单脊条形可调谐电吸收调制DFB激光器

报道了一种波长可热调谐的电吸收调制分布反馈激光器(Electroabsorptionmodulateddistributedfeedbacklaser,EML)。在激光器条形的侧面淀积一薄膜加热器,EML实现了 2 2nm的连续调谐。在调谐范围内,激光器输出功率的变化小于 3dB。采用端面有效反射率方法和耦合波理论的计算表明:采用相调制方法,可实现调谐范围达3 2nm的EML。如果热调谐与相调谐方法结合,可在较宽范围内实现波长快速调谐的EML     

1.3微米低阈值大功率基横模BH InGaAsP/InP激光器

我们采用二次液相外延技术,成功地研制出1.3微米低阈值,大功率,基横模BH InGaAsPInP激光器,其室温连续工作阈电流低至 10mA,单面微分量子效率达到 31％,最大线性光功率输出为20mW~*/facet以上,在2.5倍阈值的工作电流下仍可稳定的基横模工作.     

选择外延MOCVD研制DFB激光器和模斑转换器集成器件

研究了利用选择外延生长的InGaAsP材料的厚度增强因子和带隙波长的性质,最大的厚度增强因子为2.9.利用选择外延技术研制的DFB激光器和模斑转换器的集成器件,阈值为10.8mA-在60mA下输出功率为10mW,边模抑制比为35.8dB,垂直方向上的远场发散角从34°减少到9°,垂直方向上的1dB偏调容差为3.4μm.     

低阈值1.5μm平面掩埋脊型(PBR)分布反馈激光器

采用质子轰击的PBR 结构,研制了室温阈电流小于15mA,高稳定单纵模输出的1.5μmDFB激光器.为今后研制长寿命无致冷1.5μmDFB激光器组合件奠定了基础,在大温度范围(-40-+60℃)和大工作电流范围(1.2-3I_(th)内可稳定单纵模工作,边模抑制比(SMSR)可达30dB以上.静态线宽一般为30-40MHz,最窄可低于20MHz.器件经50℃恒功加速老化实验,外推20℃连续工作时间已超过3000小时无显著退化迹象.本器件已首次在国内做为信号源成功地用在140Mb/S相干光通信系统上.     

用选择混合InGaAsP-InGaAsP量子阱技术研制的两段波长可调谐分布布拉格反射激光器

采用选择混合InGaAsP InGaAsP量子阱技术,研制出单脊波导结构的两段可调谐分布布拉格反射(DBR)激光器.激光器的阈值电流为51mA ,可调谐范围为4 6nm ,边模抑制比(SMSR)为40dB .     

选择外延MOCVD研制DFB激光器和模斑转换器集成器件

研究了利用选择外延生长的InGaAsP材料的厚度增强因子和带隙波长的性质,最大的厚度增强因子为2.9.利用选择外延技术研制的DFB激光器和模斑转换器的集成器件,阈值为10.8mA-在60mA下输出功率为10mW,边模抑制比为35.8dB,垂直方向上的远场发散角从34°减少到9°,垂直方向上的1dB偏调容差为3.4μm.     

1.55μm掩埋条形InGaAsP/InP激光器

用两次液相外延的方法制备了 1.55μm掩埋条型 InGaAsP/InP双异质结激光器.室温下的阈电流低达55mA.在接近3格阈值时,器件的光强-电流特性仍保持良好的线性度.直到1.6倍阈值时仍可得到稳定的单纵模、基横模工作.     

10Gbit/s高T0无制冷分布反馈激光器

与折射率耦合分布的分布反馈（DFB）激光器相比,不管界面反射率是多少,增益耦合DFB激光器都能稳定地单纵模工作,而且具有高速、低啁啾的特性．本课题组用AlGaInAs/InP材料,采用增益耦合DFB结构,进行了单纵模激光器研发,并对器件特性进行了测试分析．     

1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器

本文在国内首次报道了采用直接刻蚀有源区技术在应变多量子阱有源区结构基础上制作了１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部分增益耦合ＤＦＢ激光器，器件采用全ＭＯＶＰＥ生长，阈值电流１０ｍＡ，边模抑制比（ＳＭＳＲ）大于３５ｄＢ，在端面未镀膜情况下器件单纵模成品率较高     

选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器

报道了采用选区外延生长技术制作的可实用的单脊条形电吸收调制DFB激光器。激光器的阈值为 2 6mA ,最大光功率可达 9mW ,消光比可达 16dB。减小端面的光反馈后 ,从自发发射谱上观察不到波长随调制电压的变化 ,调制器部分的电容为 1 5pF ,初步筛选结果显示阈值、隔离电阻、消光比基本没有变化 ,可应用在 2 5Gb/s的长途干线光纤传输系统上。