导纳谱研究两类Si基量子阱基态子能级的性质

用导纳谱技术研究了两类Si基量子阱样品基态子能级的性质.基于量子阱中载流子的热激发模型，从导纳谱中得到的激发能值被认为是阱中重空穴基态位置到阱顶的距离.对于SiGe合金和Si形成的组分量子阱，主要研究了退火对重空穴基态子能级的影响.发现样品的退火温度为800℃时，随退火时间延长，激发能增加.对此现象的解释是，由于Si,Ge互扩散，导致界面展宽，量子限制效应降低，重空穴基态位置下降，从而激发能增加.900℃下退火，由于扩散系数增大和应变弛豫加强，激发能值单调下降，量子限制效应引起的变化被掩盖.对于B高浓度超 关键词：     

GaS/GaAs界面电学性质研究

报道了微波放电法在GaAs表面生长GaS薄膜．用电容 电压法（C-V）、伏安法（I-V）以及深能级瞬态谱（DLTS）等测试手段对GaS/GaAs界面的电学性质进行了研究．GaS/GaAs界面的CV特性反映此处的界面特性比较好，界面态密度约为10¹²/（cm²·eV）．DLTS的测试得到了与其一致的结果．另外，从I-V曲线中漏电流的大小，估算出GaS的电阻率为10¹¹Ω·cm 关键词：     

导纳谱研究锗硅单量子阱的退火效应

利用导纳谱研究了锗硅单量子阱的热稳定性．导纳谱热发射模型的理论模拟和深能级缺陷研究表明：在９００℃以下退火１０分钟，晶格弛豫并不明显，但原子的互扩散引起量子阱中子能级严重降低．同时，我们计算出了原子的互扩散系数，以及单量子阱Ｓｉ／Ｓｉ０．７５Ｇｅ０．２５／Ｓｉ中原子互扩散的热激活能１．０８ｅＶ．     

磁控溅射制备Ta2O5／TiO2薄膜及其光学与电学性能的研究

用直流平面磁控溅射沉积薄膜的方法在Ｓｉ和玻璃基片上制备了Ｔａ２Ｏ５／ＴｉＯ２混合薄膜,薄膜的透射光谱研究结果表明,在ＴｉＯ２掺入浓度为０到１７％,薄膜的折射率从２．０８到２．２３。薄膜折射率与掺入ＴｉＯ２的浓度呈近线性关系。薄膜的ＭＯＳ电容器的Ｉ－Ｖ和Ｃ－Ｖ测量表明,经过退火处理能够提高Ｔａ２Ｏ５／ＴｉＯ２混合薄膜的介电常数。     

自组织生长锗量子点的库仑荷电效应

将导纳谱应用于半导体ＧｅＳｉ量子点的研究，观察到了典型直径为１３ｎｍ的Ｇｅ量子点的库仑荷电效应及其分立能级结构．     

短波HgCdTe光电二极管中缺陷能级对器件性能的影响

利用变频导纳谱研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．６）ｎ＾＋－ｏｎ－ｐ结中的深能级缺陷,得到其缺陷能级位置在价带上０．１５ｅＶ,同时给出了其俘获截面和缺陷密度,初步认为是Ｈｇ空位或与其相关的复合缺陷。根据深能级的有关参数,估算了器件的少子寿命和器件优值参数Ｒ０Ａ。     

电导法测量Si_(1-x)Ge_x/Si量子阱的能带偏移

本文分析了一个单量子阱的随频率变化的Ｇ－Ｖ特性,提出用电导法测量量子阱的能带偏移．通过对一个Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ单量子阱的实验Ｇ－Ｖ曲线的分析,验证了这一方法的可靠性     

同步辐射光电子能谱对ITO表面的研究

首次利用同步辐射光电子能谱（ＳＲＰＥＳ）研究了铟锡氧化物（ＩＴＯ）薄膜表面的化学状态．发现ＩＴＯ表面的铟和锡分别具有多种价态．对比真空退火前后ＩＴＯ样品的电阻率与透射率,结合对ＩＴＯ导电机理的分析讨论,可以认为Ｉｎ２Ｏ３－ｘ与Ｓｎ３Ｏ４的含量变化是影响ＩＴＯ的导电与透光性能的主要原因     

快速傅里叶变换深能级瞬态谱测试系统

提出了一套快速傅里叶变换深能级瞬态谱（FFT-DLTS）测试系统,分析了该系统的硬件构成和软件流程,并给出了一个实例分析。最后,将FFT-DLTS与常规DLTS作了对比。