InSb混合红外焦平面工艺研究

InSb 光伏线列器件是以 n 型 InSb 为衬底,扩散 Cd 形成 p-n 结,经光刻、蒸电极、焊接等工艺制成。SiCCD 为表面 p 沟器件,可按延时积分(TDI)和多路传输(MUX)两种方式工作。在研制1×12、2×12、1×64、2×64元 InSb 光伏线列器件并与 SiCCD 进行互连的基础上,从开发64×64元 InSb 混合红外焦平面着眼,我们进行了64×16元 InSb 光伏面阵的研制,并在 InSb 面阵和 Si 上电镀 In 柱,用我们研制的 HDD-1型红外对准倒焊机进行了对焊,开展了背面辐照 InSb 混合红外焦平面的工艺研究。本文介绍了工艺实验状况,并对工艺实验中有关问题进行了讨论。     

锑化铟远红外探测器

引言众所周知,任何物质,只要温度不是绝对零度,都能发射红外辐射。红外辐射是指波长在0.76～1000微米的热辐射,远红外一般是指波长为40～1000微米的辐射。早在1900年,就已开始了远红外的探索,但在相当长的时期内发展比较缓慢。本世纪六十年代以后,由于低温技术的发展,各种远红外探测器及各种远红外辐射源的发     

132元InSb光伏线列的研究

报道了我们研制出的132元InSb光伏线列的制备工艺及其性能。线列是采用流行的Cd扩散工艺和光刻剥离技术制成的,每个线列装于封离的检测杜瓦瓶中,77K,线列典型检测元的探测率D~*(500,1000,1)为(0.8～1.5)×10~(10)cm·Hz~(1/2)/W。