晶显示。随着应用市场的扩大和技术的进步，透反液晶显示将会进一步得到发展。     

开关结构对a-SiTFT-LCD光学特性的影响

分析非晶硅薄膜晶体管在a-SiTFT-LCD中的开关特性，讨论这种开关结构中的主要功能膜材料尺寸与性能参量、光刻制备工艺，存储电容以及栅脉冲延迟效应等对a-SiTFT-LCD的通断电流比，信号响应与保持特性，图像亮度与对比度等光学特性的影响。     

方酸作桥联配体的双核铕螯合物的电致发光

利用方酸作为桥联配体合成了一种双核铕鳌合物Eu_2（DBM）_4（Sq）Phen_2 ．用TPD作空穴传输材料、Eu_2（DBM）_4（Sq）Phen_2作发光材料和载流子传输材料、 8-羟基喹啉和铝（AlQ）作电子传输材料，设计了不同电致发光电特性，结果表明 Eu_2（DBM）_4（Sq）phen_2是一种同时具有空穴和电子传输能力的红色电致发光 材料，在器件结构为ITO/TPD,50nm/Eu_2（DBM）_4（Sq）Phen2，20nm/ALQ，50nm/LiF， 1nm/Al,200nm时，获得了在16V,6.9mA下有最大亮度91cd／m~2的电致发光器件.     

YAG荧光屏的制作与性能

介绍一种YAG荧光屏的结构、制作以及性能。YAG荧光屏不同于传统玻璃荧光屏的一个显著特点就是以具有高热导率、高机械强度、良好绝缘性和透光性的单晶YAG代替玻璃作为荧光屏粉层衬底。我们在YAG衬底上采用离心沉淀法制作荧光粉层;有机膜采用手工旋涂法工艺制作;铝膜采用真空电阻蒸发法制作,并讨论了铝膜的最佳厚度选取。3英寸红、绿、蓝荧光屏在0.5mA电流、29kV电压下亮度分别是6.2×10     

640×480 TFT-AMLCD有源层的制备

从理论上分析了a-Si∶H薄膜晶体管(TFT)有源层——a-Si∶H薄膜的光电特性、厚度及淀积均匀性、稳定性、重复性对TFT工作性能的影响.并根据此分析,在实验的基础上对a-Si∶H淀积工艺进行了优化,找到了最佳淀积工艺,并介绍了淀积室电极结构.用此工艺,作者在美制备出高质量的640×480象素的a-Si∶H薄膜晶体管-有源矩阵液晶显示器(TFT-AMLCD),其对比度为100∶1,灰度24级,开口率大于50%,开关比大于1e7.     

H.264/AVC视频编码标准的技术特点及应用分析

H.264／AVC是ITU-T视频编码专家组和ISO／IEC运动图像专家组(MPEG)共同开发出来的最新视频编码标准,它具备许多新的技术特点,如:多模式运动预测、柔性宏块排序、整数变换、一致性变字长编码、内容自适应二进制算术编码、分层编码、错误约束机制、错误掩盖技术及高效的比特流切换技术等等。本文在阐述该标准系统层结构的基础上,分析其主要技术特点及H.264／AVC VBR码流特性,阐述该标准在IP网络及无线网络中的应用情况。     

液晶光阀复合光吸收层的吸收系数研究

用传统的热蒸发的方法制备了厚度为800 nm,结构为S iO+CdT e+VOPc+CdT e+S iO的新型液晶光阀复合光吸收层。分析了液晶光阀对光吸收系数的要求。得到了在最优的工艺条件下红绿蓝三色的吸收系数达到Rα=7.8×105cm-1、αG=6.8×105 cm-1、αB=7.2×105cm-1的液晶光阀复合光吸收层。     

远程水质、水位在线监测应用

本文从近几年上海居民用水中存在的水质问题及上海下立交积水引起的灾害问题出发,引出了如何利用水质、水位在线监测系统实现远程水质、水位的在线监测.并通过水质、水位在线监测系统实现的主要功能,具体介绍了上海实用的一些案例.     

Cr~(4 )∶YAG能级结构的全量子力学计算

采用基于分子轨道理论CIS(ConfigurationInteractionofSinglySubstitution)的全量子力学方法计算了掺杂Ca和Cr离子的YAG晶体中 [CrO4 ]4 -团簇离子的能级结构。结果给出了Cr4 团簇 2 0个谱项能级随Cr -O键距的变化 ,对比表明在间距为 173pm时 ,能级结构在可见光及近红外范围的主要光谱特征与实验结果符合得较好     

场发射栅孔阵列的制备

 采用硅的局部氧化技术以及湿法刻蚀技术,利用2.6 μm的光刻掩模板在n型硅片上形成了栅极孔径为1 μm的场发射阴极的栅极空腔阵列,实现了用大阵点尺寸的栅极掩模板制备较小尺寸栅孔阵列。硅的湿法刻蚀溶液采用各向同性的硝酸和氢氟酸混合溶液,刻蚀后空腔的深度和宽度均随刻蚀时间线性增加。同时,由于刻蚀溶液具有较高的Si/SiO₂ 刻蚀选择比,栅极孔径随刻蚀时间增大的速度远低于深度和宽度增大的速度,栅极孔径主要取决于掩模的尺寸和氧化层的厚度。通过选择掩模板的尺寸以及氧化层的厚度,采用局部氧化技术和湿法刻蚀技术能够制备出微米或亚微米的场发射阴极的栅极空腔阵列。