医用射频设备增速回升超声设备前景乐观

2007年,在我国经济快速发展,人民健康意识显著提高、医疗保险政策逐步向好等利好的推动下,中国医疗电子市场持续增长,其规模达到247.3亿元,同比增长17.3%.细分市场中,电子仪器及设备、射频仪器、超声仪器、激光仪器及设备、生化分析仪这五大产品也呈现不同的发展态势.其中,医用电子产品份额仍然稳居首位、医用射频设备增速回升、医用超声波设备前景乐观.     

IP／MPLS流量标识与业务质量控制

QoS的设计已经成为现代IP／MPLS网络设计中的重要环节。本文帮助读者了解标准QoS模型与网络演进，理解ToS标记，并介绍阿尔卡特朗讯业务路由器是如何来提供用户业务流量的识别与QoS控制的。     

三大阵营分踞MEMS市场本土企业任重道远

作为半导体领域最为前沿的领域之一,从20世纪80年代末开始,MEMS产品因其广泛的应用领域及其独特的性能而开始受到业界的广泛关注.在信号处理技术快速发展但信号收集技术却相对滞后的现状下,用于信号采集的MEMS技术也被认为是当下最具发展前景和最具市场价值的高科技技术之一.MEMS市场良好的发展前景和可观的市场利润也吸引到各路厂商的积极进入,MEMS市场和产业格局也因此日益丰富和多元.     

研究性学习的选题案例

案例1　关于货物包装设计的研究.高中数学课本(试验修订本—必修)《不等式》一章的引言中提出如下问题:“某工厂要建造一个长方体的无盖贮水池,其容积为4 80 0平方米,深为3米.如果池底每平方米的造价为1 50元,池壁每平方米的造价为1 2 0元,问怎样设计能使总的造价最低?”课本提出这个问题,旨在为学习不等式的必要性提供铺垫.以此为引子,可提出这个研究性学习课题.在课题方案中,要求学生通过实际调查写出自己的研究论文,并列出下列问题供学生参考:1 )请你实际测算一下健力宝饮料罐的包装是否是最节约成本的设计?2 )猫在冬天为什么总缩成一团?…     

集成电路技术和产业发展现状与趋势

论述了集成电路(IC)产业的技术现状、发展周期、驱动因素以及发展模式变迁,介绍了我国IC技术、产业和政策现状,指出未来IC技术将沿着摩尔定律和超摩尔定律前进。在新兴市场的带动下,IC产业规模将继续扩大,IC对经济和社会发展的支撑引领作用进一步凸显。     

Integration of GaN thin films with silicon substrates by fusion bonding and laser lift-off

GaN thin films grown on sapphire substrates by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) are successfully bonded and transferred onto Si receptor substrates using fusion bonding and laser lift-off (LLO) technique. GaN/Al_2O_3 structures are joined to Si substrates by pressure bonding Ti/Au coated GaN surface onto Ti/Au coated Si receptor substrates at the temperature of 400℃. KrF excimer laser with 400-mJ/cm~2 energy density, 248-nm wavelength, and 30-ns pulse width is used to irradiate the wafer through the transparent sapphire substrates and separate GaN films from sapphire. Cross-section scanning electron microscopy (SEM) combined with energy dispersive X-ray spectrometer (EDS) measurements show that Au/Si solid solution is formed during bonding process. Atomic force microscopy (AFM) and photoluminescence (PL) measurements show that the qualities of GaN films on Si substrates degrade little after substrates transfer.     

双层金属布线中隔离介质淀积工艺研究

隔离介质淀积是微波硅功率器件双层金属布线工艺中的核心工序.从隔离介质结构层次的选取入手,通过理论分析,选取SiO2-Si2N4两层介质为最佳隔离介质结构;着重对隔离介质淀积工艺进行深入研究.通过实验对比分析,确定芯片的隔离介质淀积工艺条件,从而避免光刻胶、腐蚀液等物质残留在芯片内部,提高双层金属布线的可靠性.     

GaAs PHEMT超宽带六位数控延时器芯片

研究了数控延时器(TTD)芯片的基础原理,基于GaAs PHEMT工艺,设计了一款超宽带数控延时器芯片,该芯片具有超宽带、大延时量和小尺寸等优点,主要用于有源相控阵雷达中。微波在片测试系统对该6位延时器芯片实际测试结果显示,在3~17 GHz范围内,延时调节范围为10~630 ps,64态延时均方根(RMS)误差小于8 ps,全态插入损耗小于22 dB,插损波动小于±1 dB,全频带输入输出电压驻波比(VSWR)小于1.7,整个芯片尺寸仅为4.0 mm×2.6 mm×0.07 mm。实测结果与理论仿真结果吻合良好。     

AxMn1-xFe2O4铁氧体(A=Zn,Ni)中阳离子的占位有序化行为研究

基于尖晶石晶体结构信息,本文采用热力学三亚晶格模型,将材料热力学计算和第一性原理计算相结合,研究了Zn_xMn_(1-x) Fe_2O_4和Ni_xMn_(1-x)Fe_2O_4立方相中的Zn~(2+)、Ni~(2+)、Mn~(2+)以及Fe~(3+)在8a和16d亚晶格上的占位有序化行为。结果表明:在锰铁氧体中,室温下Mn~(2+)完全占据在8a亚晶格上,Fe~(3+)完全占据在16d亚晶格上,属于正尖晶石结构;随着热处理温度升高,在1 273 K达到热处理平衡时的占位构型为(Fe~(3+)0.09Mn~(2+)0.91)[Fe~(3+)1.91Mn~(2+)0.09]O_4,在热处理温度升至1 473 K时,达到热处理平衡时的占位构型为(Fe~(3+)0.11Mn~(2+)0.89)[Fe~(3+)1.89Mn~(2+)0.11]O_4,均与实验结果符合较好。在锌铁氧体中,室温下Zn~(2+)完全占据在8a亚晶格上,Fe~(3+)完全占据在16d亚晶格上,属于正尖晶石结构;在热处理温度较高时,Zn~(2+)和Fe~(3+)发生部分置换,符合实验结果。在镍铁氧体中,半数的Fe~(3+)在室温下占据在8a亚晶格上,Ni~(2+)与剩下另一半的Fe~(3+)共同占据在16d亚晶格上,仅在热处理温度较高的时候发生微弱变化,亦与已有的实验结果吻合。在此基础上,本文进一步通过热力学模型研究了立方相尖晶石结构的Zn_xMn_(1-x)Fe_2O_4、Ni_xMn_(1-x)Fe_2O_4复合体系中阳离子占位行为与热处理温度对占位的影响规律。     

基于支持向量机估算大气光学湍流廓线的研究

主要利用支持向量机的机器学习方法开展估算大气光学湍流廓线的研究。通过选取沿海地区实测探空数据,利用温度、压强、相对湿度、风速、风速切变和温度切变实测廓线数据,依据支持向量机估算得到不同日期的大气光学湍流廓线,并与实际测量值进行比较。误差分析结果表明:在2018-05-05和2018-05-10,估算的大气光学湍流廓线与实际测量廓线的均方根误差分别为0.4461和0.3939,相关性分别为70.42%和62.17%。研究证明:根据实测数据训练学习得到的支持向量机模型能够较为准确地估算沿海地区大气光学湍流廓线,虽有一定误差,但大致趋势吻合,验证了支持向量机方法估算大气光学湍流廓线的可行性,从而为利用常规气象探空数据直接估算大气光学湍流廓线,并为建立相关模式的可能性打下基础。