TiO2半导体薄膜的制备与特性

ＴｉＯ_２半导体薄膜的制备与特性徐明霞，徐廷献，刘宁（天津大学材料系天津３０００７２）关键词ＴｉＯ_２，半导体薄膜，制备ＴｉＯ２薄膜或涂层，作为优良的色材、氧敏传感器材料和湿式太阳电池的光电阳极材料具有广阔的应用前景［１～３］．传统制膜技术主要采用物理...     

氧化物高温超导陶瓷

本文介绍了高温超导陶瓷的发现、制备技术和有关提高材料T_c和J_c方面的研究成果,分析了影响J_c的因素及提高J_c的条件,展望了高温超导陶瓷的应用前景及对科学技术的重大影响。     

无机盐溶液源溶胶-凝胶法制备锶铋钽铁电陶瓷薄膜过程研究

采用可溶性无机盐Sr(NO₃)₂,Bi(NO₃)₃及HTaF6为原料,以柠檬酸、乙二醇及乙二胺四乙酸(EDTA)为络合剂,利用溶胶-凝胶旋转涂覆工艺,分别在Al₂O₃和Pt/Ti/SiO₂/Si的衬底上制备了SrBi₂Ta₂O₉(SBT)铁电陶瓷薄膜.采用SEM,XRD及FTIR等微观分析手段,对制备的SBT溶胶与薄膜过程机理进行了实验研究.结果表明,由无机盐溶液原料络合合成SBT溶胶是此方法制膜的关键,其中络合剂的种类、用量和pH值的控制等是重要的影响因素.制备了相组成均一、薄膜表面致密、均匀、无开裂、晶粒尺寸为150nm的多晶膜,获得了剩余极化(2P_r)与矫顽电场强度(2E_c)分别为9.6μC/cm²与76kV/cm铁电性能较好的薄膜材料.     

高温介质损耗的测量与计算

本文研究了在高频(1MHz)、高温(500℃)下采用直读式仪表测量介质损耗的方法和测量结果的修正原理,补充证明了于1986年实施的国家标准GB5594。4-85介质损耗角正切值测试方法中采用的修正公式,提出了在测量不同容量的试样时应予注意的问题。     

钛酸锶钡电介质材料的显微结构和基本性能

钛酸锶钡（BSTO）铁电材料在微波和信息等领域具有很大的优势和潜力，该文综述了该材料的结构和基本介电性能方面的研究情况，并重点讨论了BSTO材料中的晶粒尺寸效应，最后对在电场和频率作用下材料的特殊性能进行了简单介绍。     

SrBi4Ti4O15铁电薄膜的制备工艺及薄膜生长机理 研究

以氯化锶，硝酸铋和钛酸丁酯为原料，柠檬酸为络合剂，乙二醇为交联剂，无水乙醇为钛酸 丁酯的溶剂，盐酸为硝酸铋的溶剂，去离子水为氯化锶的溶剂，配制了稳定的SrBi_{4Ti4O15(SBTi)前驱液.采用溶胶凝胶工艺，在Pt/Ti/SiO2 /Si基片上制备了a轴取向增强的SBTi铁电薄膜.研究了一次性晶化快速退火工艺、两 层晶化快速退火工艺、逐层晶化快速退火工艺以及成膜次数对薄膜结晶性、微观结构和生长 行为的影响.实验结果表明，逐层快速退火工艺可有效抑制焦绿石相的形成；随着涂覆次数 的增加，薄膜的结晶性变好；由于SBTi晶体生长的各向异性及单层膜厚对晶体沿(119)方向 生长的限制，随着涂覆次数的增加，SBTi薄膜(119)峰和(200)峰的强度逐渐增大，而(00l) 峰的强度反而略有减小，从而使I(200)/I(119)，I(200)/I(0010)，I(119)/I(0010)逐渐增 大. 关键词： 铁电薄膜 钛酸锶铋 逐层快速退火工艺 生长行为}     

溶胶浸渍模板法制备有序多孔氧化钛、氧化锌薄膜

采用溶胶浸渍模板法制备了有序多孔的氧化钛(TiO₂)和氧化锌(ZnO)薄膜。首先，在洁净的玻璃基片上通过浸渍-提拉工艺组装有序的聚苯乙烯微球(PS)阵列模板；然后再采用溶胶浸渍法将TiO₂和ZnO溶胶灌充到PS模板微球的间隙内；最后通过煅烧去除PS而得多孔薄膜。采用SEM观察了薄膜的表面形貌，并用XRD对薄膜的性能进行了表征。结果表明，溶胶的浓度对薄膜形貌有着显著的影响。经煅烧后，TiO₂和ZnO薄膜分别为锐钛矿和六方纤锌矿结构。此外，对模板的组装及溶胶的灌注过程进行了分析。     

溶胶-凝胶法制备SrBi2Ta2O9铁电陶瓷薄膜

溶胶-凝胶法制备SrBi2Ta2O9铁电陶瓷薄膜     

Al2O3-SiO2系纳米粉的微观结构与红外发射特性

Al2O3-SiO2系纳米粉的微观结构与红外发射特性     

SrTiO3压敏电阻耐浪涌电流特性的研究

本文研究了用一次烧成法制备的Ｍｎ＾２＋和Ｃｕ＾＋为受主掺杂的ＳｒＴｉＯ３低压压敏电阻，在浪涌电流冲击后，其压敏和介电特性的变化规律及影响因此。证Ｃｕ＾＋掺杂的试样具有较高的耐浪涌电流能力。