Zn：Fe：LiNbO3晶体的生长及位相共轭效应的研究

在ＬｉＮｂＯ３中掺进ＺｎＯ和Ｆｅ２Ｏ３生长出Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体。测试了晶体抗光致散射能力、位相共轭反射率和响应时间。研究了Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３位相共轭效应增强的机理。     

掺锌LiNbO3晶体的生长及其光学性能

在LiNbO₃中掺进3mol%、5mol%、7mol%ZnO生长Zn:LiNbO₃晶体.测试Zn:LiNbO₃晶体的吸收光谱,研究Zn:LiNbO₃晶体吸收边紫移的机制.测试Zn:LiNbO₃晶体的红外光谱,研究Zn(7mol%):LiNbO₃晶体OH 吸收峰由3484cm^-1移到3530cm^-1的机制.测试Zn:LiNbO₃晶体倍频转换效率和相位匹配温度,研究Zn:LiNbO₃晶体倍频转换效率增强的机制.     

Zn∶Fe∶LiNbO_3晶体的生长及位相共轭效应的研究

在ＬｉＮｂＯ３中掺进ＺｎＯ和Ｆｅ２Ｏ３生长出Ｚｎ∶Ｆｅ∶ＬｉＮｂＯ３晶体。测试了晶体抗光致散射能力、位相共轭反射率和响应时间。研究了Ｚｎ∶Ｆｅ∶ＬｉＮｂＯ３位相共轭效应增强的机理。     

双掺杂铌酸锂晶体的生长及其光折变性质

采用提拉法以固液同成分配比(Li2CO3/Nb2O5＝48.6/51.4)生长了Fe掺杂及(Zn,Fe)、(Mg,Fe)和(Ce,Fe)双掺杂LiNbO3(LN)单晶.Ce:Fe:LiNbO3晶体的质量,指数增益系数和衍射效率皆高于Fe:LiNbO3晶体.所测得(Zn,Fe):LN、(Ce,Fe):LN、(Mg,Fe):LN和Fe:LiNbO3晶体的抗光致散射能力分别为8.2×103,3.2×102,8.3×102和1.2×102W/cm3;在488nm光进行的光折变实验中还原处理后的(Ce,Fe):LiNbO3晶体具有最高的二波耦合增益系数,为40.2cm-1,其全息衍射效率可达82.2%;实验结果表明(Zn,Fe):LiNbO3和(Mg,Fe):LiNbO3具有抗光散射能力强,响应时间短的特点,而(Ce,Fe):LiNbO3的增益系数和衍射效率均为最高,明显优于Fe:LiNbO3晶体.     

[Li]/[Nb]比对Ce:LiNbO3晶体结构及光折变性能的影响

在铌酸锂(LiNbO3,LN)中掺入摩尔分数为0.1;的CeO2,以提拉法从不同[Li]/[Nb]摩尔比([Li]/[Nb]=0.750,0.850,0.946,1.100)的熔体中生长出了Ce:LN晶体.测试了晶体的晶格常数、红外光谱和居里温度.结果表明:随着[Li]/[Nb]比的增加,晶体仍为三方的LN晶体,且晶格常数和晶胞体积没有发生大的变化,v(OH-)振动峰的位置依次向长波方向移动,居里温度依次增加,结构缺陷减少.由于Ce和[Li]/[Nb]比的协同作用,[Li]/[Nb]比为1.100的Ce:LN晶体已接近化学计量比,[Li]/[Nb]比为0.850的Ce:LN晶体的居里温度近似等于纯LN晶体.利用二波耦合光路测试了晶体的衍射效率、写入时间和擦除时间,计算了晶体的光折变灵敏度及动态范围.测试了晶体的抗光致散射能力,结果表明:[Li]/[Nb]比越高的Ce:LN晶体的光折变性能越好.并分析了不同[Li]/[Nb]比Ce:LN晶体光折变性能增强的机理.     

KLN晶体的生长及其结构性能的研究

以顶部籽晶（ＴＳＳＧ）法生长出透明的滑有开裂的ＫＬＮ晶体,采用场冷法对晶体进行极化,测试ＫＬＮ晶体Ｘ－射线衍射图,并计算晶格常数,测试ＫＬＮ晶体的红外透射光谱,研究影响ＫＬＮ晶体产生开裂和失透的原因和克服措施,经过倍频得到波长为４４１ｎｍ的蓝光。     

黄铜矿类半导体砷化锗镉晶体的研究进展

砷化锗镉,CdGeAs2,是三元的黄铜矿类半导体,具有非常高的非线性光学系数(236pm/V),这使得其作为CO2激光器倍频转换方面有突出的优势.长期以来生长晶体时由于存在严重的各向异性而使晶体开裂.砷化锗镉晶体在5.5μm处存在强吸收使得频率转化的效率非常低,此吸收是晶体内存在大量受体缺陷造成的.本文对晶体生长的几种方法和红外吸收进行论述,并提出掺杂予体的方法降低红外吸收.     

Eu∶Zn∶LiNbO3晶体全息存储性能的研究

在LiNbO3中掺进Eu2O3和ZnO生长Eu∶Zn∶LiNbO3晶体.采用二波耦合光路测试晶体的指数增益系数和衍射效率.以Eu∶Zn∶LiNbO3晶体作为存储元件,实现了全息关联存储.     

钐掺杂钨酸铅晶体的生长

为了用提拉法生长出质量优良的衫掺杂钨酸铅晶体,通过理论分析,实践论证,确定了生长晶体的工艺参数.温度梯度采用较成熟工艺,讨论晶体的生长速度和旋转速度.晶体生长速度为2 ～5mm/h;晶体旋转速度为35 ～50r/min;以45℃/h的速度降至室温,同时保持30r/min的旋转速度.得到了不同浓度衫掺杂的表观透明,无碎裂淡粉红色的钨酸铅晶体,且目前得到晶体的最大尺寸为φ25mm×40 mm.     

全息法研究Mg:In:LN晶体波导基片的光损伤

在ＬＮ中掺进ｘ（ＭｇＯ）＝３％和ｘ（Ｉｎ２Ｏ３）＝１％、２％,用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法生长Ｍｇ：１％Ｉｎ：ＬＮ和Ｍｇ：２％ＩＮ：：ＬＮ晶体。以光斑畸变法测试晶体光损伤阈值,通过质子交换技术（ＰＥ）制备ＬＮ和Ｍｇ：Ｉｎ：ＬＮ晶体光波导基片,用全息法研究晶体波导基片的光损伤。结果表明,ＰＣ：Ｍｇ：１％Ｉｎ：ＬＮ的光损伤阈值比ＰＥ：ＬＮ提高２个数量级以上,ＰＥ：Ｍｇ：２％Ｉｎ：ＬＮ的光损伤阈值比ＰＥ：