排序方式: 共有83条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
目的:探讨胰腺癌组织中Drosha蛋白表达状况及其临床意义。方法:收集胰腺癌样本85例及对应癌旁组织53例,采用HE和免疫组化法检测胰腺癌组织标本中Drosha蛋白的表达并分析其与临床病理因素之间的关系。采用定量PCR方法检测Drosha基因表达。结果:胰腺癌组织中Drosha的表达阳性率为72.9%(62/85),而相应癌旁Drosha表达阳性率为100%(53/53),两者表达差异有统计学意义(P=0.000),Drosha蛋白在胰腺癌中的阳性强度平均积分值由10.3分降至2.3分。Drosha蛋白的表达与肿瘤的分期(c2=19.2,P=0.0003)、分级(c2=10.8,P=0.013)、淋巴结转移(c2=23.6,P=0.00003)等密切相关。与对应癌旁组织相比,Drosha基因在胰腺癌组织中表达下调(P=0.000)。结论:Drosha蛋白在胰腺癌组织中表达下降,Drosha可能在胰腺癌的发生、发展中具有重要作用。 相似文献
4.
5.
结合机械合金化与放电等离子烧结工艺制备了Ni和Se共掺的细晶方钴矿化合物Co1-xNixSb3-ySey,研究了晶界和点缺陷的耦合散射效应对CoSb3热电输运特性的影响.通过Ni掺杂优化载流子浓度提高功率因子.在x=0.1时,功率因子达到最大值1750μWm-1K-2(450℃),是没有掺Ni试样的两倍.晶界和点缺陷的耦合散射机理使晶格热导率急剧下降,其中Co0.9Ni0.1Sb2.85Se0.15的室温晶格热导率降低至1.67Wm-1K-1,接近目前单填充效应所能达到的最低值1.6Wm-1K-1,其热电优值ZT在450℃时达到最大值0.53.将Callaway-Von Baeyer点缺陷散射模型嵌入到Nan-Birringer有效介质理论模型,对晶界散射和点缺陷散射的耦合效应对热导率的影响进行了定量分析,模型计算与实验结果符合.理论模型计算表明,当晶粒尺寸下降到50nm同时掺杂引入点缺陷散射后,Co0.9Ni0.1Sb2.85Se0.15的晶格热导率下降到0.8Wm-1K-1.
关键词:
3')" href="#">CoSb3
Ni和Se掺杂
热电性能
耦合散射效应 相似文献
6.
利用多靶磁控溅射技术制备了Au/SiO2纳米颗粒分散氧化物多层复合薄膜.研究了在保持Au单层颗粒膜沉积时间一定时薄膜厚度一定、变化SiO2的沉积时间及SiO2的沉积时间一定而改变薄膜厚度时,多层薄膜在薄膜厚度方向的微观结构对吸收光谱的影响.研究结果表明:具有纳米层状结构的Au/SiO2多层薄膜在560 nm波长附近有明显的表面等离子共振吸收峰,吸收峰的强度随Au颗粒的浓度增加而增强,在Au颗粒浓度相同的情况下,复合薄膜
关键词:
2纳米复合薄膜')" href="#">Au/SiO2纳米复合薄膜
多靶磁控溅射
吸收光谱
有效介质理论 相似文献
7.
8.
以枳实提物液为原料,探讨了膜过滤和吸附树脂分离杂质,制备纯化L-辛弗林的新方法并获得纯度高达90%的冻干粉。先用不同截留分子量的超滤膜对枳实提取液进行超滤分级分离,脱除分子量差异大的杂质,再用筛选出的大孔吸附树脂吸附分离超滤透过液中的色素,确定其优化工艺条件,然后用反渗透浓缩及冷冻干燥,获得高纯度L-辛弗林冻干粉。超滤分级富集枳实粗提液中的L-辛弗林的优化条件为:以截留分子量为30kDa和5kDa的超滤膜顺序进行分级分离L-辛弗林浓度为4.5mg/mL的枳实提取液,压力为0.20MPa,获得的枳实超滤液中L-辛弗林透过率达89.7%,多糖、蛋白质和色素截留率分别为95.2%、93.8%和75.7%;D3520大孔吸附树脂脱除超滤透过液中色素的优化工艺条件为:上柱液L-辛弗林浓度为3mg/mL,上柱流速为1BV/h,上柱体积为3BV,获得的脱色液中色素仅残留3.82%,L-辛弗林损失率仅为6.54%;该脱色液经反渗透浓缩及冷冻干燥,制备出L-辛弗林冻干粉,其纯度为89.61%,总收率为77.34%。通过系列超滤膜顺序分级分离枳实提取液中分子量差异大的杂质及采用D3520大孔吸附树脂脱除色素的集成创新方法,制备出高纯度的L-辛弗林,丰富了天然产物分离纯化领域的应用理论和实证,并对分离枳实中L-辛弗林提供指导和参考。 相似文献
9.
通过对上班高峰时段的电梯运行情况进行分析,以"最后被运送的乘客的等待时间最短"的"最大最小"原则作为其评价指标,以"电梯运行周期与运行总时间之比等于电梯在一个周期内运送的乘客数与乘客总数之比"的"比例"原则为依据,对高层楼宇中人员流动高峰时段的几种电梯运行方案建立了数学模型进行描述与比较,找到了电梯停靠楼层的最佳方案,并对北京大学第三医院外科楼的运行方案做出定量的数学证明. 相似文献
10.
Influence of ignition condition on the growth of silicon thin films using plasma enhanced chemical vapour deposition 下载免费PDF全文
The influences of the plasma ignition condition in plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) on the interfaces and the microstructures of hydrogenated microcrystalline Si (μc-Si:H) thin films are investigated. The plasma ignition condition is modified by varying the ratio of SiH4 to H2 (RH). For plasma ignited with a constant gas ratio, the time-resolved optical emission spectroscopy presents a low value of the emission intensity ratio of Hα to SiH* (IHα/ISiH*) at the initial stage, which leads to a thick amorphous incubation layer. For the ignition condition with a profiling RH, the higher IHα/ISiH* values are realized. By optimizing the RH modulation, a uniform crystallinity along the growth direction and a denser μ c-Si:H film can be obtained. However, an excessively high IHα/ISiH* may damage the interface properties, which is indicated by capacitance-voltage (C-V) measurements. Well controlling the ignition condition is critically important for the applications of Si thin films. 相似文献