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成功地试制出薄虚拟SiGe衬底上的应变Si pMOSFETs.利用分子束外延技术在100nm低温Si(LT-Si)缓冲层上生长的弛豫虚拟Si0.8Ge0.2衬底可减薄至240nm.低温Si缓冲层用于释放虚拟SiGe衬底的应力,使其应变弛豫.X射线双晶衍射和原子力显微镜测试表明:虚拟SiGe衬底的应变弛豫度为85%,表面平均粗糙度仅为1.02nm.在室温下,应变Si pMOSFETs的最大迁移率达到140cm2/(V·s).器件性能略优于采用几微米厚虚拟SiGe衬底的器件. 相似文献
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低温制备应变硅沟道MOSFET栅介质研究 总被引:1,自引:0,他引:1
分别对300 °C下采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)和700 °C下采用热氧化技术制备应变硅沟道MOS器件栅介质薄膜进行了研究.采用PECVD制备SiO2栅介质技术研制的应变硅沟道PMOSFET(W/L=20 μm/2 μm)跨导可达45 mS/mm(300 K), 阈值电压为1.2 V;在700 °C下采用干湿氧结合,制得电学性能良好的栅介质薄膜,并应用于应变硅沟道PMOSFET(W/L=52 μm/4.5 μm)器件研制,其跨导达到20mS/mm(300 K),阈值电压为0.4 V. 相似文献