一种新型硅三端负阻器件

提出并研制成一种新型硅三端负阻器件。该器件由一n沟耗尽型MOS管、一横向pnp双极晶体管和一个电阻集成而得。它具有“双负阻”特性和正阻区阻值易于控制等特点。由理论计算出的器件I_c—V_(CB)特性和负阻参数与实验结果符合良好。     

我与BSD的邂逅到接收

如梦如烟的往事散发着芬芳。这是一个真实的"故事",如有雷同实属抄袭。从看见BS画面到接收BS,回忆起这段往事历历在目。要从那天算起到2012年2月28号。今年就是6周年了。值6周年之际梳理自己的BS发烧之路,与众位分享。     

储存介质的明日之星--XD-PICTURE储存卡初探

前言 目前数码相机除了在拍摄功能、多媒体应用,如相机支持MP3播放等方面进行了一场又一场的技术革命,然而在数码相机必不可少的储存介质上也悄然掀起了新一轮的争斗。这个秋季,将会有全新一代的储存介质XD卡与广大用户见面,迎接我们的是体积更小巧、容量可以更大的储存介质。不过,综观现今应用在数码相机上五花八门的储存介质,XD卡能否在激烈的产品竞争中脱颖而出呢?还是先看看下面的介绍吧。     

《应试指导》帮我圆了考研梦

去年七月正在考研备战紧张时刻,我见到了《数学竞赛与考研应试指导》(龚冬保等编,西北工业大学出版社出版)这本书,被书中大量富有启发性的综合例题及全部实战原题等丰富资料所吸引.我首先做前面每一部分的单项训练,有的题会做,有的题不会做.不会做的,就看书上的解题思路,觉得豁然开朗,受益匪浅.经过做题练习,我的解题水平逐渐提高了.临考前一个月,每天以实战状态认认真真地做一套往年考题.选择题、填空题都详细地写出选、填根据,每做一套题就总结一下心得,成绩一点儿一点儿的往上提高.今年进入考场,就觉得试题有一种似曾相识的感觉,做题的时…     

有这么一群狂热的卫视爱好者

有这么一群人他们来自祖国五湖四海、四面八方,为了一个共同的爱好走到了一起。在一起他们互相帮助、互相关怀、互相彼此欣赏、嘘寒问暖、充满温馨。他们工作在祖国的各个领域有工人、有知识分子、有司机师傅、有企业管理者。     

我的卫视器材与你分享

我对卫视器材的热情喜爱度要胜过对卫视的接收。有的网友是只为接收不为收看,而我是即要接收也要收看。每天抽空必然要看自己喜欢的节目。当然是喜欢的每个节目换着看,走马观花意思意思。很少有停在某频道长时间收看的。天线国际上基本上都差不多,没有多少太大的悬殊。差距是有的。如果天线与卫视器材放在跷跷板上,我会偏向于卫视器材一方。接收天线固然重要,但是除掉天线之外,我更加喜     

新型碱性抛光液各组分对铜化学机械平坦化性能的影响

随着集成电路特征尺寸的减小、晶圆尺寸的增大以及布线层的逐渐增多,加工晶圆过程中实现较高的材料去除速率、较小的片内非一致性(WIWNU)及较小的表面粗糙度已经成为铜化学机械抛光工艺的几大难点.采用正交实验法选取5组抛光液进行Cu CMP实验,系统研究了含有双氧水、脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO)、FA/O Ⅰ型螯合剂与苯骈三氮唑(BTA)的碱性抛光液化学组分对铜去除速率、WIWNU的影响,并对铜CMP的各种变化规律做出机理分析.结果表明:采用pH值约为8.6,体积分数为3％的H202,质量分数为0.08％的非离子表面活性剂AEO与体积分数为1.5％的螯合剂的碱性抛光液,在12英寸(1英寸=2.54 cm)铜镀膜片抛光后有助于去除速率达到629.1 nm/min,片内非一致性达到4.7％,粗糙度达到1.88 nm.     

实施"质量第一"战略创建卓越彩虹

本文介绍了彩虹集团公司在实施"质量第一"过程中,相继开展了客户文化建设、健全ISO9000:2000质量管理体系、导入六西格玛管理法等活动,持续创新,创建卓越彩虹.     

DUBAT负阻参数的推导和功率DUBAT的设计与研制

本文第一部分用较简单而不同于文献[1]的方法推导出双基区晶体管(DUBAT)有关的负阻参数,与实验结果符合良好;第二部分对功率型DUBAT进行了设计并初步制成这种器件。