900℃空气退火对L-MBE生长的ZnO薄膜发光特性的影响

采用激光分子束外延法在蓝宝石衬底(0001)上生长了高度c轴择优取向的高质量ZnO薄膜,在空气中对生长的薄膜进行900℃退火处理,并对退火前后样品的结晶质量、发光特性采用X射线衍射(XRD)、变温光致发光(PL)研究.退火处理后的ZnO薄膜(0002)面XRDθ-2θ扫描曲线强度明显增强.在光致发光实验中,观测到薄膜分别在3.352,3.309和3.237eV附近有3个明显的近紫外发光峰,分别对应自由激子发射、中性施主或受主束缚激子I9及其声子伴线1Lo.随着温度升高,峰位逐渐向长波方向移动(即所谓"红移"),半高宽(FWHM)逐渐展宽;在发光谱中,来自于晶体缺陷的深能级(DL)区发光强度极小.     

LMBE法生长Mg0.2Zn0.8O及MSM型紫外探测器的制备

采用激光分子束外延(LMBE)方法在蓝宝石(0001)面生长了高质量的Mg0.2Zn0.8O薄膜,并对薄膜在空气中900℃进行了1h的退火处理,然后采用剥离方法在薄膜表面制作了Al叉指电极,制备出MSM型Mg0.2Zn0.8O光电导紫外探测器.对响应时间的测试表明,探测器的上升时间仅为14.3ns,下降时间为6.5μs.     

SiO2/Si衬底上制备增强型ZnO薄膜晶体管

在NH3和O2的混合气氛下,采用激光分子束外延法(L-MBE)在SiO2/p-Si衬底上制备了氮掺杂ZnO薄膜.XRD分析表明ZnO薄膜掺入微量的氮后仍有很高的结晶质量和高度的c轴择优取向性,(0002)面摇摆曲线的半峰宽仅为1.89.在此基础上制备了以氮掺杂ZnO薄膜为沟道层、以SiO2为绝缘层的底栅式薄膜晶体管.电学测试表明该晶体管工作在n沟道增强模式,阈值电压为5.15V,电流开关比为104,电子的场迁移率达到2.66cm2/(V·s).     

多功能电子元器件检测电路板

在维修家用电子产品时，特别是彩色电视机的维修中，经常要测量稳压二极管的稳压值，测量可控硅、光电耦合器、陶瓷振子、石英晶振、红外线遥控接收器、红外线遥控发射器、行输出变压器等电子元器件的好坏。这些电子元器件的参数或好坏都不能直接用万用表检测．应用本文介绍的多功能电子元器件检测电路板，可简单准确地测量它们的参数或好坏，给维修工作带来很大的方便。     

厦华XT-5102型彩电检修实例

<正> [例1] 故障现象 伴音正常,光栅幅度随屏幕亮度而变化,机内有“吱吱”声。 分析与检修 该机采用行频同步的串联式开关电源(如图1所示)。光栅幅度随亮度而变化,表明主电压不稳,内阻大;开关电源发出“吱吱”叫声,表明开关振荡频率低。根据这两个方面的分析,可大致判断开关电源振荡频率已失     

沟道层厚度对室温制备的In2O3薄膜晶体管器件性能的影响

在室温下采用直流磁控溅射以SiO₂/Si为衬底制备了不同沟道层厚度的底栅式In₂O₃薄膜晶体管,讨论了沟道层厚度对底栅In₂O₃薄膜晶体管的电学性能的影响。实验结果表明:器件的特性与沟道层厚度有关,最优沟道层厚度的In₂O₃薄膜晶体管为增强型,其阈值电压为2.5 V,开关电流比约为10⁶,场效应迁移率为6.2 cm²·V^-1·s^-1。     

三洋A3机芯彩电疑难故障检修两例

例1.故障现象:图像正常、伴音时有时无、有时噪声大。分析检修:TV状态无伴音,转换到AV状态,输入音频及视频信号,伴音始终正常。说明故障在LA7680的伴音有关电路或伴音中频变换电路。查LA7680的伴音电路部分的引脚电压均正常,判断故障在伴音中频变换电路。伴音不正常,特别是伴音噪声大,是该机芯的常见故障,通常都是X1232(500kHz)陶瓷谐振器性能不良引起的,更换X1232故障排除,电视机工作正常。     

基于NVDK的AVS-M视频解码器的实现与优化

研究了AVS-M视频编码技术特点和NVDK C6416的体系结构,设计了一种基于NVDK C6416硬件平台的AVS-M视频解码器.阐述了AVS-M视频解码器的硬件实现和软件优化方法,经优化后的解码器能实现AVS-M视频的实时解码,具有可靠性高、体积小、功耗低和易于升级等特点.     

基于STi7105的AVS IPTV机顶盒的设计与实现

设计了一种基于意法半导体公司最新一代高清机顶盒解码芯片STi7105实现的AVS IPlV机顶盒,介绍了STi7105芯片和Linux操作系统的结构与功能,阐述了系统的软硬件设计与实现方法.经优化设计的AVS IPTV机顶盒具有功能强、可靠性高、速度快、成本低、功耗小和易于升级等特点.