全文获取类型
收费全文 | 71篇 |
免费 | 60篇 |
国内免费 | 9篇 |
专业分类
化学 | 12篇 |
物理学 | 118篇 |
无线电 | 10篇 |
出版年
2021年 | 1篇 |
2017年 | 2篇 |
2016年 | 2篇 |
2014年 | 6篇 |
2013年 | 1篇 |
2012年 | 2篇 |
2011年 | 5篇 |
2010年 | 4篇 |
2009年 | 8篇 |
2008年 | 7篇 |
2007年 | 6篇 |
2006年 | 11篇 |
2005年 | 4篇 |
2004年 | 5篇 |
2003年 | 4篇 |
2002年 | 4篇 |
2001年 | 9篇 |
2000年 | 10篇 |
1999年 | 4篇 |
1998年 | 3篇 |
1997年 | 2篇 |
1996年 | 3篇 |
1995年 | 5篇 |
1994年 | 4篇 |
1993年 | 1篇 |
1991年 | 3篇 |
1989年 | 3篇 |
1988年 | 2篇 |
1987年 | 4篇 |
1986年 | 4篇 |
1985年 | 2篇 |
1983年 | 1篇 |
1981年 | 2篇 |
1978年 | 3篇 |
1975年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
1956年 | 1篇 |
排序方式: 共有140条查询结果,搜索用时 394 毫秒
1.
2.
一种新型平板彩色显示器件的制备和光谱分析 总被引:1,自引:1,他引:0
以MEH-PPV(聚[2-甲氧基-5-(2′-乙基己氧基-对苯乙烯)])和Alq3作为发光层, 成功制备出ITO/SiO2/MEH-PPV/SiO2/Al结构和ITO/SiO2/Alq3 /SiO2/Al结构的固态阴极射线器件。通过分析SSCL光谱,认为这些高速电子激发有机材料后形成Frenkel激子。当器件两个电极之间加的电压比较低时,有机薄膜层的场强也比较低,这些激子被解离的概率很小,从而产生的是激子发光的长波发射;当器件两个电极之间加的电压比较高时,有机薄膜层的场强很高, 在有机层形成的激子大部分被解离, 解离后的电子直接跃迁至LUMO(lowest unoccupancied molecular orbit),这些电子弛豫后从LUMO能级到HOMO(highest occupancied molecular orbit )能级直接辐射跃迁, 接着重新复合发光,从而产生短波发射。制作的固态阴极射线器件可以实现全色发光, 提高发光效率和加强蓝光发射。作者可以预期所研制出的这种SSCL器件必将引发平板显示领域一场新的革命性变革。 相似文献
3.
Ga3+对Ce3+光致发光的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
研究了Ga3+在SrS∶Ce和SrGa2S4∶Ce薄膜电致发光(TFEL)材料中的作用及其对Ce3+发光特性的影响。在SrS中掺入Ga2S3并烧结,发现Ga3+的浓度增加时,Ce3+的发光显著向短波方向移动,激发谱中对应于SrS带间吸收的激发峰相对减弱,而对应于Ce3+的基态到激发态跃迁的激发效率相对提高,并出现逐渐增强的SrGa2S4的带间吸收。Ga3+的引入使Ce3+周围的配位场发生变化,相应的能级分布有所改变,Sr2+离子性的增强和Ce3+-Ce3+相互作用的减弱对Ce3+发光特性有显著影响。 相似文献
4.
5.
上世纪80年代初,我负责组织我国光电显示材料和器件的研制,因而有机会认识当时正从事液晶物理研究的张树霖同志.90年代初,我培养的一个博士,在他的指导下完成了相当出色的博士后研究,这使我开始对张树霖教授所从事的低维半导体的拉曼光谱学研究工作产生了兴趣,并一直加以关注和了解. 相似文献
6.
Characteristics of pentacene organic thin film transistor with top gate and bottom contact
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理 B》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
High performance pentacene organic thin film transistors (OTFT) were
designed and fabricated using SiO2 deposited by electron beam
evaporation as gate dielectric material. Pentacene thin films were
prepared on glass substrate with S--D electrode pattern made from ITO
by means of thermal evaporation through self-organized process. The
threshold voltage VTH was --2.75± 0.1V in 0---50V
range, and that subthreshold slopes were 0.42± 0.05V/dec. The
field-effect mobility (μEF) of OTFT device increased with
the increase of VDS, but the μEF of OTFT device
increased and then decreased with increased VGS when VDS was kept constant. When VDS was --50V, on/off current
ratio was 0.48× 105 and subthreshold slope was 0.44V/dec.
The μEF was 1.10cm2/(V.s), threshold voltage
was --2.71V for the OTFT device. 相似文献
7.
早期观察到的发光现象既有分立中心的发光,也有离化了的自由载流子参与的复合发光.在发现掺杂的重要性后,绝缘体及半导体内分立中心的发光研究得到了很大的发展。结合灯粉及电子束管的需要,应用了晶体场理论和分子轨道理论,发展了能量输运理论、电声子耦合理论及荧光谱线窄化技术[1]等.相形之下,复合发光的研究就较少,以从禁带至导带跃迁中能量最低的激子而言,起初只是研究它的吸收,从七十年代才开始研究它的发光.但是,复合发光和分立中心的发光相比,既不受杂质浓度及杂质激发态寿命的限制,又有较宽的能量状态,变化范围也较大[2].近年来,它… 相似文献
8.
9.
10.
在聚合物电致发光器件中,通过在不同功能层中掺杂二氧化钛纳米管来改善器件的性能.由于二氧化钛纳米管具有p型传导特性,可以显著增大空穴传输层中载流子的迁移率.由于二氧化钛纳米管在发光层中可以增大发光材料分子的刚性,从而减少无辐射跃迁.当把二氧化钛纳米管掺杂到空穴缓冲层中时,由于其与有机分子的强相互作用,一方面降低了空穴的传导性,同时也减少了界面淬灭发光的缺陷态的产生.
关键词:
二氧化钛纳米管
聚合物电致发光
掺杂 相似文献