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用廉价的方式把数字、模拟和功率元件集成在单片衬底上的市场需求,在许多应用方面的重要性正在持续的增长。本文描述非平面多层外延双极型功率集成电路的工艺,此工艺特别适用于低成本电源的应用,例如串联—通道稳压器。本概念能提高晶体管特性,并能扩展到更为复杂更高性能的智能功率集成电路的应用领域。 相似文献
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本文介绍了光束诱导电流法(OBIC)及其在高压平面结方面的应用。对有圆柱形边界的p~+n二极管进行了测量。测量结果说明了在表面有正、负电荷存在时OBIC信号的响应。 本文指出,虽然多层场环结构在一般情况下难以优化,但通过把OBIC测量与Briger模型相结合,可使其得到改善。在掺杂浓度为9×10~(13)/cm~3的n型衬底上,做优化了的四个场环结构,其耐压可达1550V。 在反偏的平面结中,最大载流子倍增点在其表面下几个微米处(视结深而定)。我们利用OBIC信号与波长的依赖关系发现,具有束深为20μm的横向可变掺杂结构的击穿在表面下5~10μm之间。 相似文献
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在过去的几年里,用于晶片加工的工艺控制技术的改进已迅猛增加。 设备研制的投资,传统上主要是以晶片工艺设备的改进为目标,但现在越来越多地把投资集中在开发能够更好地管理和控制品片工艺生产的仪器上。 这种趋势的原因源于经济和技术的考虑。因为工艺控制提高了器件的成品率和性能,所以这是很经济的,同时这也使半导体生产厂家能生产出更为复杂的集成电路,反过来这也需要更好的工艺控制。 相似文献
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本文研究了用磷原子的选择表面掺杂法来作非晶硅(α-Si)膜的横向固相外延(L-SPE),采用这种方法的磷原子仅在α-Si膜的表面层掺杂。已经发现,L-SPE的生长速率和从籽晶区起的生长长度,可由磷原子掺杂层的厚度来改变,但与α-Si膜厚度的关系不大。采用有效截面的透射电子显微技术,还发现,在掺磷样品表面中L-SPE的生长前沿由单晶面组成。为了解释这些实验结果,我们提出了表面掺磷样品的一种L-SPE生长模型。 相似文献
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当前,全国有多个省份搭建了地面数字电视的发射运营平台,部分地区已经发展了数十万甚至更多的用户,大大增加了当地广播电视覆盖范围,提高了广播电视宣传效果。为了在广播电视新技术的使用领域上抓住先机,我台组织开展了由多家信源设备厂商参 相似文献
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