国产半导体器件贮存10年的可靠性

电子产品的贮存可靠性正日益被人们所重视.1985年5月,美国罗姆航空发展中心颁布了一个重要文件《设备不工作期间对其可靠性的影响》.该文件提出了计算电子设备及元器件不工作期间可靠性的有关方法,其作用相当于MIL—HDBK—217《电子设备可靠性预计手册》.我国电子产品的贮存可靠性也越来越被大家所关注.近年来,电子部五所数据中心开展了我国电子设备和元器件非工作可靠性与贮存失效率有关数据的收集、研究工作,正在编制出版《电子设备及元器件非工作可靠性预计手册》.     

国产光电耦合器密封试验和内部水汽含量检测结果分析

本文对国内三个光电耦合器主要生产有的多种型号品种气胱电耦合产品开展了密封试验和内部水汽含量检测,并着重对试验结果进行了分析讨论。     

50例微波器件失效分析结果汇总与分析

对约50例微波器件失效分析结果进行了汇总和分析,阐述了微波器件在使用中失效的主要原因、分类及其分布。汇总情况表明,由于器件本身质量和可靠性导致的失效约占80%,其余20%是使用不当造成的。在器件本身的质量和可靠性问题方面,具体失效机理有引线键合不良、芯片缺陷(包括沾污、裂片、工艺结构缺陷等)、芯片粘结、管壳缺陷、胶使用不当等;在使用不当方面,主要是静电放电(ESD)损伤和过电损伤(EOS),EOS损伤中包括输出端失配、加电顺序等操作不当引入的过电应力等。     

国产光电耦合器主要故障模式和失效机理

通过对 6种型号 2 0多只国产光电耦合器失效样品的失效分析 ,分析研究了国产光电耦合器的 6种主要故障模式及其失效机理     

MCM-D多层金属布线互连退化模式和机理

介绍了MCM-D多层金属互连结构的工艺及材料特点，并就Cu薄膜布线导体的结构特点和元素扩散特性。说明了多层布线互连退化的模式和机理，以及防止互连退化的技术措施，实验分析表明，Au/Ni/Cu薄膜布线结构的互连退化原因是，Cu元素沿导带缺陷向表层扩散后，被氧化腐蚀，导致互连电阻增大，而Cu元素在温度应力作用下向PI扩散，导致PI绝缘电阻下降。     

基片焊接不良导致微波功率器件热烧毁

利用声学扫描检测技术,揭示了热烧毁的微波功率器件氧化铍陶瓷基片与底座金属散热片的焊接不良现象;通过对样品的研磨与剥离,验证了焊接界面存在大面积空隙的状况;分析了其失效机理,并提出了建议。     

国产A／D（模／数）,D／A／（数／模）转换器失效模式和失效 …

国产Ａ／Ｄ（模／数）Ｄ／Ａ（数／模）转换器是重点电子产品,属大规模集成电路。我国军用和重点工程对Ａ／Ｄ,Ｄ／Ａ的需求很大,而目前高位数和高精度的该类产品主要仍靠进口。本文通过研究其失效模式和失效机理,可暴露存在问题,总结经验教训,寻找改进措施,促进该类产品研制与生产水平的提高,以利于国产Ａ／Ｄ,Ｄ／Ａ的进一步开发和发展。     

国产直流电源变换器厚膜功率模块失效分析及对策

1 前言DC—DC电源变换器厚膜功率模块是“八五”期间为国家重点工程和军事应用而研制的新品。国防科工委94年专门下文要求几种主要工程配套用的新型关键元器件要进行评审,DC—DC是其中的一种。电子部五所研究分析中心通过评审过程的失效分析,准确找到了与DC—DC设计、工艺相关的存在问题和薄弱环节,并进行了对策研究,提出了7条改进措施。在1995年3月由科工委和电子部军工基础局召开的DC—DC评审总结会上,该项失效分析工作及其分析结果得到了研制单位、有关专家和上级部门的一致肯定与共识。     

引线镀层材料不当造成塑封器件漏电失效

对漏电失效的塑封三极管,通过显微观察、去除异物前后的电性能对比分析、能谱成分分析等技术手段,揭示了因引线镀层材料采用不当引起银迁移致使器件漏电失效的失效模式及失效机理,并提出了相应的建议措施.