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绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片的静态输出曲线是考核其能量损耗及指导多芯片并联设计的重要指标之一。现有测量IGBT静态输出曲线的方法多采用商用化的功率器件分析仪,然而商业化功率器件分析仪存在价格昂贵、夹具单一的问题。亟需开发一种简单、快速、有效的静态输出曲线测量方法。面向高压IGBT芯片,提出一种新的静态输出曲线连续测量方法及测试电路,有效减小了IGBT芯片的电导调制效应和温升效应对静态输出曲线的影响。通过实时测量动态过程中的电压及电流,可以快速得到IGBT芯片静态输出曲线。通过对比本文连续法与功率器件分析仪的测量结果,证明了所提方法的有效性。 相似文献
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通过酸洗、硅烷偶联剂表面活化、键合苯甲酰异硫氰酸酯对蒙脱土进行改性,制得新型固相萃取(SPE)材料。 采用红外光谱、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱表征了改性蒙脱土的结构和形貌。 考察了制备的SPE填料对水中As3+、Bi3+、Cu2+、Sb3+、Sn2+和Pb2+的吸附性能,确定了最佳固相萃取条件,对6种金属离子吸附容量分别为10.83、11.92、12.67、10.43、10.01及10.54 mg/g。 通过SPE与电感耦合等离子体质谱联用测定了样品中As3+、Bi3+、Cu2+、Sb3+、Sn2+和Pb2+ 6种重金属离子的含量,检出限分别为0.024、0.013、0.075、0.037、0.011和0.064 μg/L。 相似文献
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用基于第一性原理的密度泛函理论方法,对Cs3Bi2X9(X=Cl、Br、I)的光电特性进行理论计算,并系统阐述这3种晶体的表面效应对光电性能的影响。结果表明,3种材料的光学特性由铋原子和卤素原子最外层p轨道上的价电子主导。在可见光区中,材料的吸收峰会随卤素原子序数的增加呈现红移,其中一维结构的Cs3Bi2Cl9表面结构在光吸收能力上尤为特别且敏感;二维结构的Cs3Bi2Br9光吸收能力会受厚度影响;零维结构的Cs3Bi2I9非常稳定,且几乎不受表面特性和晶体厚度的影响。 相似文献
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Ce1-xGdxO2-x/2的溶胶-凝胶法合成及其性质 总被引:14,自引:0,他引:14
利用溶胶-凝胶法合成了Ce1-xGdxO2-x/2(x=0.1~0.6)系列固体电解质,系统地研究了其结构、热膨胀系数和导电性.XRD结果表明,160℃即完全形成立方萤石结构.由于溶胶-凝胶法合成的物质粒度均匀,颗粒小,故在较低温度(1300℃)时即可形成高致密样品,此温度明显低于传统的高温固相法烧结温度(1600~1650℃).高温X射线衍射测得Ce0.8Gd0.2O1.9的热膨胀系数为8.125×10-6K1.阻抗谱表明,溶胶-凝胶法合成可减少或消除固体电解质的晶界电阻,600℃时Ce0.8Gd0.2O1.9的电导率为5.26×10-3S/cm,活化能Ea=0.82eV. 相似文献
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本文提出基于GA-LS指数衰减正弦信号的参数估计方法,根据系统模型特性将待估计参数分成两类,非线性类和线性类,将遗传算法和最小二乘法估计结合起来对参数进行估计。在观察与分析信号的频域特征后,确定各非线性部分的参数范围,采用遗传算法在参数空间里搜索,再用当下最优的非线性类参数,通过最小线性二乘法确定线性类参数。通过缩小了遗传算法的搜索空间维数,考虑了系统的线性部分参数间的约束关系,达到提高参数的搜索效率,提高参数的估计精度。大量仿真实验表明算法收敛速度优于标准遗传算法,精度高。用于估计冲击实验的采集信号满足实际需要。 相似文献
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本文基于H∞控制理论研究了传感器和作动器非同位配置情况下,柔性悬臂梁的多模态振动抑制问题。采用频域辨识方法获取低阶名义模型,合理选取加性不确定权函数和性能权函数,将鲁棒H∞控制问题转化为标准H∞控制问题。为了避免H∞控制器设计过程中产生的零极点对消问题,在求解过程中引入区域极点约束。比较了鲁棒H∞控制器和不考虑高阶未建模动态的非鲁棒H∞控制器的控制效果,实验结果表明,设计的鲁棒H∞控制器能够有效抑制柔性梁的前三阶模态振动,而且不会发生溢出问题。 相似文献
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