Ag/Ni双元素注入玻璃光吸收和磁学特性

将MEVVA源（metal vapor vacuurm arc ion source）71出的Ag，Ni离子以不同的剂量比在室温条件下注入到高纯非晶二氧化硅玻璃，透射电镜明场像以及光学吸收谱证明了该样品中形成了Ag，Ni会属纳米颗粒．样品在空气中邀火，随着退火温度的升高，光学吸收淆变得平缓，当退火温度达到600℃时，Ni被部分氧化，用超导量子干涉仪（SQUID）测最样品的磁学特性，结果显示在外磁场为0～80kA／m时表现为铁磁性，在外磁场为80-240kA／m时表现为抗磁性。     

四针状氧化锌/炭黑复合吸波材料吸波性能的研究

利用四针状氧化锌和炭黑为吸收剂,硅橡胶为基体,制备了一种复合吸波材料,并探究了不同含量的炭黑、四针状氧化锌以及复合材料的厚度对其吸波性能的影响。同时使用了扫描电子显微镜、矢量网络分析仪等仪器对不同质量分数的复合吸波材料样品进行微观形貌和电磁性能的表征。结果表明,在一定范围内,样品的厚度、炭黑的含量和四针状氧化锌的含量增加,会提高样品的吸波性能,当样品的厚度为2 mm,碳粉和四针状氧化锌的质量分数含量分别为8%和10%时,复合吸波材料的最小反射损耗值可以达到-14.68 dB,符合当下吸波材料轻薄宽频的发展趋势。该复合材料具有吸收剂含量低、轻薄、弹性大等优点,在电磁屏蔽领域具有潜在的应用前景。     

Te元素掺杂Bi2Se3拓扑绝缘体纳米线的反弱局域效应

采用Au催化的固-液-气(VLS)方法制备了单晶Bi2Se3和Bi2(TexSe1-x)3 纳米线, 研究了单根纳米线器件的输运性质.在对单根Bi2(TexSe1-x)3(x=0.26)纳米线的低温磁输运测试中观察到反弱局域效应, 说明样品中存在较强的自旋-轨道耦合.结果表明, Te掺杂可以有效抑制体电导对输运过程的影响.通过对不同温度下的磁电导曲线进行拟合, 得到了电子的退相干长度lφ , lφ 从1.5 K时的389 nm减小至20 K时的39 nm, 遵循lφ∝T-0.96指数变化规律.分析表明, 在Te掺杂样品的输运过程中, 电子-电子散射和电子-声子散射均起到了十分重要的作用.