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许淼 殷华湘 朱慧珑 马小龙 徐唯佳 张永奎 赵治国 罗军 杨红 李春龙 孟令款 洪培真 项金娟 高建峰 徐强 熊文娟 王大海 李俊峰 赵超 陈大鹏 杨士宁 叶甜春 《半导体学报》2015,36(4):044007-4
文章研究了亚 20nm 节点后栅工艺体硅 FinFET PMOS 器件制作过程中一系列工艺参数对器件微缩的影响。实验结果表明细且陡的梯形Fin结构有更好的性能。文章针对穿通阻挡层(PTSL) 和轻掺杂源漏扩散区 (SDE)的注入条件也进行了仔细地优化。SDE之后没有热退火过程的器件由于在源漏退火之后有更好的晶格再生因而拥有更大的驱动电流。带边功函数器件能够改善短沟道效应,而带中功函数具有更大的驱动电流。器件在微缩过程中针对金属栅的有效功函数需要折衷选择。 相似文献
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