三苯胺类自供能电致变色材料合成及器件开发

设计并合成了一种新型三苯胺衍生物: (4-((4-(二甲基氨基)苯基)(苯基)氨基)苄基)膦酸, 并研究了它的光谱电化学性质和光伏性质. 光谱电化学谱图表明该化合物具有电致变色性能: 通过施加不同电压, 该化合物薄膜可以在透明态和着色态之间转换, 且在629 nm处透过率对比度达到最大, 为64.2%. 由该材料组装成的自供能电致变色器件具有光伏性能, 光电转化效率可以达到0.32%. 和传统的光电变色器件相比, 该新型器件具有结构简单、制备成本低廉、绿色环保等特点, 预计在建筑、汽车、显示器等领域将有广泛的应用.     

P{VDF—TrFE）纳米纤维薄膜的柔性压力传感器

采用静电纺丝方法制备了不同含量的偏氟乙烯和三氟乙烯的共聚物（P（VDF—TrFE））纳米纤维薄膜。通过P（VDF—TrFE）纳米纤维薄膜和柔性电极的结合，设计制作了一种针对医疗和服饰等领域应用的新型柔性压力传感器。利用扫描电镜和X射线衍射分析的方法分别对P（VDF—TrFE）纳米纤维的形貌和晶体结构进行了表征，并通过自制的测试系统获得了柔性压力传感器的灵敏度。结果表明：静电纺丝得到的纳米纤维具有较高的结晶度和β相结晶含量，其中P（VDF—TrFE）（n（VDF）／n（TrFE）=77／23）纳米纤维的口相结晶含量达到了51．3％，同时这种纳米纤维薄膜具有柔软、透气和生物相容性好等优点；基于电纺纳米纤维的柔性压力传感器具有良好的响应性能。P（VDF—TrFE）（T／（VDF）／n（TrFE）=77／23）压力传感器具有最高为60．5mV／N的灵敏度，接近于其塑性薄膜传感器，但塑性薄膜传感器的柔软性和透气性较差     

芯片叠层封装工艺技术研究

随着大量电子产品朝着小型化、高密度化、高可靠性、低功耗方向发展,将多种芯片封装于同一腔体内的芯片叠层封装工艺技术将得到更为广泛的应用,其封装产品的特点就是更小、更轻盈、更可靠、低功耗。芯片叠层封装是把多个芯片在垂直方向上堆叠起来,利用传统的引线封装结构,然后再进行封装。芯片叠层封装是一种三维封装技术,叠层封装不但提高了封装密度,降低了封装成本,同时也提高了器件的运行速度,且可以实现器件的多功能化。随着叠层封装工艺技术的进步及成本的降低,多芯片封装的产品将更为广泛地应用于各个领域,覆盖尖端科技产品和应用广大的消费类产品。     

红外探测器集成图像信号处理芯片设计

在红外信号处理中,红外探测器原始输出图像存在非均匀性严重、噪声大、对比度低等问题,无法满足武器装备对图像质量的要求。为解决红外图像信号数据量大、算法复杂、系统实时性强等系列问题,研制红外探测器集成图像信号处理电路,以减小体积、降低功耗、提升性能。     

获得高性能电致变色薄膜的ITO表面修饰方法

氧化铟锡玻璃(ITO)以其优良的导电性能和透过率以及相对低的反应活性使其在显示器和电致变色器件中有广泛的应用. 然而, ITO表面的金属氧化物基团也带来了一些问题, 如通过物理方法沉积的电致变色薄膜易从ITO基底上脱离, 从而降低器件寿命, 此种问题在使用液体电解质时显得尤为突出. 为此, 我们利用有机酸小分子对ITO基底表面进行修饰, 继而利用电化学沉积的方法制备聚3,4-(2,2-二甲基丙烯二氧基)噻吩电致变色薄膜. XPS结果表明基底与修饰物间以化学键结合, 超声波处理可以看出电致变色薄膜在修饰后的基底上有更好的稳定性. 本研究提供了一种简单易行的方法来获得高性能的高分子电致变色薄膜.     

可吸附紫精化合物电致变色器件

研究报道了一种基于可吸附的固态紫精化合物电致变色器件. 我们设计并合成了一种新型可吸附的不对称紫精化合物,其一端引入三苯胺基团用以修饰紫精化合物的电致变色性质,另一端引入膦酸基团使其固定于电极上,以提高变色速度,增加器件稳定性. 将所合成的材料应用于器件中,得到了高透过差值和高稳定的电致变色器件. 我们利用紫外-可见-红外分光光度计、电化学工作站以及CIE 1931 %Y_Lxy色度系统对其电致变色性能以及颜色进行了表征.     

半导体AuSn焊料低温真空封装工艺研究

介绍了半导体金锡(AuSn)焊料焊接封装的影响因素:焊接气氛、镀金层、焊料,在低温真空焊接封装的基础上,重点探讨了AuSn焊料真空钎焊封装的影响因素、AuSn焊料本身的组分比及其浸润性等对焊接封装的影响、AuSn焊料真空焊接封装炉温曲线设置及焊接温度和时间的正交实验、AuSn焊料真空焊接封装中真空度的影响因素、真空度对...     

LIGA工艺技术研究

本文论述了标准LIGA技术的工艺过程，对重点工序进行了总结并阐明其工艺要点。介绍了近年发展起来的准LIGA工艺技术，同时重点研究了利用我所薄膜线工艺手段就能加工的UV-LIGA工艺和能制作自由摆动、旋转、直线运动的可动微结构的SLIGA工艺，最后提出了LIGA技术的优缺点和技术难点。     

粘片烘干工艺中管壳内引线沾污问题探析

对粘片烘干工艺过程中各种工艺条件及工艺材料进行分析,找出影响内引线沾污问题的原因,通过理论和实验研究,找到最佳的工艺条件,并指出材料因素会对粘片烘干工艺产生较大影响。     

薄膜全耗尽SOI CMOS工艺技术研究

对1．2μ薄膜全耗尽SOI CMOS(TFD SOI CMOS)器件和电路进行了研究，硅膜厚度为80nm。器件采用LDD结构，以提高击穿电压、抑制断沟道效应和热载流子效应；对沟道掺杂能量和剂量进行了摸索，确保一定的开启电压和器件的全耗尽；为了减小“鸟嘴”，进行了PBL(Poly-Buffered LOCOS)隔离技术研究；溅Ti硅化物技术，使方阻过大问题得以解决。经过工艺流片，获得了性能良好的器件和电路。