排序方式: 共有5条查询结果,搜索用时 156 毫秒
1
1.
基于28 nm Polysion工艺,研究了在轻掺杂源漏区(LDD)提升掺杂浓度与掺杂碳源对PMOS器件的影响。实验结果表明,掺杂碳原子可以有效抑制硼的瞬时增强扩散效应(TED),并有效降低器件结深,降低漏电流。在P型轻掺杂源漏区(PLDD)提升掺杂浓度,可以有效提高电路速度,但会导致更严重的硼扩散与漏电流。通过研究不同浓度的碳原子与PLDD浓度对器件的影响,选取合适的碳源掺杂浓度并提高PLDD的掺杂浓度,在同样饱和电流的情况下器件具有更小的漏电流,可以提升PMOS器件的饱和电流与漏电流(Ion-Ioff)性能约6%。 相似文献
2.
在对RFID有源电子标签节能常规解决方法中存在的弊端进行分析的基础上,提出了利用感应器切换RFID有源电子标签的工作模式和对RFID有源电子标签根据不同应用场景设置不同休眠策略的办法,有效减少RFID有源电子标签射频发送次数,达到节约能量的一种新的节能技术。以典型应用详细说明了电子标签进出出入口方向的准确判定和休眠时间策略设置方法,并介绍了在重要物品管控系统中利用新节能技术研发的感应器、RFID有源电子标签的功能、组成、软件设计,从而验证新的节能技术能应用于RFID有源电子标签系统中。 相似文献
3.
4.
5.
1