InP衬底上InAlAs异变缓冲层和高铟组分InGaAs的生长温度优化

利用气态源分子束外延技术在InP衬底上生长了包含InAlAs异变缓冲层的In0.83Ga0.17As外延层.使用不同生长温度方案生长的高铟InGaAs和InAlAs异变缓冲层的特性分别通过高分辨X射线衍射倒易空间图、原子力显微镜、光致发光和霍尔等测量手段进行了表征.结果表明, InAlAs异变缓冲层的生长温度越低, X射线衍射倒易空间图 (004) 反射面沿Qx方向的衍射峰半峰宽就越宽, 外延层和衬底之间的倾角就越大, 同时样品表面粗糙度越高.这意味着材料的缺陷增加, 弛豫不充分.对于生长在具有相同生长温度的InAlAs异变缓冲层上的In0.83Ga0.17As外延层, 采用较高的生长温度时, X射线衍射倒易空间图 (004) 反射面沿Qx方向的衍射峰半峰宽较小, 77K下有更强的光致发光, 但是表面粗糙度会有所增加.这说明生长温度提高后, 材料中的缺陷得到抑制.     

表面离子阱的衬底效应模型研究及新型离子阱设计

通过分析表面离子阱衬底的功率损失和电势损失对离子阱阱深和离子加热速率的影响,提出考虑衬底效应的阱深和离子加热速率的解析分析模型.研究发现,硅基衬底的电势损失对表面离子阱阱深的降幅达17.19%,功率损失对离子加热速率的加速达13.37%.为了降低衬底效应的不利影响,设计了衬底真空隔离结构的表面离子阱,在离子阱射频电极和直流电极间的衬底表面刻蚀出多条隔离槽,从而减小衬底的等效电导和等效电容,达到降低衬底功率和电势损失的目的.模拟结果显示,相比于一般结构,真空隔离结构的硅基表面离子阱能够使阱深加深20.22%,使衬底功率损失降低54.55%.     

基于特征融合网络的短波信号规格识别

针对目前短波信号规格识别中特征选取单一、相同调制类型信号区分能力弱的问题,提出了基于特征融合网络的信号规格识别算法,设计了一种以信号矢量图和数据流作为网络输入的识别模型。首先,通过信号预处理,得到矢量图和标准化的信号数据矩阵作为特征源,并由此设计了基于特征融合网络的信号规格识别模型;其次,利用模型的密集连接卷积算法,在避免网络退化的同时,对矢量图和数据矩阵进行深度特征提取、融合与学习,实现对目标信号的规格识别;此外,在构造短波信号数据集时设计了随机频偏策略,进一步提高网络模型的泛化能力。仿真实验表明,所提算法对含有相同调制方式的信号集识别效果较好,且模型空间小、运算速度快,当信噪比为0 dB时识别准确率可达98%。     

EPON的发展现状与关键技术

EPON是一种单纤双向新型网络接入技术,它的出现及时的满足了传统网络所不能实现的高宽带与新业务现代网络信息的发展需求。本文主要从EPON的发展与技术原理及优势等方面,结合EPON在广电网络中的技术应用展开论述。     

Wavelength Extended InGaAsBi Detectors with Temperature-Insensitive Cutoff Wavelength

We demonstrate a wavelength extended InGaAsBi short-wave infrared photodetector on an InP substrate with the 50% cutoff wavelength up to 2.63μm at room temperature. The moderate growth temperature is applied to balance the Bi incorporation and material quality. Photoluminescence and x-ray diffraction reciprocal space mapping measurements reveal the contents of bismuth and indium in InGaAsBi to be about 2.7% and 76%,respectively. The InGaAsBi detector shows the temperature-insensitive cutoff wavelength with a low coefficient of about 0.96 nm/K. The demonstration indicates the InP-based InGaAsBi material is a promising candidate for wavelength extended short-wave infrared detectors working.     

Semi-analytical model for quasi-double-layer surface electrode ion traps

To realize scale quantum processors,the surface-electrode ion trap is an effective scaling approach,including singlelayer,double-layer,and quasi-double-layer traps.To calculate critical trap parameters such as the trap center and trap depth,the finite element method(FEM) simulation was widely used,however,it is always time consuming.Moreover,the FEM simulation is also incapable of exhibiting the direct relationship between the geometry dimension and these parameters.To eliminate the problems above,House and Madsen et al.have respectively provided analytic models for single-layer traps and double-layer traps.In this paper,we propose a semi-analytical model for quasi-double-layer traps.This model can be applied to calculate the important parameters above of the ion trap in the trap design process.With this model,we can quickly and precisely find the optimum geometry design for trap electrodes in various cases.     

短波红外铟镓砷探测器材料表面缺陷研究

短波红外铟镓砷(InGaAs)探测器材料的表面缺陷是发展大规模小像元焦平面阵列的核心问题之一,其中与衬底晶格失配的延伸波长探测器材料的表面缺陷控制起来尤为困难。优化了分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE) In束源炉的温度设置。结果表明,In炉上下温差为130℃时所生长的短波红外晶格失配In_0.83Ga_0.17As材料的表面缺陷密度最小,由此有效地将材料的表面缺陷密度由3000 cm^-2左右降至约500 cm^-2。结合短波红外晶格失配InGaAs材料的室温光致发光测试,经分析可知,In束源炉上下温差存在最优值的现象是由于In金属液滴和炉子顶部杂质引起卵形缺陷这两种机制的共同作用而引起的。本文制备的低缺陷密度晶格失配InGaAs探测器材料为发展高性能延伸波长短波红外焦平面阵列打下了基础。     

三PON的发展现状与关键技术

EPON是一种单纤双向新型网络接入技术，它的出现及时的满足了传统网络所不能实现的高宽带与新业务现代网络信息的发展需求。本文主要从EPON的发展与技术原理及优势等方面，结合EPON在广电网络中的技术应用展开论述。