序

电子显微学在二十一世纪第一个十年中得到引人注目的进展，同时电子显微学的地位也与日提升。由于球差校正器和色差校正器的应用，使商业化的透射电子显微镜原子分辨的坐标和质量像均可达0．5埃，更由于纳米材料和新能源材料研究的突飞猛进，使人们越来越意识到利用电子显微镜对材料在纳米及原子尺度上进行结构表征，对深人理解现代材料优异性能的重要性。正是这些重大需求的推动，使中国的电镜领域也以每年新安装上百台的速度迅猛发展，新加人到电镜行业的工作者数以千计，他们不仅活跃在科技教育界，而且深入于企业、环保、食品等行业以及计量、公安等事业部门。     

Cu_4Ti晶体结构的高分辨电子显微术研究

Cu—Ti合金富Cu端的相结构一直为人们所关注。由于样品中难于避免多相共生及氧化存在,采用X射线测定结构时不同作者得到了不同的β相单胞:①Cu_3Ti结构(β_K),②Cu_4Ti结构(β_P,单胞参数为a=0.453,b=0.434,c=12.93nm,Pnma空间群)。此外,Ecob等依据电子衍射图支持了β_P—Cu_4Ti的结构,但却认为钛原子位置必须修正,才能解释(010)和(001)禁止衍射出现强度为此我们重新考察了Cu_4Ti的结构。Cu_4Ti的[100]与[001]衍射谱(图1a.b)中,对于OKL衍射当K+L为奇数以及对于HKO衍射当H为奇数均为消光,说明了滑移面n_(100)与a_(001)的存在。且Cu_4Ti相的所有衍射均可被β_P结构解释。为确定钛原子的位置,我     

TEM和CL准原位表征GaN单根纳米线中WZ/ZB结构及其发光特性

纤锌矿（WZ）/闪锌矿（ZB）结构以及WZ/ZB超结构广泛存在于一维Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中。本文采用TEM和CL（阴极荧光谱）准原位表征的方法,对GaN纳米线的各种结构进行了系统的表征,并且建立了材料纳米结构与对应发光性质之间的直接联系。研究发现相对于纯WZ结构的GaN单根纳米线,具有WZ/ZB结构纳米线的CL出现了蓝移。通过对CL发光谱的蓝移现象的分析和研究表明,蓝移是由于高密度的WZ/ZB结构单元及其各种超结构所引起的特殊效应。     

In组分对InGaN/GaN蓝光LED的发光性质的影响

利用扫描透射电子显微术(STEM)和变温光致发光光谱(PL)研究了In组分对InGaN/GaN蓝光LED的发光的影响.STEM发现两个样品量子阱结构相同,低温PL显示低In组分的样品的发光峰位随着温度的升高呈现出经典S(Red-Blue-Red)曲线.目前普遍认为蓝移是In组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因,然...     

巧用软件做动画

随着计算机软件技术的迅猛发展,电视动画已经成为一门新兴的产业,并显示出强劲的发展势头.电视动画以其生动形象的表达方式,将复杂的过程简单化,抽象的概念具体化,枯燥的内容鲜活化.与此同时,它还可以弥补影视画面的不足,延伸电视镜头.因此,电视动画已成为电视节目制作中的一种不可缺少的表现元素.