压电陶瓷微位移器件迟滞模型的研究

在通过统计物理学角度分析压电陶瓷迟滞规律的基础上，结合数学建模方法，提出了一种简单实用的压电陶瓷迟滞数学模型。并设计了压电陶瓷实验控制系统，对迟滞数学模型进行了验证，实验结果表明，此模型可以有效减小压电陶瓷的迟滞非线性误差，提高压电陶瓷微位移的控制精度，本研究有助于实现基于压电陶瓷的高精度开环微位移控制。     

应用于雷达和通信中的砷化镓低噪声单片微波集成放大器

<正> 一、引言单片微波集成电路已不再是实验室的奇迹了,它已在世界各公司开发并投入试制性的生产。把模拟功能集成在小块 GaAs 单片上的好处是子系统的尺寸可减小到 1/10,部件成本和装配次数大大减少,并且实现了比混合电路更复杂的功能。已经用增强型技术在高速、低功耗 GaAs 数字电路方面做了大量的工作。到目前为止,模拟单片集成电路已经广泛地应用在先进的相控阵雷达中,为了使这种系统获得成功,必须满足在成本、可靠性、重复性和性能诸方面的要求。目前,正在考虑把相控     

Daphnilactone B的AC环系高效合成

以商业可得的起始原料通过简洁高效的Diels-Alder反应及Conia-ene反应构建DaphnilactoneB的AC环系,路线共七步,总收率超过30%.该策略为Daphnilactone B的全合成工作提供了一条很好的思路.     

流动注射在线微柱预富集火焰原子吸收光谱法测定痕量铂

研究了流动注射在线微柱分离 预富集火焰原子吸收光谱法测定痕量铂的新体系。以α 氨基吡啶树脂作预富集试剂 ,以 2mol·L-1HCl + 0 .3mol·L-1NaClO4 混合液作洗脱剂。当进样体积为 15 .2ml,洗脱液体积为 0 .2 7ml时 ,浓集效率达 30倍 ,采样频率 2 8次·h-1。该方法检出限 (3σ)5 .2 μg·L-1,RSD为 1.4 % (n =11,1μg·ml-1铂 )     

微乳液法合成白光LED NaLu(MO4)2:Eu3+/Eu3+,Tb3+(M=W, Mo)荧光粉

采用微乳液法制备NaLu(WO₄)_2-x(MoO₄)x:8%Eu³⁺(x=0, 0.5, 1.0, 1.5, 2.0)/y%Eu³⁺,5%Tb³⁺(y=1, 3, 5, 7, 9)系列荧光粉.通过X射线衍射(XRD)表征,所制样品的X射线衍射峰与标准卡片PDF#27-0729基本吻合,表明所制的样品为白钨矿结构,属于四方晶系.扫描电镜SEM显示制备的纳米粒子是梭子状的,粒径大约是110 nm.激发发射光谱显示,在Eu³⁺离子掺杂浓度为8%时,NaLu(WO₄)(MoO₄):Eu³⁺发光强度最大.NaLu(WO₄)_2-x(MoO)x :8%Eu³⁺(x=0, 0.5, 1.0, 1.5, 2.0)荧光粉在Mo/W比达到1:1(x=1)时发光强度最大,强烈的红光发射表明该材料可用于白光LED材料.该荧光粉在268、394和466 nm波长光激发下分别发出橙红色、黄色和淡黄色光,可以满足不同光色需要.NaLu(WO)(MoO):y%Eu³⁺,5%Tb³⁺(y=1, 3, 5, 7, 9)荧光粉,随着y值增大,从绿光区(x=0.278, y=0.514)进入白光区(x=0.356, y=0.373), (x=0.278, y=0.313),同时观察到Tb³⁺到Eu³⁺有效能量传递.     

