金属有机化学汽相淀积技术

本文主要介绍MOCVD技术。以实例对MOCVD技术与LPE技术、氯化物CVD和MBE技术进行了比较。评价了MOCVD技术在半导体光电器件制备领域内的作用。     

基于UML的面向对象软件回归测试研究

研究了UML图及事物间的关系,提出了基于UML的面向对象软件回归测试技术,它能有效地控制测试范围和缩减测试用例,帮助软件测试人员在不增加测试风险的情况下选择合适的测试用例和减少测试量,提高软件回归测试的有效性和降低软件测试成本.     

入侵防御系统技术要求研究

在研究入侵防御产品和通用安全标准的基础上,从系统的功能、安全性、性能等方面提出了入侵防御系统的技术要求,将有助于入侵防御类产品的研制、生产、测试和评估.     

用于氦原子泵浦的1080nm半导体激光器

ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ 应变量子结构半导体激光器有其特有的波长输出范围,介绍了１ ０８０ ｎｍ ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ 应变量子阱激光器的结构、典型的特性参数及其用途。     

砷化镓大光腔大功率激光器

简要介绍了 GaAs 大光腔、大功率激光器的制作、性能参数,讨论了其制作关键。     

0.78μm对称的分别限制异质结(SCH)GaAlAs激光器

本文报导用LPE法制备0.78μm对称的SCH GaAlAs可见光激光器。以降低生长温度和缩短生长时间(T_G=800℃,t<200ms),生长出有源层的厚度d<360(?)。这样薄的有源层不影响光场的连续性,且模式光场与有源区的耦合相互加强,从而有利基横模工作。所制备出的该种器件的无扭折输出功率P_(out)>10mW;垂直于P-N结平面方向上光束发散角(?)与光波导厚度W的关系和计算值相符。     

物联网安全威胁及对策

分析了物联网感知层、网络层和应用层的主要安全威胁,给出了相应的安全策略和措施,有助于物联网的安全评测和风险评估,加强物联网信息安全保障,使物联网安全可控。     

可见光PCW GaAlAs激光器

在众多的激光二极管结构中,我们选择Piano-Convcx Waveguide(PCW)结构进行可见光GaAlAs激光器的研制。采用成熟的液相外延系统(LPE),一步外延完成激光器所有层次的生长。激光器在约10mW范围内呈现较为稳定的基模工作状态,有些器件观察到单纵模。远场侧向发散角～18°。初步的老化试验结果:在550小时(截止本文定稿时),激光器闽值平均上升17%,最小值10%,老化试验条件:室温,充N_2,激光器单面光功率输出额定为5mW。