一款W波段GaN HEMT高谐波抑制八次倍频器MMIC

报道了一款采用0.1μm GaN HEMT工艺制作的W波段八次倍频器芯片。该芯片集成了3个二次倍频器和1个驱动放大器。二次倍频器采用有源平衡电路结构以实现较好的功率输出和有效的基波和奇次谐波抑制;驱动放大器采用单级负反馈电路结构,在实现良好输入输出匹配的同时兼顾增益平坦度。最终实现的八次倍频器芯片3 dB工作带宽为16 GHz(84～100 GHz),输出功率大于13 dBm,谐波抑制度大于40 dBc,带内谐波抑制度大于60 dBc。芯片面积3.6 mm×1.7 mm。     

微带线碳化硅E类功率放大器设计

SiC MESFET由于其高击穿电压和低输出电容,适合用于设计E类功率放大器.设计了一种结构简单的微带线拓扑E类负载网络,可以匹配至标准电阻,且抑制高至5阶的谐波.用ADS软件进行电路仿真,在2.14 GHz频率点下,峰值功率附加效率(PAE)为70.5%,漏极效率可达80%,功率增益约为10 dB.     

基于太阳能收集的宽频螺旋纳米天线设计EI北大核心CSCD

基于光的波动性,提出了一种用于太阳能收集的螺旋纳米天线结构,并利用时域有限差分法对其进行分析。该天线结构由两个共面的阿基米德螺旋臂及基底介质组成,分析了天线的辐射效率和极化特性。新的螺旋纳米天线在400~1600nm的波长范围内(占太阳总能量的85%)可获得高达74.49%的总辐射效率,高于先前学者提出的偶极子天线结构。同时,对于不同方向入射的线极化平面波,螺旋天线馈电间隙处可获得同等量级的局域电场增强,表明该天线能够兼顾太阳光的任意极化特性。     

一种喹啉类分子对硝基芳香化合物和阴离子的荧光传感研究

以2-(1H-苯并[d]咪唑基)-8-羟基喹啉和2-氯甲基吡啶盐酸盐为原料合成了一种喹啉类功能分子(BIPQ)S,相比其它有机溶剂,化合物BIPQ的N,N’-二甲基乙酰胺溶液在452 nm显示出最强荧光发射强度。化合物BIPQ对硝基芳香化合物和阴离子的荧光传感性能研究表明：硝基芳香化合物2,4,6-三硝基苯酚(TNP)和阴离子Cr₂O_72?^对BIPQ的荧光表现出明显的猝灭效应,其猝灭常数K_SV分别为5.9 × 10₃ L.mol_-1^和3.8 × 10₃ L.mol_-1^;抗干扰试验结果表明BIPQ在荧光检测TNP和Cr₂O_72?^过程中,分别对其它硝基芳香化合物和阴离子表现出很好的抗干扰能力;此外,本文还研究了化合物BIPQ有效荧光检测TNP和Cr₂O_72?^的溶液pH值范围,并将BIPQ用于实际水样中TNP和Cr₂O_72-^的荧光检测。     

具有随机效应的Wiener加速退化模型的可靠性研究

研究了有随机效应的Wiener退化模型基于加速退化数据的统计推断问题.利用广义枢轴量方法得到了模型参数和感兴趣可靠性指标的广义置信区间.说明了不含随机效应的Wiener退化模型的统计推断问题是有随机效应的Wiener退化模型的特殊情况.蒙特卡罗模拟结果显示文中提出的区间估计有较好的覆盖比例.最后利用LED加速退化数据说...     

黄体酮的合成工艺改进

以植物甾醇为原料,分离得豆甾醇(1); 1经沃氏氧化和臭氧化制得中间体孕甾-4-烯-3-酮-22-醛(3); 3经加成缩合并在CuCl催化下经空气氧化合成了黄体酮,总产率69.1%,其结构经¹H NMR和ESI-MS确证。     

C-DOCSIS系统的组网与建设

C-DOCSIS产品经过两年的发展,已趋于成熟,各地也开始了不同规模的部署。本文介绍了C-DOCSIS系统的架构,并根据南京C-DOCSIS的建设情况,探讨了几种C-DOCSIS组网架构及建设中的经验。