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1.
LED(发光二极管)以高效、低耗、发光柔和见长。用它作照明是一个发展方向。LED的伏安特性决定了它最好采用恒流源供电;为方便操作、减小机械磨损、降低故障率采用触模式调光是一种不错的选择。为解决停电麻烦增加后备供电也是必要的,此时LED的低耗特性显示出巨大的优势。设计采用特殊的恒流电路、电源管理电路和触摸防抖动电路使LED扬长避短,工作稳定可靠。  相似文献   
2.
报道了X波段脉冲输出功率超过400 W的GaN HEMT内匹配功率管。该器件内部包含了4只14.4mm栅宽GaN HEMT管芯。输入输出同时采用了一级L-C阻抗变换和两级微带阻抗变换器。该器件在9.0~10.0GHz频带内,在漏极电压为50V、脉冲宽度100μs、占空比10%测试条件下,输出功率达到了400 W以上,功率增益大于9dB,附加效率高于37.7%,带内峰值输出功率450 W。  相似文献   
3.
现代CATV网络的发展对网络管理系统提出了新的要求,需要网络管理系统能提供相应的功能。本描述了一种现代CATV网络管理系统的模型,并介绍了应用这种模型的中兴通讯公司CATV网络管理产品。  相似文献   
4.
介绍的泡显影液法T-TOP剥离工艺,是一种简单的金属剥离方式,它在普通光刻工艺流程中加入浸泡显影液环节,通过调节烘烤温度,制作出利于剥离的T型胶剖面,并配合正确的剥离操作,最终实现完好的金属互联。该方法相对来说,工艺简单、易于操作、经济实用。  相似文献   
5.
在计算机多频显示器行扫描电路的教学实践中发现,大多数教材对某些环节的理论探究不够充分(特别是电路简化的依据和某些公式的推导),使学生有点一知半解,这里应用基础的电路理论,分析了多频显示器模式转换对高压影响的数理依据,以便和读者共同探讨。  相似文献   
6.
首次采用扫描式光刻机开展基于101.6mm(4英寸)砷化镓晶圆的130nm光刻工艺研究,通过研究Si片与GaAs片表面状态的差异,确认基于扫描式光刻机实现GaAs晶圆130nm光刻工艺需以GaAs片为基础调整设备状态,较好地实现了GaAs晶圆130nm光刻图形。同时尝试采用不同工艺方法(蒸发Ti金属薄膜、涂覆PMGI光刻胶以及生长SiN薄膜)处理GaAs晶圆表面,有效提高了圆片焦平面参数稳定性。进一步研究了图像倾斜参数对曝光图形形貌以及线宽均匀性的影响。  相似文献   
7.
8.
基于超声波实现无接触式测距原理,介绍了一种基于单片机控制的超声波测距系统的设计方法。由单片机软件产生40 kHz超声波,并测量回波时间,可精确到us级。为提高测距精度,采取了温度补偿、角度补偿措施。实验表明系统具有较高的测量精度和实用价值。  相似文献   
9.
中国网络通信有限公司(以下简称中国网通)通过建立起以ERP为核心,全面集成了人力资源管理、OAI作流管理、知识管理、企业级数据仓库管理、决策管理等系统的管理信息系统(MIS),在整个公司范围内实现了完整、畅通的信息流,从而集成并简化了企业的业务管理,增强了企业内部各个环境之间的协作,实现管理高效益。  相似文献   
10.
采用激光全息干涉测量技术测量了轴对称型大功率晶体三极管温度场的全息干涉图;利用MATLAB数字图像处理工具箱对干涉条纹做了判读,并分别运用Abel法和小波变换法重建温度场。测量结果表明,温度场的空间分辨率为0.051cm,误差小于4.8%。  相似文献   
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