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采用射频磁控溅射技术在SiO2/Si上淀积高c轴取向的ZnO薄膜,在氧气和氩气的混合气氛、不同温度(400~900℃)下进行快速热退火处理。利用X-射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对薄膜结构、形貌与界面状态性能进行了分析。研究结果表明,ZnO薄膜的晶粒尺寸随着退火温度的升高而增大,衍射峰强度增强,峰位随之偏移;SEM分析显示薄膜呈柱状生长,表现出较好的c轴取向性;TEM分析表明ZnO与下电极Pt是呈共格生长,晶格匹配很好。 相似文献
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大孔径高场磁体是开展超导材料性能研究的必要装置。依托聚变堆主机关键系统综合研究设施项目,中科院等离子体物理研究所将进行15 T高场复合超导磁体研制,磁体高场区由Nb3Sn密绕线圈构成。热处理是Nb3Sn线圈研制的关键工艺环节也是磁体研制的难点,要求磁体热处理温度均匀性优于±5℃。针对15 T Nb3Sn密绕线圈热处理需求,研制了一套真空磁体热处理系统。利用该系统完成了线圈热处理实验,通过传热仿真与实验结果分析,线圈整体温度均匀性优于±3℃,最终各项指标均满足热处理技术要求。 相似文献
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PZT/LaNiO3/MgO多层结构制备及性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用激光脉冲法在MgO衬底上沉积制备LaNiO3(LNO)薄膜作为底电极材料,其上利用射频磁控溅射制备了锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜。试验分析了LaNiO3表面结构和形貌,采用快速退火法在不同温度下对样品进行了热处理,发现在500℃即得到(110)取向、晶化完全的PZT薄膜。在5 V测试电压下发现650℃下晶化的样品表现出非常优异的介电和铁电性能,介电常数(rε,)和损耗(tanδ)分别达570和0.05,漏电流在10-9A量级,电滞回线完全饱和且形状对称,剩余极化强度(Pr)和矫顽场(Ec)分别为35.8μC/cm2和76.3 kV/cm。 相似文献
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为探讨多层螺旋CT灌注成像(CT perfusion imaging,CTPI)在评价介入性热化疗对中晚期肝癌疗效方面的应用价值,本文分析了72例采用介入性热化疗的中晚期肝癌患者在治疗前后的CTPI灌注参数和血清肿瘤学标志物水平。通过与治疗前数据比较,发现治疗后癌灶区CTPI灌注参数明显改善,血清肿瘤标志物明显降低。CTPI灌注参数、血清肿瘤学标志物在碘油完全沉积和部分沉积组、客观缓解和未缓解组均表现出显著的统计学差异。Pearson相关分析结果显示CTPI灌注参数与肝癌血清肿瘤标志物之间存在显著相关性。由此可见,CTPI灌注参数可有效反映介入性热化疗前后晚期肝癌患者的动脉血供变化,为临床疗效评估提供有价值的参考。 相似文献