对偶基上改进CDPD系统RS编解码器的实现

以蜂窝数字分组数据系统(CDPD)中的RS(63，47)码为例，提出了一种建立在伽罗华域(Galois Fields)对偶基乘法器基础上的改进的Reed—Solomon绝解码器。针对CDPD系统的特点，对乘法器、欧几里德算法进行改进，并且应用流水线设计来优化系统，从而提高了编解码速度和性能，节省了硬件资源。该设计不但完全满足CDPD系统的设计要求，而且电路结构便于超大规模集成电路(VLSI)的实现，具有广泛的适用范围。     

掺Sb的ZnO单晶的缺陷和性质研究

采用化学气相传输法生长了掺Sb的ZnO体单晶,生长温度为950℃. 与非掺ZnO单晶相比,掺Sb后ZnO单晶仍为n型,其自由电子浓度明显升高. X射线光电子能谱（XPS）测量结果表明,掺入的Sb在ZnO单晶中可能占据了Zn位,或处于间隙位置,形成了施主. 利用光致发光谱（PL）测量发现掺Sb后ZnO单晶发出蓝光,该蓝色荧光与浅施主有关. 这些结果表明在高温生长条件下,掺Sb后ZnO单晶中产生了高浓度的施主缺陷,因而难以获得p型材料.     

整数遗传算法求解下的泊位形状问题研究

遗传算法是一种全局随机搜索算法,它基于自然进化原理。本文介绍了遗传算法的特点,阐述了泊位分配问题的相关问题。研究了泊位分配问题在遗传算法下的应用。本文讨论了在一个多用户的集装箱码头泊位分配问题。有两泊位分配典型方案：一种是在直线型泊位,另一种是在凹槽式泊位上。本研究针对两种形状的泊位进行比较分析。     

环境监测信息化项目管理的问题及对策

环境监测是环境保护的基础。相对于金融、电力等行业,环境监测信息化还处在初级阶段,信息系统建设项目中存在着诸多问题。将国际流行的、规范的项目管理方法引入环境监测信息化项目中,通过采用科学的管理手段,可以使信息系统的建设更加高效、优质地完成,为环境管理提供更加强有力的支持。     

铟掺杂ZnO体单晶的生长及其性质

研究了In掺杂n型zno体单晶的化学气相传输法生长和材料性质.利用霍尔效应、x射线光电子能谱、光吸收谱、喇曼散射、阴极荧光谱等手段对晶体的特性和缺陷进行r分析.掺In后容易获得浓度为1018～lO19cm-3的n型ZnO单晶,掺人杂质的激活效率很高.随着掺杂浓度的提高,znO单晶的带边吸收和电学性质等发生明显的变化.分析了掺In-ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响.     

影视业中“大数据”技术应用

在信息化不断升温的大环境下,源自互联网的“大数据”技术,近几年在影视业大放异彩。在第65届艾美奖提名中,美国视频网站Netfl ix制作的《纸牌屋》一鸣惊人,从此开启了影视业的大数据时代。而国产电影《失恋33天》《北京遇上西雅图》《小时代》《中国合伙人》等的票房大卖,都离不开数据分析。可以预见,大数据将成为未来影视业发展的重要助推器。     

铟掺杂ZnO体单晶的生长及其性质

研究了In掺杂n型zno体单晶的化学气相传输法生长和材料性质.利用霍尔效应、x射线光电子能谱、光吸收谱、喇曼散射、阴极荧光谱等手段对晶体的特性和缺陷进行r分析.掺In后容易获得浓度为1018～lO19cm-3的n型ZnO单晶,掺人杂质的激活效率很高.随着掺杂浓度的提高,znO单晶的带边吸收和电学性质等发生明显的变化.分析了掺In-ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响.     

Co/Ni多层膜垂直磁各向异性的研究

采用直流磁控溅射法在玻璃基片上制备了Pt底层的Co/Ni多层膜样品, 对影响样品垂直磁各向异性的各因素进行了调制, 通过样品的反常霍尔效应系统的研究了Co/Ni多层膜的垂直磁各向异性. 结果表明, 多层膜中各层的厚度及周期数对样品的反常霍尔效应和磁性有重要的影响. 通过对多层膜各个参数的调制优化, 最终获得了具有良好的垂直磁各向异性的Co/Ni多层膜最佳样品Pt(2.0)/Co(0.2)/Ni(0.4)/Co(0.2)/Pt(2.0), 经计算, 该样品的各向异性常数K_eff 达到了3.6×10⁵ J/m³, 说明样品具备良好的垂直磁各向异性. 最佳样品磁性层厚度仅为0.8 nm, 样品总厚度在5 nm以内, 可更为深入的研究其与元件的集成性.     

磷扩散氧化锌单晶的性质

分别在550和800℃对CVT方法生长的非掺ZnO单晶进行闭管磷扩散. 通过Hall测试、X射线光电子谱（XPS) 、光致发光（PL）以及喇曼散射对扩散后的样品进行测试分析. 发现扩散掺杂后的ZnO单晶仍显示n型导电性,自由电子浓度比非掺样品增高,在800℃扩散后尤为明显. PL测试结果表明,掺杂样品在420~550nm范围的可见光发射与缺陷有关. XPS测试表明:在550℃掺杂,P原子更易代替Zn位;在800℃扩散时,P未占据Zn位,而似乎占据了O位. 最终在磷扩散后的ZnO单晶中形成了高浓度的浅施主缺陷,造成了自由电子的显著增加.