DOE技术在低电压CMOS晶体管中的质量控制

采用DOE(Design of Experiment)试验方法进行了CMOS晶体管工艺流片的分卡操作,研究18个样品的Vt区注入Dvt、N场注入DNF、TEMP注入DP这3种注入剂量变化的情形下阈值电压Vtn和Vtp的调控优化值。通过最大跨导法测试阈值电压Vtn和Vtp,考查3种注入剂量对Vtn和Vtp的影响趋势,发现Dvt和DNF直接决定Vtn,Dvt和DP直接决定Vtp。结果表明,Vtn为0.082 V~0.600 V,关系式为Vtn=0.15791Dvt+0.12320DNF+0.11433;Vtp为0.0535 V~0.6300 V,关系式为V2tp=-0.03077D2vt-0.01688D2P+0.71899。