多芯片组件用薄膜多层互连技术

本文首先指出研究多芯片组件用薄膜多层互连技术的必要性,然后对此类薄膜多层互连的材料、结构及工艺进行详细介绍,最后举例说明它在多芯片组件中的应用情况。     

基于机器学习的基站故障根因分析方法研究

基站作为移动通信网络的关键基础设施，其稳定运行对网络质量和用户体验有着重要影响。但是，基站系统设备以及环境因素变化会导致各种故障，传统的基于人工经验的故障定位方法效率低下，无法快速定位故障，恢复基站服务，影响用户感知。为此，本文提出一种机器学习的方法来辅助基站故障根因定位。以历史告警数据和故障工单为源数据，通过TF-IDF、NMF和word2vec算法实现特征提取，并以CatBoost作为故障根因定位模型，从而实现快速判断故障工单的故障类别。最终本文所构建的模型根因定位准确率为88%。结果表明，该方案可有效用于辅助通信网络运维人员快速精准定位故障根因，并根据解决方案处理故障，从而缩短故障处理时长，提升网络运维的效率和质量。     

冠醚石墨烷对氦气分离性能的理论研究

氦气(He)在众多科学和工业领域中都具有非常广泛的应用, He资源的短缺和需求的不断增长使得He分离具有极其重要的意义.石墨烷合成简单、晶体结构稳定,是一种用于构建气体分离膜的潜在理想二维材料.本文通过第一性原理计算,对四种具有不同尺寸冠醚孔的石墨烷膜(crown ether graphane-n, CG-n,n=3, 4, 5, 6)的He分离性能进行了研究.计算结果表明,四种冠醚石墨烷结构都具有较高的热力学、化学稳定性,并且CG-5和CG-6具有合适的孔径,可用于He的有效筛分.在11种气体分子(He, Ne, Ar, H₂, CO,NO, NO₂, N2, CO₂, SO₂和CH₄)中, He最容易通过CG-n膜,其能垒分别为4.55, 1.05, 0.53和0.01 eV.据我们所知, He通过CG-6的能垒是迄今为止报道的最低值,将可显著地提升He的分离效率.基于阿伦尼乌斯方程的选择性计算结果表明, CG-5在较宽的温度范围内(0—600 K)都表现出优异的He选择性...     

微乳液法合成白光LED NaLu(MO_4)_2:Eu~(3+)/Eu~(3+),Tb~(3+)(M=W,Mo)荧光粉

采用微乳液法制备Na Lu(WO4)2-x(Mo O4)x∶8%Eu3+(x=0,0.5,1.0,1.5,2.0)/y%Eu3+,5%Tb3+(y=1,3,5,7,9)系列荧光粉。通过X射线衍射(XRD)表征,所制样品的X射线衍射峰与标准卡片PDF#27-0729基本吻合,表明所制的样品为白钨矿结构,属于四方晶系。扫描电镜(SEM)显示制备的纳米粒子是梭子状的,粒径大约是110 nm。激发发射光谱显示,在Eu3+离子掺杂物质的量分数为8%时,Na Lu(WO4)(Mo O4)∶Eu3+发光强度最大。Na Lu(WO4)2-x(Mo O4)x∶8%Eu3+(x=0,0.5,1.0,1.5,2.0)荧光粉在nMo/nW比达到1∶1(x=1)时发光强度最大,强烈的红光发射表明该材料可用于白光LED材料。该荧光粉在268、394和466 nm波长光激发下分别发出橙红色、黄色和淡黄色光,可以满足不同光色需要。Na Lu(WO4)(Mo O4)∶y%Eu3+,5%Tb3+(y=1,3,5,7,9)荧光粉,随着y值增大,从绿光区(x=0.278,y=0.514)进入白光区(x=0.356,y=0.373),(x=0.278,y=0.313),同时观察到Tb3+到Eu3+有效能量传递。     

Ti掺杂NbSe2电子结构的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法, 计算了理想2H-NbSe₂和Ti掺杂2H-NbSe₂晶体的几何结构及电子结构; 对掺杂前后超胞的能带图、态密度及分波态密度图进行了分析. 结果表明, 掺杂后费米能级附近能量区域的电子态密度出现了较高的峰值, 且费米能级位置发生了改变. 理论上可以认为Ti的掺杂会使得NbSe₂的导电性增强, 有利于开发新型的电接触复合材料.