玻色-爱因斯坦凝聚态的结构理论研究系列之一:玻色-爱因斯坦凝聚态的复合表示理论

针对近零温度下玻色-爱因斯坦凝聚态的特点,建立了复合原子表示模型.提出了复合原子的概念,研究发现复合原子具有一定的零点半径与结合能,得出了相应的表达式.认为该物态作为一个宏观量子态的说法具有相对性,应该据研究角度而定.同时,给出了二个分离的玻色-爱因斯坦凝聚态之间产生1/R型作用势的几种情况,为同类实验提供了理论依据.     

GaAs/GaAlAs行波激光放大器的研制及特性研究

近年来,半导体激光放大器(SLA)发展很快,SLA的光—光直接信号放大特性在波分复用(WDM)、频分复用(FDM)等长距离大容量传输系统中非常有吸引力。 按SLA的工作方式和结构特点可把其分成三种类型:法布里型(FP—SLA),注入     

利用0.85μm半导体激光器直接调制产生超短光脉冲

在模数转换、信号分路传输和光电取样系统中,要求采用的半导体激光器产生高重复率的超短光脉冲。我们用射频电流直接调制0.85μm的GaAs/GaAlAs半导体激光器,获得了重复频率为2GHz、脉冲宽度小于80ps的超短光脉冲。     

InP在两种化学腐蚀系统中的腐蚀特性

本文研究了各种浓度的Br2:CH3OH和Br2:HBr:H2O两种腐蚀系统分别对用负性KPP和正性AZ1350J光致光刻胶直接掩蔽[001]InP的腐蚀特性。分别给出了腐蚀速率与溴浓度,腐蚀深度与时间的关系曲线。同时从结晶学角度定性解释了腐蚀速率与溴浓度,腐蚀方向与腐蚀图形的依赖关系。     

GaAs超薄层腐蚀与非线性光学器件制作

用液相外延生长与H_2O_2选择腐蚀制备了GaAs—GaAlAs非线性光学器件。研究了H_2SO_4:H_2O_2:H_2O腐蚀液的快速腐蚀和H_2O_2—NH_3·H_2O的GaAs选择腐蚀过程。适宜pH值的H_2O_2腐蚀液对GaAs具有～1μm/小时的腐蚀速度,而对Ga_1-xAlxAs(x≥0.25)不产生腐蚀。分析和讨论了腐蚀过程和速择腐蚀机理。     

玻色-爱因斯坦凝聚态的临界温度移动

从平均场理论出发,针对有限温度下的玻色-爱因斯坦凝聚态的特点,从正则系综的自由能函数变化的角度,推演并得出了临界温度移动的表达式。为同类实验提供了理论依据.     

GaAlAs-GaAs半导体激光器增益参数的研究

通过对半导体激光器发射光谱的计算可获得激光器的增益谱.本文研究了不同电流注入下激光器的增益特性;激光器的峰值增益系数Gmax在阈值电流以下随注入电流的增大而提高,也随结温的升高而下降.     

一种测量GaAs-GaAlAs行波激光放大器增益特性的实验方法

本文报导了一种测量光耦合效率η的新实验方法。这个方法是建立于p-n结短路光电流原理上的。本文推导出适合于行波激光放大器的光耦合效率的公式。短路光电流用一检流计测量,利用公式获得光耦合效率的实验值。利用实验所测光耦合效率,测量了行波激光放大器的增益随注入电流变化的规律,其结果和实验符合。另外本文还介绍了在脉冲注入电流条件下测行波半导体激光放大器增益的实验方法。     

半导体激光扫描器

在许多光电系统中需要激光光点的扫描,如激光印刷、激光读出器等。以往光点扫描器的结构有转镜的,或全息图扫描的。这些扫描器都有机械转动部分,因此不可避免的因振动引起噪音,并且机械转动速度不可能快,不可能得到纳秒、皮秒的扫描速度。     

半导体激光器、放大器与单模光纤的金属耦合

单模光纤系统的大容量、长距离光通信有效地提高了光纤通信线路的传输能力,实现这样的线路需要解决一系列问题,特别是单模光纤与光源、放大器的输入、输出耦合及固定问题。本文采用锥半球端面的方法耦