高气压反射式高能电子衍射仪监控脉冲激光外延氧化物薄膜

在超高真空分子束外延（MBE）生长技术中，反射式高能电子衍射仪（RHEED）能实时显示半导体和金属外延生长过程，给出薄膜表面结构和平整度的信息，成为MBE必备的原位表面分 析仪.为了研究氧化物薄膜如高温超导（YBa₂Cu₃O₇） 、铁电薄膜（Sr_1-xBa_x TiO₃）及它们的同质和异质外延结构的生长机理，获得高质量的符合各种应用 需要的氧化 物多层薄膜结构，在常规的制备氧化 关键词： 高温超导薄膜 RHEED     

数据的安全策略和实现

计算机安全是当前信息社会非常关注的可题，而数据库系统更是担负着存储和管珲数据信息的任务，因而如何保证和加强其安全性，更是迫切需要解决的热门课题。下面将讨论数据库的安全策略，并简单介绍各种策略的实现方案。     

低温烧结改性PbTiO_3压电陶瓷材料的研究

研制了一种添加 Bi(Cd1 / 2 Ti1 / 2 ) O3、Mn O2 、Si O2 的新型低温烧结改性 Pb Ti O3压电陶瓷材料。实验发现 ,低熔物 Si O2 是影响烧结的主要因素 ,除能明显降低该材料烧结温度外 ,还能起掺杂改性作用。该材料具有低烧结温度、高压电活性、大压电各向异性、较高机械品质因数及低介电常数等优点。 96 0°C烧成时主要性能参数为 :厚度机电耦合系数 kt=0 .49;径向机电耦合系数 kp=0 .0 2 7;压电各向异性比 kt/ kp=18;压电应变常数 d33=6 5 p C.N- 1 ;机械品质因素 Qm=5 14;密度 ρv=7.4g.cm- 3;居里温度 TC=312°C;介电常数 εT33/ ε0 =177;介质损耗 tanδ=0 .6 3%。该材料在叠层压电滤波器和叠层压电降压变压器方面显示出很好的应用前景。     

对比生物体系以及合成体系中单核铜氧物种对碳氢键和氧氢键活化的理论研究展望

由于具有较好的催化性能,含过渡金属的酶一直备受研究者的关注.其中,铜作为生物体中含量仅次于铁和锌的过渡金属,在新陈代谢过程中发挥着重要作用.铜酶广泛存在于自然界中,该类生物大分子涉及电子转移、氧化还原、氧气的运输与活化等生物化学过程.多种铜酶在氧气活化方面表现出引人注目的 性质,例如:颗粒状甲烷单加氧酶(pMMO)、多...     

基于Arduino开发环境的光电编码器检测仪的设计

为了能快速简便地判断光电编码器的好坏,设计了一种基于Arduino新型集成开发环境的光电编码器检测仪,实现了Arduino板与可编程智能液晶触摸显示器终端的通信控制,完成了对光电编码器信号准确的计数,并能判断其好坏。检测仪操作简单方便,对于基于Arduino集成开发环境开发的产品具有一定的参考价值。     

Superconducting anisotropy and vortex pinning in CaKFe_4As_4 and KCa_2Fe_4As_4F_2

The vortex pinning determining the current carrying capacity of a superconductor is an important property to the applications of superconducting materials.For layered superconductors,the vortex pinning can be enhanced by a strong interlayer interaction in accompany with a suppression of superconducting anisotropy,which remains to be investigated in iron based superconductors(FeSCs)with the layered structure.Here,based on the transport and magnetic torque measurements,we experimentally investigate the vortex pinning in two bilayer FeSCs,CaKFe₄As₄(Fe1144)and KCa₂Fe₄As4F₂(Fe12442),and compare their superconducting anisotropyγ.While the anisotropyγ≈3 for Fe1144 is much smaller thanγ≈15 in Fe12442 around Tc,a higher flux pinning energy as evidenced by a higher critical current density is found in Fe1144,as compared with the case of Fe12442.In combination with the literature data of Ba_0.72K_0.28Fe2As₂ and Nd Fe As_O0.82F_0.18,we reveal an anti-correlation between the pinning energy and the superconducting anisotropy in these Fe SCs.Our results thus suggest that the interlayer interaction can not be neglected when considering the vortex pinning in Fe SCs.     

低温烧结改性PbTiO3压电陶瓷材料的研究

研制了一种添加Bi(Cd1/2Ti1/2)O3、MnO2、SiO2的新型低温结改性PbTiO3压电陶瓷材料,实验发现低熔物SiO2是影响烧结的主要因素,除能明显降低该材料烧结温度外,还能起掺杂性作用。该材料具有低烧结温度、高压电活性、大压电各向异性、较高机械品质因素及低介电常数等特点,960℃烧成时主要性能参数为：厚度机电耦合系数kt=0.49;径向机电耦合系数kp=0.027;压电各向异性比kt/kp=18;压电应变常数d33=65pC.N∧-1;机械品质因素Qm=541,密度ρv=7.4g.cm∧-3,居里温度Tc=312℃,介电常数ε∧T33/Eo=177,介质损耗tanδ=0.63%,该材料在叠层压电滤波器和叠层压电和压变压器方面显示出很好的应用前景。     

浅论综合网管

随着Ｉｎｔｅｒｎｅｔ的不断推广 ,计算机网络越来越成为人们所关注的全球性热点之一。计算机网络的广泛应用使得用户对网络的依赖性逐渐增大 ,计算机网络在人们生活中的地位将越来越重要。当前计算机网络的发展特点是 :网络规模不断扩大 ,复杂性不断增加 ,网络的异构性越来越强。一个网络往往由若干不同大小的子网组成 ,包括不同厂家的网络和通信设备 ,集成了多种ＮＯＳ平台等。随着用户对网络性能要求的提高 ,急需一个高效的网络管理系统对网络系统进行管理 ,以保证为广大用户提供满意的服务。网络管理是网络发展中的关键技术之一 ,对网络…     

Development of series SQUID array with on-chip filter for TES detector

A cold preamplifier based on superconducting quantum interference devices(SQUIDs)is currently the preferred readout technology for the low-noise transition edge sensor(TES).In this work,we have designed and fabricated a series SQUID array(SSA)amplifier for the TES detector readout circuit.In this SSA amplifier,each SQUID cell is composed of a first-order gradiometer formed using two equally large square washers,and an on-chip low pass filter(LPF)as a radiofrequency(RF)choke has been developed to reduce the Josephson oscillation interference between individual SQUID cells.In addition,a highly symmetric layout has been designed carefully to provide a fully consistent embedded electromagnetic environment and achieve coherent flux operation.The measured results show smooth V-Φcharacteristics and a swing voltage that increases linearly with increasing SQUID cell number N.A white flux noise level as low as 0.28μφ;/Hz;is achieved at 0.1 K,corresponding to a low current noise level of 7 pA/Hz;.We analyze the measured noise contribution at mK-scale temperatures and find that the dominant noise derives from a combination of the SSA intrinsic noise and the equivalent current noise of the room temperature electronics.