正面入射In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP光电PIN管量子效率研究

本文建立正面入射型In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP光电PIN二极管量子效率理论分析模型;分析了提高量子效率的途径:减小结深,改善表面状况对提高器件量子效率有显著作用。应用于器件制作,使器件量子效率在无防反射涂层时可达60％左右,有防反射涂层时高达85％。     

Ce/Tb/Sm共掺杂CaO-B2O3-SiO2发光玻璃的白光发射及其发光颜色调控

用高温熔融法制备了Ce/Tb/Sm三元共掺杂的CaO-B2O3-SiO2发光玻璃材料,并使用荧光分光光度计和CIE色度坐标对其光谱学和发光特性进行了研究.结果表明:在374nm激发下,在Ce/Tb/Sm三元共掺杂发光玻璃的发射光谱中同时观测到了蓝光、绿光和红橙光的发射带,这些发射带的混合实现了白光的全色发射显示.此外,Ce/Tb/Sm三元共掺杂发光玻璃的发光颜色随着Tb4O7含量的减小从绿光逐渐过渡到白光,显示出发光颜色的可调节性,极大地扩展了其在白光发光二极管中的应用.     

基于无人机高光谱遥感的荒漠草原覆盖度提取方法研究

植被覆盖度(fractional vegetation coverage, FVC)是草地退化评价的重要指标之一,实时、快速、准确地采集FVC是进行草地退化评价的基础。本文以无人机(unmanned aerial vehicle, UAV)高光谱遥感图像为数据源,提出了3D-ResNet18深度学习覆盖度提取方法,将此方法与回归模型法和ResNet18经典深度学习方法进行比较,并对提取精度进行验证。结果表明,提出的3D-ResNet18方法对荒漠草原FVC展现出较优的提取效果,总体估算精度达97.56%,相比较NDVI、SA-VI、G＿CR＿NDVI、G＿CR＿SAVI和ResNet18分别提高了8.32%、5.92%、2.20%、2.14%和1.87%,为荒漠草原FVC信息高精度和高效率的统计奠定基础。     

解几教学中的减少运算量技巧培养刍议

在解析几何解题过程中,学生常常由于方法选择不当,对大量的运算感到繁杂,他们望而生畏.因此,我们在解几教学中,不仅让学生了解和掌握基础知识,而且应不断地培养学生掌握一些减少运算量的     

CaF2对CaO-CaF2-B2O3-SiO2：Sm2O3玻璃的光致发光增强效应

用高温熔融法制备了掺杂Sm₂O₃的CaO-CaF₂-B₂O₃-SiO₂(CFBS:Sm)发光玻璃材料, 并借助X射线衍射(XRD)谱、傅里叶变换红外(FTIR)光谱以及光致发光(PL)光谱等分析手段研究了玻璃基体中CaF₂的摩尔分数及其结构、红外透过性能以及荧光性能的关系. XRD和FTIR测试表明, 玻璃基体中引入CaF₂并未引起非晶结构的变化但其红外透过峰发生移动. 光谱学测试表明, CFBS:Sm发光玻璃在404 nm波长激发下出现对应于Sm³⁺离子位于566、603和650 nm的特征荧光峰, 其发光颜色为橙红色(x=0.531, y=0.371). 此外, 随着玻璃基体中CaF₂摩尔分数的增加, CFBS:Sm发光玻璃的荧光发射强度、荧光寿命(Sm³⁺的⁴G_5/2能级)和荧光量子效率也表现出增大的趋势. 这种CFBS:Sm发光玻璃中荧光发射强度和荧光寿命的提高主要是由于玻璃基体中的CaF₂替代CaO引起基体相互作用和声子能量降低、无辐射跃迁减弱造成的.     

浅谈创新能力的培养途径和方法

创新教育是以培养人的创新意识和创新能力为基本价值取向的教育实践,可以说它是素质教育的灵魂．很多文章对创新教育的理论内涵、重要性及如何综合开展创新教育等热点问题做了许多有益的探索．本文结合自身教学从培养学生创新能力的途径和方法的角度谈谈个人的体会,以求教于同行．１　通过问题讨论培养创新能力通过讲授与讨论相结合的民主的教学方式,可以使师生之间建立合作、开放、真诚、平等、共融的密切关系,让学生产生“安全”感并学会开放自己,促使学生主动参与、积极探索、主动思考、主动创造,从而激发学生的创新意识,培养学生…     

长波长光纤通讯用的InGaAs/InP PIN光电二极管

<正>由于石英光纤在λ=1.0～1.7μm范围有低损耗和低色散的优点,因此长波长光通讯技术是近年来发展较快的领域.InGaAs/InP PIN光电二极管的研制成功,克服了Ge光电二极管的暗电流大和温度特性差的缺点,为光通讯的长中继传输和多重波长传输技术提供了一个质量良好的关键器件.     

长波长光纤通讯用的In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP PIN光电二极管

本文通过对正面光照型(由p~+-InGaAs层注入光子)和背面光照型(由n~+-InP层注入光子)两种结构的比较,讨论了高性能正面光照型InGaAs PIN光电二极管的设计原则和理论模型.重点分析了器件反向I-V特性、量子效率、脉冲响应时间等问题.所研制的器件性能如下:在工作偏置V_(op)=-5V时,暗电流密度J_D=2.5×10~(-6)A/cm~2;结电容C_j=0.7pF;量子效率η=85%(λ=1.3μm);脉冲响应时间△τ=100ps