快速纳秒响应二代近贴聚焦像增强器的批量生产

叙述了二代近贴聚焦像增强器批量生产所用真空设备性能及特点，同时给出了管子工艺考核结果及管子纳秒时间响应特性。工艺考核结果表明，制管工艺可靠、性能稳定，管子批量生产合格率大于70％。     

传输栅掺杂对CMOS有源像素满阱容量及暗电流的影响（英文）

研究了传输栅掺杂,即N+TG和P+TG,对满阱容量以及暗电流的影响。沟道电势分布受传输栅与衬底功函数差的影响,随着钳位光电二极管和浮动扩散节点之间的势垒高度的增加,feedforward效应被抑制,满阱容量增加。另一方面,处于电荷积累状态的沟道可以降低暗电流。基于四管有源像素工作过程进行仿真,结果表明,在曝光期间不加负栅压的情况下,基于P+TG的像素的满阱容量相对N+TG的提高了26.9%,其暗电流为N+TG的0.377倍。当电荷转移效率大于99.999%时,N+TG的开启电压需高于2.3 V,而P+TG的开启电压需高于3.0 V。     

基于天然聚多糖的环境友好材料（II）-麻纤维和芦苇纤维多元醇的生物降解聚氨酯

以麻纤维和芦苇纤维制备的植物多元醇为原料，合成具有良好性能的生物降解 性硬质聚氨酯泡沫体，其密度40 kg/m~3左右，压缩强度150 kPa，弹性模量4 MPa 。而且多元醇中植物原料含量越大，其性能越好，这使植物原料的充分利用和材料 生产成本的降低成为可能。土壤掩埋实验表明，泡沫体有很好的土壤微生物降解性 。     

基于双积分模拟重构大动态范围CIS系统研究

提出一种采用列共用模拟重构电路和双积分三采样工作时序的CMOS图像传感器(CIS)系统架构,可实现光电响应曲线压缩和像素固定模式噪声(FPN)消除,提高传感器动态范围到83 dB,使成像质量提高.该结构具有与单采样相同的像素阵列,仅增加很小的处理电路.改进的工作时序优化了长积分、短积分和信号处理的时序分配.系统控制由FPGA实现.功能和数模混合仿真验证表明,方案是可行的.     

基于平衡态的动态比较器失调电压分析和设计优化

本文提出了一种基于平衡态的动态比较器失调电压分析设计技术。以两支路电压电流相等的平衡态为分析基础,通过在复位电压跳变时刻引入补偿电压的方法,逐一分析了动态比较器各晶体管参数对总体失调电压的影响,建立了失调电压的数学模型;采用Chartered 0.18um1P6M工艺对Lewis-Gray型动态比较器进行了电路和版图设计,并利用可快速提取失调电压的定步长仿真方法对其失调电压进行了仿真,结果表明所提出的分析方法可以相对准确的估算失调电压。以该分析方法为基础,本文还提出一种基于总体失调电压影响权重的晶体管分组优化方法,在保证总体面积不变的条件下,可将失调电压有效降低50%以上。经流片测试结果表明,本文所提出的分析和优化方法可应用于高速高精度系统中比较器的设计。     

二代近贴微通道板（MCP）电子清刷技术

主要介绍二代近贴微光管MCP了清刷技术研究结果，结合质谱分析对MCP释放的残气对阴极光电发射产生的影响进行讨论。     

像素内两次曝光组合的宽动态范围CMOS图像传感器

提出了一种基于五管有源像素的宽动态范围CMOS图像传感器（CIS）,在像素内部的浮动节点处进行长曝光时间信号和短曝光时间信号的组合。通过优化像素操作,光电响应曲线得到了压缩,获得了宽动态范围图像。设计的CMOS图像传感器采用0.18μm CIS工艺进行了流片,测试结果表明在两次曝光时间分别为2.4ms和70ns,30帧每秒的帧频条件下,传感器的动态范围达到80dB,满足安防监视系统的应用需求。     

GaAs阴极激活铯源质量对成像器件性能的影响

为了解决三代微光器件研究中出现的阴极灵敏度低、光电发射不均匀、稳定性差等问题,重点开展了铯源质量对阴极性能产生影响的试验研究。结果表明,激活铯源纯度、装配结构、铯源与阴极距离对阴极光电发射灵敏度、均匀性影响最大。铯源出口孔径多少大小及射出方向是阴极产生暗班的主要原因。在铯源材料成分结构与阴极距离确定之后,阴极灵敏度的高低主要决定于对铯源的除气工艺,通过对铯源除气工艺进行优化,制备出了阴极灵敏度大于1700μA/lm三代微光器件。     

二供近贴微光管光电阴极转移热铟封技术

本文主要叙述二代近贴管光电阴极转移热铟封技术，它工艺可靠，技术先进，对提高微光管的总体指标，解决像质差，提高制管成品率等方面都是一种具有广泛实用价值的先进技术。     

微光管GaAs阴极激活铯源材料放气成分质谱分析

运用四极质谱计对微光管GaAs阴极激活铯源材料除气时释放的残气进行分析，发现受污染铯放气成分主要是C，CO，CO2，CxHy等残气，它们是使GaAs阴极灵敏度低的主要原因。通过对铯源除气工艺改进，实现了原子级纯净铯获得。并研制出了主要性能合格的微光夜视成像器件。