自离子辐照对兆伏注P+硅中二次缺陷的影响

用平面透射电子显微术和剖面透射电子显微术以及卢瑟福背散射沟道谱技术研究了兆伏注P⁺硅中的二次缺陷以及自离子辐照对它们的影响.实验结果表明，二次缺陷峰的深度稍大于平均投影射程.实验还发现，用适当能量和剂量的自离子在退火之前辐照兆伏注P⁺硅样品，可以抑制二次缺陷的生成，但如果在退火之后辐照，则会得到相反效果.对此现象的物理原因进行了讨论.另外，还给出了Si⁺，P⁺在硅中形成二次缺陷带的临界剂量，并且对临界剂量与注入能量的关 关键词：     

强流金属离子注入

金属等离子体浸没注入（MEPIII）技术与金属蒸气真空弧（MEVVA）源注入技术有相同之处,也有各自不同的特点。采用两种方法进行钛离子注入硅,RBS方法分析注入层,并对两种注入技术予以比较。     

衬底预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响

本文研究了不同剂量,不同能量硅自注入预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响。对于10keV硼注入情形,只要含硼表面层是充分预非晶化的,都可得到结深为0.15μm左右的浅结。     

FCVAD合成Ta-C(N)薄膜及其Raman和XPS分析

掺N非晶金刚石Ta—C(N)薄膜是合成β—C3N4研究中出现的一种新型固体薄膜材料,近年来由于其优异的电化学性能受到越来越多的关注。我们用磁过滤阴极真空弧等离子体沉积(FCVAD)方法在不同N2分压下,在Si衬底上合成了Ta—C(N)薄膜。Raman和XPS分析表明Ta—C：N薄膜中的N主要以C—N的方式与C结合。N2分压越大,N／C原子比越高,最高可达31．1％。但同时sp^3键含量越低,并且合成Ta-C：N薄膜的速度越慢。     

强束流离子注入形成SOI结构时的温升效应的计算

本文考虑了瞬态的热传导过程,用有限差分方法计算了恒流、脉冲、扫描三种离子注入形成SOI结构时的温升效应。计算结果表明,当能量大于150keV和注入剂量率超过1×10~(15)/cm~2·s时,对于一般的散热系统来说(传热系数H≈2×10~(-2)W/cm~2K),温升效应将是严重的。恒流、脉冲、扫描三种注入方式比较起来,以扫描注入的温升和温度波动为最严重,恒流注入为最低。目前,在低束流情况下,大多采用热靶(400—700℃)来制造 SIMOX或SIMNI材料,本文的计算结果指出,当剂量率超过8×10~(14)/cm~2·s时,晶片温度将超过1000K(H取2×10~(-2)W/cm~2K),这时将没有必要再用热靶,用室温靶就能满足温度要求。本文给出的理论计算方法对其它材料(如金属、陶瓷等)仍可应用。     

磁过滤阴极真空弧沉积薄膜研究

采用磁过滤阴极真空弧沉积技术对从弧源引起离子束中的大颗粒进行过滤后,在硅和聚合物表面进行离子注入和低能离子束沉积,可获得特性优异的沉积金属膜、超硬膜（类金刚石,CN膜）、陶瓷膜（TiN,TiC）等。电子显微镜观察表明,大颗粒已被过滤,表面结构致密,由于先进行离子注入,在基体表现预先形成了过滤层,从而改善了沉积膜的粘合特性,膜与基体的粘合特性有了明显提高。测量结果表明,沉积膜的硬度、抗磨损和抗腐蚀特性均有了明显提高。非晶金刚石薄膜表面硬度可达到56GPa。     

10keV B~+注入预非晶化Si的剩余缺陷和浅结

<正> 一、问题的提出和实验方法 在低能注入B~+浅结的过程中,沟道效应难以避免。为避免B~+注入的沟道效应,本文采用100keV下5×10~(15)cm~(-2)的Si~(29)注入n-Si<100>进行非晶化处理。继而进行了10keV,1×10~(15)cm~(-2)的B~+注入形成浅结,然后对样品进行快速热退火(RTA)处理,并观察界面缺陷的     

离子注入技术在气敏材料上的应用

离子注入技术已被应用于气敏材料的开发研究，这是离子注入技术的一个较新的应用领域。本文介绍离子注入技术对气敏材料表面层组分、结构、电导率及气敏特性进行改性的研究进展。     

InGaAs中Be离子注入的研究

本文研究了 InGaAs外延层中的Be~+注入,采用SIMS、电化学C-V和Hall等方法进行了测试分析,结果表明:采用低于700℃的近似包封变温热退火可以获得较高的电激活率和表面质量,形成的pn结具有高击穿电压和低漏电流,此方法已应用于单片集成 InGaA_s PIN-JFET光接收器件的制作,获得了良好的器件特性.     

强流重离子束在轴对称电场中的温度和能量展宽

本文研究带电粒子束在轴对称电场(包含束空间电荷平均场)中的温度和能量展宽,所得结果表明,在漂移区内,此种能量展宽与束电流成正比,与束的宏观流动速度成反比,因此,对于强流重离子束而言,此种能量展宽在总的能量展宽中将起重要的作用,若束能为20keV,束流为20mA,在漂移区中,¹H离子束的能量展宽为26.5eV,而相同条件下的¹²¹Sb离子束则为291.5eV,而且随束流增加线性上升,本文对束温度的研究结果表明,在漂移区中,束空间电荷效应使束温度增加。 关键词：