校园网在OPNET中的仿真实现

校园网规模不断扩大,校园网结构需要不断分析优化.网络仿真是网络技术发展研究和预测网络性能的科学工具,可以模拟现实网络,有效地提高网络设计的可靠性和准确性,整合网络资源,降低成本.     

审查员眼中的专利与标准

从专利审查员的角度剖析了专利和标准的内在关系及我国的现状，并且提出了不同层面可以采取的措施建议。     

基于ADSP的分段脉冲压缩应用

论述了基于群时延的分段脉冲压缩机理，并简要介绍了ADSP2106x系列的特征，以及在基于ADSP21062的应用中分段脉压的工程实现方法和仿真结果。     

分布式干扰系统对单部雷达干扰暴露区的算法及相关研究

分布式干扰系统在当代电子战中的作用越来越重要。利用干信比通过干扰方程对分布式欺骗干扰及噪声干扰的效果进行了计算及研究,对于评估干扰机的干扰效能、计算雷达的探测范围有着重要意义。     

超高效液相色谱-线性离子阱/静电场轨道阱高分辨质谱鉴别纺织品中禁用芳香胺及其异构体

针对目前纺织品中禁用偶氮染料检测中的假阳性问题,建立了一套应用超高效液相色谱-线性离子阱/静电场轨道阱高分辨质谱（UPLC-LTQ/Orbitrap）同时筛选24种禁用芳香胺及其常见的14种异构体的方法。样品经连二亚硫酸钠还原,叔丁基甲醚提取后,以水/甲醇（9/1,v/v）稀释定容,用ZORBAX SB-C₁₈色谱柱（150 mm×2.1 mm,5 μm）分离,以0.1%甲酸水溶液和甲醇为流动相,电喷雾正离子（ESI⁺）模式电离。以准分子离子峰的精确质量数和保留时间定性,以提取的色谱图峰面积定量。38种芳香胺的线性相关系数大于0.99,方法检出限为0.5~5 μg/kg。该方法可通过一次实验同时对24种禁用芳香胺及其常见的14种异构体准确定性定量,大大缩短检测周期,实际样品检测也进一步验证了其灵敏性和准确性。     

自主品牌崛起,填补国内空白——专访福川科技有限公司总经理姜克建

苏州市福川科技有限公司成立于1999年4月,主要从事数字化广播、电视设备的研发、生产和推广,同时为各级广播电视机构提供系统集成和技术服务。在BIRTV2012展会上,《电声技术》记者有幸采访了福川科技有限公司总经理姜克建先生,就公司的发展过程、研发及销售情况等方面的问题给我们一一作     

抗野值Kalman滤波在靶场测量数据处理中的应用

在无人机飞行参数测量中,由于杂波等各种偶然因素的影响,往往使测量数据中存在着大量的野值,从而造成测量数据的严重失真甚至使滤波过程发散.通过对测量数据新息序列的分析,提出了野值判定的方法,并通过对新息序列进行修正来消除野值的影响.Matlab仿真的结果表明该方法可以有效判别和修正野值,提高了滤波精度.     

晶格畸变检测仪研究碳化硅晶片中位错缺陷分布

利用晶格畸变检测仪研究了SiC晶片位错分布情况,通过对熔融KOH腐蚀后的SiC晶片进行全片或局部扫描,从而得到完整SiC晶片或局部区域的位错分布.与LEXT OLS40003D激光共聚焦显微镜扫描腐蚀图进行比较,晶格畸变检测仪扫描腐蚀图可以将晶片上位错腐蚀坑信息完全呈现出来,且根据腐蚀坑呈现的颜色及尺寸大小,可以分辨出...     

3英寸6H-SiC单晶的生长

SiC是宽带隙半导体材料的典型代表,具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,因此高质量、大直径SiC单晶的生长一直是材料研究领域的热点课题。目前美国的Cree公司在SiC单晶生长领域研发方面起步早、投入大,SiC单晶的直径达到4英寸,处于领先地位。我国在“十五”期间投入了一定的人力、物力进行了SiC单晶生长的研究,在生长2英寸SiC单晶的工作中取得了一定的成绩[1],但更大直径的SiC单晶生长技术进展缓慢,至今未见国内报道。而对…     

以(10■5)面为籽晶的6H-SiC单晶生长与缺陷研究

本文以升华法实现了以(10(1)5)面为籽晶的6H-SiC单晶扩径生长,获得最大直径达33 mm的6H-SiC单晶.采用光学显微镜观察晶体纵切片,发现源于包裹体的沿生长方向延伸的微管发生转弯现象,转向后在(0001)面内延伸,同时籽晶内沿c轴延伸的微管也终止于生长界面.通过光学显微镜观察单晶生长表面形貌,发现(101n)面生长,随着n的增大层错密度逐渐减小,这与横切片的腐蚀结果相对应;随着微管的终止和层错的减少得到了无微管的高质量单晶区.