PZT薄膜的制备及其与MEMS工艺的兼容性

用溶胶-凝胶技术在Pt/Ti/SiO2/Si上制备了PZT薄膜,并采用剥离技术与热处理的方法解决了Pt电极的图形化,在结晶热处理前,利用PZT腐蚀液对PZT进行图形化腐蚀.分别用SEM,XRD,EDX对电极和PZT薄膜的相貌、相结构以及化学组分进行了分析.结果表明:所制备的PZT薄膜具有完全的钙钛矿型结构;这种图形化的工艺方法大大改善了电极和PZT的图形化条件,在不影响电极和PZT性能的同时,提高了电极和PZT的图形质量;底电极和PZT的图形化过程,避免了强酸长时间的腐蚀,大大提高了PZT薄膜的制备与MEMS工艺的兼容性.     

Pt/Ti Electrodes of PZT Thin Films Patterning by Novel Lift-Off Using ZnO as a Sacrificial Layer

We achieve a successful novel lift-off of patterning Pt/Ti electrodes on SiO2/Si substrates by employing ZnO sacrificial layer deposition and patterning, successive uniform Pt/Ti deposition and final lift-off. Then we deposit PZT thin films on the electrodes. Compared with the conventional lift-off processes for the electrodes, this novel process does not need post-annealing, which must be performed after conventional lift-off process. It is demonstrated that the electrodes patterned by the novel lift-off process have stronger adhesion. The electrodes and the PZT films on the electrodes are more compact and smoother than those by the conventional lift-off process.     

不同厚度ZnO薄膜取向和应力的研究

采用直流磁控溅射技术制备了厚度为600～1 600 am的ZnO薄膜,利用XRD对薄膜的相结构进行了分析,利用薄膜应力分析仪对薄膜的应力进行了分析.结果表明:所有的薄膜都沿(002)方向高度择优.随着薄膜厚度的增加,ZnO薄膜的晶体质量得到提高,各种缺陷逐渐减小;ZnO薄膜的内应力为压应力;随着厚度的增加,ZnO薄膜的平均应力逐渐减小,并且应力分布趋于均匀.     

高频沟槽叉指体声波换能器

本文介绍了一种由压电晶体沟槽表面上的叉指换能器构成的新型体声波换能器。制作在X切LiNbO_3,表面的横波换能器在213MHz时的一次换能损耗为3.8dB.     

T形结构在位测量薄膜中残余张应力的理论研究

给出了考虑梁的轴向载荷情况下理论计算公式的推导过程,在变形较大时两种公式计算结果最大相差9.65%.用LPCVD技术制作了几种大小不同的T形梁结构,给出了残余张应力与杨氏模量比值.     

T形结构在位测量薄膜中残余张应力的理论研究

给出了考虑梁的轴向载荷情况下理论计算公式的推导过程 ,在变形较大时两种公式计算结果最大相差9.6 5 % .用 L PCVD技术制作了几种大小不同的 T形梁结构 ,给出了残余张应力与杨氏模量比值 .     

PZT薄膜的制备及其与MEMS工艺的兼容性

用溶胶-凝胶技术在Pt/Ti/SiO2/Si上制备了PZT薄膜,并采用剥离技术与热处理的方法解决了Pt电极的图形化,在结晶热处理前,利用PZT腐蚀液对PZT进行图形化腐蚀.分别用SEM,XRD,EDX对电极和PZT薄膜的相貌、相结构以及化学组分进行了分析.结果表明:所制备的PZT薄膜具有完全的钙钛矿型结构;这种图形化的工艺方法大大改善了电极和PZT的图形化条件,在不影响电极和PZT性能的同时,提高了电极和PZT的图形质量;底电极和PZT的图形化过程,避免了强酸长时间的腐蚀,大大提高了PZT薄膜的制备与MEMS工艺的兼容性.