低能电子束辅助蒸镀的初步实验

自从六十年代中期用断面电子显微术揭示了薄膜的微结构以来,薄膜的各种特性,光学的,磁学的,电学的,超导的,机械的,以及各种薄膜现象,包括薄膜的稳定性,追根溯源,便找到了说明的根由和改进的出发点。一种自然的趋势,是用某种物理手段来影响薄膜的成核、成长过程,改变薄膜的结构,从而使薄膜具有某些预期的特性。     

基于Nb-Iot技术和地磁传感器的智能车位检测系统设计与实现

车辆的增多引发了停车难的问题,为了能够解决停车难的问题,文章提出基于Nb-Iot技术和地磁传感器的智能车位检测系统。就该系统的的总体构造、软硬件设计、公有云平台框架设计问题进行探究。     

基于MATLAB GUI的电子组件寿命评估系统设计与应用

针对电子组件寿命分析算法复杂、流程繁琐现象,基于MATLAB GUI开发了寿命评估系统。系统由数据分析、寿命计算和可靠性分析模块组成,通过设计交互界面和集成评估算法实现电子组件寿命自动分析和计算,并直观地显示计算数据、图像。实例应用证明了该系统的便捷性和适用性。该系统可为电子设备或其他系统的寿命评估提供参考。     

基于ZigBee技术的无线温度采集系统

近年来,社会产业呈现多元化发展趋势,在产业发展当中,设备的运转情况直接受温度的影响,所以对于设备工作环境温度的检测尤为重要,然而现有的温度检测设备和检测手段远远不能满足实际需求。目前,具有安全系数高、使用方面、功耗低等性能的ZigBee技术依靠无线连接实现温度的检测与传输,以其独特的优势得到广泛应用。本文着重对ZigBee技术进行阐述,然后基于ZigBee技术进行无线温度采集系统的软硬件设计,通过实践进一步证明本系统的优越性和可行性。     

射频反应溅射Si_3N_4薄膜的性质和表面钝化作用

射频反应溅射Si_3N_4薄膜的光学和电学性质,与制备条件有密切的关系.对Si_3n_4膜的折射率、红外吸收带、相对介电常数、淀积速率和腐蚀速度随溅射电压和混合气体(Ar和N_2)组份的变化规律作了研究.指出,在最佳溅射条件下的电场作用和电子、负离子对硅器件表面SiO_2层的轰击造成的热作用,有利于加速Si_3N_4膜对存在于SiO_2层中的Na~+的吸取和捕集过程,使硅器件的光学特性和稳定性获得显著的改善.而且,由于淀积时的基片表面温度低,可以利用常用的光刻胶掩蔽,进行定域淀积,简化了Si_3N_4膜的光刻腐蚀工艺.     

锐钛矿相TiO2纳米管的制备及其染料敏化太阳电池

以商用金红石相TiO₂粉末为原料,通过在碱性溶液中150℃水热48h的方法合成TiO₂纳米管.采用SEM,TEM,XRD分析手段对TiO₂纳米管的形貌和结构演变进行了表征.制成的TiO₂纳米管与TritonX-100,乙酰丙酮混合后,通过丝网印刷的方法涂敷到ITO导电玻璃衬底上,并且在450℃下烧结30min后得到可应用于染料敏化太阳电池的多孔光阳极.将此光阳极浸泡于N719染料敏化后,与镀铂对电极组装电池,两者之间灌 关键词： 2纳米管')" href="#">TiO₂纳米管 染料敏化太阳电池 水热法     

锐钛矿相TiO2纳米管的制备及其染科敏化太阳电池

以商用金红石相TiO2粉末为原料,通过在碱性溶液中150℃水热48h的方法合TiO2纳米管.采用SEM,TEN,XRD分析手段对TiO2纳米管的形貌和结构演变进行了表征.制成的TiO2纳米管与TritonX-100,乙酰丙酮混合后,通过丝网印刷的方法涂敷到ITO导电玻璃衬底上,并且在450℃下烧结30min后得到可应用于染料敏化太阳电池的多孔光阳极.将此光阳极浸泡于N719染料敏化后,与镀铂对电极组装电池,两者之间灌入液态电解质,电池的有效面积为0.28 cm2.在标准氙灯模拟器下(AM 1.5,100 roW/cm2)测试r电池的J-V特性,得到2.17%的光电转换效率.     

事业单位计算机通信网络安全存在的问题与对策

随着社会科学技术的不断创新与发展,计算机技术以及信息网络技术被应用到了各个领域,其为社会创造了巨大的经济效益,为公众的工作学习与日常生活提供了便利,同时,提高了事业单位的工作效率与工作质量,但在实际应用过程中,存在一定的计算机网络安全问题,本文就事业单位计算机通信网络安全进行简述,分析其实用意义,同时对当前事业单位面临的计算机网络安全问题进行分析,并就其提出针对性意见。     

聚合物发光二极管中可逆的不稳定行为

研究了存在于聚合物发光二极管 ( PL ED)中的一种可逆的“负阻”现象及短期衰退行为 .当加在 PLED上的正向偏压大于 1 0 V之后 ,其电流和发光强度将在某偏压下出现突然的转折 ,即电流或光强骤增而器件上压降减小 .“负阻”现象将随测量次数的增加而逐渐消失 .采用 CCD摄像头摄取发光象素上发光的变化情况的图像 ,发现光强的突变与电流的突变是相对应的 .对以不同极性脉冲偏置观察发光光强的短期衰退情况时发现 ,反向偏置有助于抑制正向的发光衰退行为 .我们初步认为这些现象可能与 PLED中存在的缺陷态及其上电荷的填充状况有关     

杂质穿透二氧化硅薄层的扩散——浅结低表面浓度扩散的有效方法

结型硅光电器件的短波光谱响应灵敏度不高的原因,除了硅表面对光的短波部分有很大的反射系数(可达百分之七十)外,主要是由于硅对光的短波有相当大的吸收系数(对于3800埃其a～10~(-5)厘米~(-1),以致短波光子所产生的光生载流子几乎都集中在表面很薄的一层半导体中.然而这些光生载流子往往由于表面和扩散层中复合的损失,使达到p-n结空间电荷区而成为寻电的载流子的数目就相当少了.因此,一般硅光电器件的光谱使用范围在5000～10000埃,峰值在9000埃左右.