有ITO透明导电膜的平面分层介质系统的电磁波性能理论研究

理论研究了有ITO(indium tin oxide)透明导电膜的多层平面分层介质系统的电磁性能，给出的理论曲线和实测曲线符合很好.多层平面分层介质系统的电磁性能与ITO膜(方块电阻为8Ω)所在界面位置和平面分层介质系统层数及各层厚度等有关.优化设计了一种含有ITO透明导电膜的厚度仅7.35mm的四层平面分层介质系统，其在8—18GHz频段内电磁波反射性能很好.作为多层平面分层系统中的ITO导电膜，其方块电阻应低于30Ω，并且越小，其反射性能越好. 关键词： 多层平面介质系统 电磁性能 ITO透明导电膜     

红外探测器件的制作方法

本专利提出一种制作红外探测器的新方法,即后划线制作法。使用这种方法制作多元半导体器件时,先用粘着剂把多元半导体,如HgCdTe薄片,粘结在具有绝缘性能的衬底上,靠光蚀法在HgCdTe薄片上作一层规定图案的光至抗蚀剂膜,然后用腐蚀液和浓硫酸把无光致抗蚀剂地方(如图2的5所示)的HgCdTe薄片,以及它下面的粘着剂去掉,使衬底的表面暴露出来,然后再进行其他加工工艺,以做成红外探测器。     

晶体管工作状态对SiGe带通滤波器的影响研究

采用SiGe异质结双极晶体管,设计了一种具有回转结构的带通跨导-电容滤波器.使用ADS软件进行电路图的仿真分析.研究镜像电流源的集电极电阻R对该滤波器中心频率、输出增益及功耗的影响.分析结果表明,镜像电流源集电极电阻R的调节可以控制镜像电流源的晶体管工作状态和回转电路的偏置电流.因此,要获得更高的中心频率,镜像电流源中直接给跨导单元提供电流的晶体管不用按常规工作在放大区而可以工作在饱和区.对滤波器输出增益和功耗的进一步分析结果表明,以上晶体管工作在饱和区不仅可以提高滤波器的工作频率,还可以提高滤波器的输出增益,但是也会同时增加滤波器的功耗.     

日本制造列阵红外探测器件的工艺现状

由于日本具有雄厚的半导体工业基础,所以,近年来日本列阵红外探测器件的制造技术发展相当迅速,例如,达200元之多的碲镉汞列阵器件已经制成,并应用到许多科研和生产中。日本生产红外探测器列阵器件的公司主要有东京芝浦电气股分公司和富士通股分公司。下面介绍这两家公司制造红外探测器列阵器件的工艺。     

侧扫声纳自适应收放系统研究

本研究以三菱PLC作为控制核心,辅以各类传感器和变送器,以船用吊臂为执行机构组成侧扫声纳自适应收放系统,针对系统需求功能进行分析并研究,阐述了侧扫声纳拖鱼的释放功能、回收功能、变幅功能、缠绕报警功能、坐标修正功能和拖鱼姿态调整控制功能实现的原理.     

纳米硅薄膜光学性质的测定与研究

通过测定纳米硅薄膜的透射谱,建立计算模型计算得出薄膜样品的折射率、厚度、吸收系数和光能隙.计算结果表明这种半导体材料在620 nm波长附近的折射率约为3.4,计算得到的厚度与用台阶仪测量的结果吻合很好.在620 nm波长附近的吸收系数介于吸收系数较小的晶体硅与吸收系数较大的非晶硅之间,光能隙约为1.6 eV,两者都随晶态含量增大而呈减小趋势.     

自由能计算揭示苏氨酸对抗冻蛋白与冰晶结合能力的影响

采用分子动力学模拟和自由能计算研究了中等活性黑麦草抗冻蛋白(Lolium perenne antifreeze protein, LpAFP)冰结合位点(Ice-binding site, IBS)上苏氨酸(Thr)含量对其吸附冰晶能力的影响. 构建了一系列LpAFP突变体结构, 使其IBS上苏氨酸含量逐步增加, 其中包括一个对IBS上11个位点的突变, 使每个β片段均具有Thr-x-Thr基序(x是非保守的氨基酸, 主要是疏水氨基酸). 利用重要性采样算法(WTM-eABF)计算了LpAFP及其突变体与冰晶结合过程的自由能变化, 该算法结合了Well-tempering metadynamics的“填谷”和扩展拉格朗日自适应偏置力方法的“削峰”的优点, 显著提高了算法的采样效率. 结果表明, LpAFP突变体的IBS苏氨酸含量越高, 其与冰的结合在能量上越有利. 当突变体具有重复Thr-x-Thr基序时, 其与冰的结合能力最强. 进一步分析表明, 苏氨酸含量越高, IBS结合的液态水分子越多, 与冰晶结合时锚定包合水稳定存在的时间就越长, 抗冻蛋白的IBS与冰面之间的氢键网络也越稳定, 从而提高了抗冻蛋白与冰的结合能力. 增加苏氨酸残基的含量是提高中等活性抗冻蛋白抗冻活性的方法.     

复杂离子晶体马德隆常数研究

以电中性的平行六面体晶胞为计算单元建立了一种马德隆常数计算公式, 并按围绕参考晶胞 的壳层数N且以参考晶胞体心为原点计算离子晶体的马德隆常数α(N), 第一壳层有26个晶胞 ，第二、第三、…第N壳层分别有98，218，…，24N2+2个晶胞,α(N)是收敛很快的级数并 且很容易计算.计算了几种复杂离子晶体马德隆常数和相应的马德隆能(静电相互作用能). 关键词： 马德隆常数 静电相互作用能 复杂离子晶体     

ITO前驱物氢氧化铟In(OH)3理论研究

分析了铟锡氧化物IT0 (IndiumTinOxide)前驱体氢氧化铟In(OH) 3的结构 ,理论计算了其马德隆常数和晶格能 ,其值分别为 2 94 88和 - 5 0 95 2 1kJ mol,并给出了晶核表面自由能近似公式和晶核生长率的近似表达式 ,进而计算了采用化学沉淀法制备In(OH) 3纳米粉末时的晶核形成参数 ,In(OH) 3晶核生长初期的生长率约为 0 0 1 2nm s.     

纳米硅层状薄膜及其p-i-n太阳能电池的研制

通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法分别制备了本征、掺磷和掺硼的氢化纳米硅薄膜(nc-Si:H),并制备出纳米硅复合层状薄膜.对薄膜样品进行了喇曼(Raman)散射谱,X射线衍射等分析测试.结果表明:掺杂元素对纳米硅薄膜的晶态比和晶粒大小存在不同程度的影响;通过薄膜表面衍射(XRD)可得到硅的(111),(220)和(311)三个晶面衍射峰;并在制得的纳米硅复合层状薄膜的基础上,制备了结构为Al/ITO/n -nc-Si:H/i-nc-Si:H/p-c-Si/Al/Ag的太阳能电池.该电池的开路电压、短路电流和填充因子与非晶硅太阳电池相比,均得到很大的提高.