高密度聚乙烯与乙烯丙烯辛烯－1共聚物共混体系的相容性

用ＤＳＣ和ＷＡＸＤ方法研究了高密度聚乙烯／聚（乙烯丙烯辛烯－１）（ＨＤＰＥ／ＥＰＯ）共混体系的结晶性能。共混物的ＤＳＣ曲线皆呈单峰，表明共混体系形成了共晶。晶胞参数ａ及结晶度随共混物组成而变，进一步证明ＨＤＰＥ／ＥＰＯ共混体系的相容性．     

掺杂机制的电子能量损失谱（EELS）研究

近年来宽禁带半导体的研究发展十分迅速。P型掺杂及稀磁掺杂问题都是目前研究的热点。例如：氧化锌（ZnO）的P型掺杂，氧化锌、氮化镓的过渡金属元素掺杂等等。虽然实验上取得了一定的进展，但其掺杂机制并不十分清楚。尽管理论上已经有很多相应的掺杂模型，但如何从实验上确定实际样品中杂质原子所处的原子位置并不容易，因而理论模型也就难以得到验证。在本工作中，我们给出一种电子能量损失谱理论计算和实验相结合来确定杂质原子所处的原子位置的方法。这种方法并不仅仅局限于对掺杂机理的研究，还可以推广到其它缺陷的研究，如：空位、界面、位错等。     

巧用弦长证明两角和余弦公式

Cα β公式是三角变换的基本公式,教材的证法(见新教材高中<数学>第一册(下)P34)利用了较多的辅助线,较繁琐,不易于被学生所理解和记忆.在教学实践中我们发现,如果从弦长公式入手,则可以很简洁地证明Cα β公式,学生更喜欢这种处理方法.     

超精细纳米结构加工技术

利用高能会聚电子束的辐照损伤能力,在300 kV高分辨透射电镜中成功加工出小于5 nm的超精细纳米结构.加工精度在特征尺寸和空间位置上可同时达到一个纳米.加工的纳米结构具有原子尺度的边界,并可以通过高分辨像直接监视纳米结构的形成过程.这种技术可以广泛应用于各种无机材料,尤其适用于无机化合物.结合自动控制,这种技术可以用于加工任意复杂的二维纳米结构.     

多嵌段共聚物PET/PEO中的自由体积特性

利用正电子寿命谱的ＰＡＴＦＩＴ和ＭＥＬＴ分析程序,研究了多嵌段共聚物对苯二甲酸乙二酯／环氧乙烷（ＰＥＴ／ＰＥＯ）的自由体积特性．从正电子寿命的最长分量随温度的变化发现,多嵌段共聚物有两个玻璃化转变温度,这表明多嵌段共聚物中ＰＥＯ和ＰＥＴ相的互容性较差．根据浅束缚态理论解释了玻璃化转变温度以下最长寿命分量强度的变化规律,并且利用ＭＥＬＴ分析程序得到了自由体积浓度随温度的分布．     

一道几何题的代数证法

<正>韩舒婷同学在《从平面到立体:意想不到的解答》(2007年2月（上）P₃₉)一文中,用几何方法讲述了一道平面几何题的证明,方法十分巧妙.我试着用代数方法     

Defect-Related Photoresponse and Polarization-Sensitive Photodetection of Single ZnO Nanowires

Defect-related photoconductivity of single ZnO nanowires is investigated. The photoconductivity shows powerlaw dependence with incident green laser intensity due to the defect mechanisms including both recombination centres and traps. The device based on single ZnO nanowire shows a sensitive photoresponse to green light with significant on/off ratios. In addition, the photocurrent ＆ highly sensitive to the polarization of the incident illumination. Therefore, the nanowire may act as a polarized photodetector.     

高密度聚乙烯与乙烯丙烯辛烯—1共聚物共混体系的相容性

用ＤＳＣ和ＷＡＸＤ方法研究了高密度聚乙烯／聚（乙烯丙烯辛烯－１）（ＨＤＰＥ／ＥＰＯ）共混体系的结晶性能。共混物的ＤＳＣ曲线皆呈单峰，表明共混体系形成了共晶。晶胞参数ａ及结晶度随共混物组成而变，进一步证明ＨＤＰＥ／ＥＰＯ共混体系的相容性。     

用高分辨电子能量损失谱方法（HR—EELS）研究铁电薄膜

本文主要利用扫描透射电镜下的高分辨电子能量损失谱方法研究BaTiO3（10nm）／SrTiO3（50nm）铁电多层薄膜和高介电Y2O3／Si（001）结构心的界面化学反应及缺陷形成。在BaTiO3／SrTiO3多膜中，选区电子衍射图像表明BaTiO3薄层的极化方向垂直于基底表面。与体材料相比，BaTiO3薄层的晶格常数在ab方向变短而沿c轴伸长，这表明了错配张力的存在。BaTiO3层的上下两界面由于错配张力的松弛而具有不同的微结构。电子能量损失谱表明，TiL23吸收边的晶体场分裂对错配张力的松弛非常敏感，