展讯已经开始做5G研发

肩负成为全球最大半导体设计公司的使命
　　2001年，一群归国留学生在上海浦东张江高科技园区创办了展讯通讯有限公司。当时，没有人会想到，这家敢于向世界级大公司挑战的半导体设计公司会一次次让欧美同行惊叹。成立伊始就扎根本土，专注研发，抓紧机遇，2007年6月27日，展讯以“中国第一支3G概念股”的身份登陆纳斯达克。     

基于改进的语音参数提取的线性预测

根据语音发生基本原理和线性预测编码原理，针对自相关法需要加窗从而降低了解的精度，而协方差法不能保证保证解所重构出系统的稳定性的特点，提出了一种改进的Cholesky分解的方法求解协方差方程组以产生声道模型参数的方法，实践证明，这种方法既保证了系统的稳定性，又提高了解的精度。     

基于CH341A的USB串口通讯设计

为解决当前计算机串行通讯接口只有USB,难以满足旧型号设备或某些单片机要求RS232通讯的问题,设计出两款RS232/USB电路.采用CH341A与MAX223集成电路芯片构建标准9线RS232/USB通用接口转换嚣,无需缟程.采用CH341A与PIC16F877A构建单片机与计算机之间的USB通讯电路,软件遵循RS2...     

GMSK数字化调制的FPGA设计与实现

针对GMSK调制的特点,提出了一种数字化的调制方法。使用matlab仿真工具对GMSK调制进行截断和量化,生成GMSK调制查找表,存入FPGA内部的存储器,通过查表实现GMSK调制的数字化,克服了传统GMSK模拟调制方法的相位不够准确,无法进行相干解调的缺点,提高系统设计的灵活性。最后分析了调制信号的频谱特性和接收端信号的基带波形,验证了GMSK数字化调制的正确性和可行性。     

供电系统的改造与应用

早年的广播技术大楼供电系统，成为我台事业快速发展的瓶颈，阻碍高新技术硬件的应用。本文通过江苏省广播技术大楼发展需求供电量，科学规划设计供电，实施更新老配置，改造老设备，改进线路控制系统，科学分配电力供应，科学管理动力，收到很好的效果。     

SiGeBiCMOS线性器件脉冲激光单粒子瞬态效应研究

验证SiGe BiCMOS工艺线性器件的单粒子瞬态（Single Event Transient,SET）效应敏感性,选取典型运算放大器THS4304和稳压器TPS760进行了脉冲激光试验研究。试验中,通过能量逐渐逼近方法确定了其诱发SET效应的激光阈值能量,并通过逐点扫描的办法分析了器件内部单粒子效应敏感区域,并在此基础上分析了脉冲激光能量与SET脉冲的相互关系,获得了单粒子效应截面,为SiGe BiCMOS工艺器件在卫星电子系统的筛选应用以及抗辐射加固设计提供数据参考。     

基于层次分析的主成分分析法及其应用

在分析了传统的层次分析法和主成分分析法的优缺点的基础上,扬长避短的将两种方法结合在一起,讨论了基于层次分析的主成分分析法.与新兴的决策评估方法相比,例如直觉模糊层次分析法,基于层次分析的主成分分析法更具有简洁性和直观性.最后,将方法应用于登陆作战的目标选择,得到了与实战结果相同的结论,验证了方法的可行性.     

江苏广播技术大楼供电系统的改造

早年的广播技术大楼供电系统,成为我台事业快速发展的瓶颈,阻碍高新技术硬件的应用。本文通过江苏省广播技术大楼发展需求供电量,科学规划设计供电,实施更新老配置,改造老设备,改进线路控制系统,科学分配电力供应,科学管理动力,收到很好的效果。     

激光模拟单粒子效应中单光子与双光子吸收诱导电荷量对比

通过理论推导和模拟试验,研究了单光子和双光子吸收分别占主导时,脉冲激光模拟试验中电荷收集效率之间的定量关系。分析不同光学参数对模拟试验中电离电荷浓度影响,确定具体激光波长、脉宽、能量及束斑等参数。根据脉冲激光在硅中单光子线性吸收和双光子非线性吸收的特点,推导单光子与双光子吸收产生电荷量比值的定量公式。通过1064 nm和1200 nm波长激光的验证试验,发现了响应脉冲及产生电荷量与脉冲激光能量或能量平方具有良好的线性关系,且在单光子吸收和双光子吸收各自占主导时,单光子吸收产生电荷率明显高于双光子吸收,证明了两种波长激光产生电荷量的比值近似等于公式计算结果。结果表明,1200 nm脉冲激光 1 nJ2 诱导电荷量等同于1064 nm脉冲激光 0.039 nJ诱导电荷量。     

高速PWM单粒子瞬态效应脉冲激光模拟试验研究

利用脉冲激光验证高速脉宽调制控制器（Pulse Width Modulator,PWM）单粒子瞬态效应的敏感性和防护设计。试验中,通过改变脉冲激光能量,逐步扫描PWM控制器电路,确定了诱发单粒子瞬态效应的激光能量阈值和敏感区域。通过改变PWM控制器软启动配置电路设计,验证了防护电路设计的合理性,为卫星电源子系统的单粒子瞬态效应防护设计提供技术参考。