快速整流二极管的一种新结构

介绍了一种新型结构的整流二极管，即多晶硅／硅结构的二极管。从理论分析和实验结果表明，这种器件的反向恢复时间很短。     

掺硼多晶硅的制备及其电阻率

本文介绍采用APCVD方法制备了掺硼厚多晶硅膜,研究了影响掺硼多晶层的因素及其电阻率的分布,得到一组电阻率或淀积速率与温度、流量以及随位置参量x变化的关系曲线。     

新型大功率开关器件IEGT及其特性

介绍了一种新型大功率开关器件IEGT的结构,原理,通态特性,开关特性,开关效率以及有关工艺特点。     

半导体放电管多元胞结构模型

在半导体放电管的版面设计上提出了多元胞结构版图.对多元胞结构“短路模型”进行了理论分析和实验验证,结果表明合理设计多元胞版图尺寸和P基区薄层电阻可以改善器件的转折导通特性和提高器件的抗雷电浪涌能力,从而为简化半导体放电管生产工艺提供了依据.     

聚酰亚胺保护高压整流元件的试验

本文将聚酰亚胺 (PI胶)用于高压整流元件的表面保护,做了大量试验.试验结果表明,PI胶具有温度特性好、结构致密、可靠性好等优点.最后讨论了采用PI胶工艺的可靠性问题.     

半导体放电管多元胞结构模型

在半导体放电管的版面设计上提出了多元胞结构版图 .对多元胞结构“短路模型”进行了理论分析和实验验证 ,结果表明合理设计多元胞版图尺寸和 P基区薄层电阻可以改善器件的转折导通特性和提高器件的抗雷电浪涌能力 ,从而为简化半导体放电管生产工艺提供了依据     

提高多元胞结构半导体放电管浪涌能力的研究

讨论了半导体放电管能量损耗对其浪涌能力的影响.结果表明减小长基区宽度可以明显地降低器件的开通和通态能量损耗,从而有效提高器件的浪涌能力.     

晶闸管的瞬态热阻抗及其结温温升的研究

系统地阐述了晶闸管的瞬态热阻抗 ,针对晶闸管承受不同的功率脉冲 ,利用不同的计算方法计算瞬态热阻抗值 ,从而确定结温温升 ,并比较了它们的原理、精度及其应用范围。特别是利用了一种新的瞬态热阻抗计算模型 ,当晶闸管承受持续时间极短且周期、占空比均变化的任意波形功率脉冲时 ,它能够比较精确地分析晶闸管的热特性 ,计算半导体结的最大温升     

半导体脉冲功率开关RSD的开通电压特性研究

RSD(Reversely Switched Dynistor)是一种晶闸管与晶体管相间排列的多元胞结构高速大功率半导体开关器件，该器件采用控制等离子体层触发的开通模式。文章从理论上推导出其最大开通电压，并研完了该电压与器件结构参数之间的关系，给出了降低器件功耗的方法。     

基于RSD的可重复脉冲电源

提出了一种运用谐振原理的可重复RSD脉冲电源。分析电路的工作特性并对其重要元件磁开关进行了重点设计。给出了实验结果，并提出了几种改进电路参数的方法。