电化学燃气敏感元件及其敏感特性的研究

在三氧化钨粉体材料中加入4%瓷粉和不同质量分数的金属氧化物,以恒温600℃烧结1h制成旁热式厚膜气敏元件。采用静态电压测量法,研究了元件的加热功率与元件灵敏度的关系以及响应与恢复特性。研究结果表明,WO3基元件掺入一定质量分数的杂质在加热功率为600mW时能开发成不同的气体敏感元件。     

8051最小系统在高层建筑供水塔自动控制系统中的运用

给出一种使用单片机控制水塔水位系统，阐述MCS-51的控制水位原理、过程、硬件设置、软件设计。     

一种改进的RANSAC图像拼接算法

针对RANSAC算法迭代次数过多导致的图像拼接效率不高的问题,提出一种改进的RANSAC图像拼接算法;首先采用SIFT算法提取尺度不变特征点,利用双向互匹配策略对特征点进行匹配,在使用RANSAC算法计算单应性矩阵之前,利用相邻特征点之间的关系对初始特征点对进行筛选,最后使用加权平滑法完成图像的融合;实验结果表明该方法有效地减少了特征点对数,提高了RANSAC的运行时间,图像拼接效率有了很大的提高。     

磁存储器驱动电路界面平坦化研究

利用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)对磁存储器(MRAM)驱动电路与存储单元--磁性隧道结(MTJ)的连接界面的表面平坦化进行了研究.原子力显微镜照片表明:磁控溅射沉积的金属铝膜的表面由尺寸约为300nm的颗粒组成,其表面粗糙度约为几十纳米的量级,用统计平均值(均方根值root mean square,RMS)描述约为10nm;在铝膜的表面沉积一层难溶金属Ti或Ta膜以后,可很好地改善过渡层金属表面的平坦化效果.通过用化学机械平坦化设备(chemical mechanical planarization,CMP)在小压力和低转速的条件下,可使过渡层金属表面的RMS值达到小于1nm的平坦化效果.扫描电镜照片的结果也显示:利用光刻胶平坦化,然后通过调节反应离子刻蚀的条件,使刻蚀的过程中对氧化硅和光刻胶的刻蚀速率相等,去掉光刻胶,达到平坦化整个芯片表面的效果.     

WO3基的掺杂及其气敏感特性的研究

在三氧化钨粉体材料中加入4wt%瓷粉和不同质量比的金属及金属氧化物,以恒温600℃烧结1小时制成傍热式厚膜可燃性气体敏感元件.本文采用静态电压测量法,研究了元件的加热电压与电导率、元件灵敏度、响应与恢复特性,讨论了元件的气敏性能和加热功率的关系.实验结果显示W03基元件掺入一定的杂质在加热功率为600mW时能开发成适合不同燃气的敏感元件.     

磁存储器驱动电路界面平坦化研究

利用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)对磁存储器(MRAM)驱动电路与存储单元--磁性隧道结(MTJ)的连接界面的表面平坦化进行了研究.原子力显微镜照片表明:磁控溅射沉积的金属铝膜的表面由尺寸约为300nm的颗粒组成,其表面粗糙度约为几十纳米的量级,用统计平均值(均方根值root mean square,RMS)描述约为10nm;在铝膜的表面沉积一层难溶金属Ti或Ta膜以后,可很好地改善过渡层金属表面的平坦化效果.通过用化学机械平坦化设备(chemical mechanical planarization,CMP)在小压力和低转速的条件下,可使过渡层金属表面的RMS值达到小于1nm的平坦化效果.扫描电镜照片的结果也显示:利用光刻胶平坦化,然后通过调节反应离子刻蚀的条件,使刻蚀的过程中对氧化硅和光刻胶的刻蚀速率相等,去掉光刻胶,达到平坦化整个芯片表面的效果.     

铁基块体非晶合金在纳米压痕过程中的蠕变行为研究

利用纳米压痕技术研究了{［（Fe_0.6Co_0.4）_0.75B_0.2Si_0.05］_0.96Nb_0.04}₉₆Cr₄铁基块体非晶合金的室温蠕变行为及不同的加载速率对该块体非晶合金蠕变变形的影响.{［（Fe_0.6Co_0.4）_0.75B_{0.2< 关键词： 块体非晶合金 蠕变 EVEV模型 蠕变速率敏感指数}     

磁存储器驱动电路界面平坦化研究

利用原子力显微镜（AFM）和扫描电镜（SEM）对磁存储器(MRAM)驱动电路与存储单元--磁性隧道结(MTJ)的连接界面的表面平坦化进行了研究. 原子力显微镜照片表明：磁控溅射沉积的金属铝膜的表面由尺寸约为300nm的颗粒组成，其表面粗糙度约为几十纳米的量级，用统计平均值（均方根值root mean square,RMS）描述约为10nm；在铝膜的表面沉积一层难溶金属Ti或Ta膜以后，可很好地改善过渡层金属表面的平坦化效果. 通过用化学机械平坦化设备(chemical mechanical planarization,CMP) 在小压力和低转速的条件下，可使过渡层金属表面的RMS值达到小于1nm的平坦化效果. 扫描电镜照片的结果也显示：利用光刻胶平坦化，然后通过调节反应离子刻蚀的条件，使刻蚀的过程中对氧化硅和光刻胶的刻蚀速率相等，去掉光刻胶，达到平坦化整个芯片表面的效果.     

块体非晶合金的黏度与玻璃形成能力的关系

基于经典结晶理论讨论了非晶合金的晶化动力学因素和晶化热力学因素对玻璃形成能力（GFA）的影响.分析表明,合金的等温转变（TTT）曲线“鼻尖”温度T_n对应的黏度与晶化阻力因子成正比;重新加热时晶化开始温度T_x对应的黏度与晶化驱动力因子成反比.由此得到了新的GFA参数ω₀=（T_g-T₀）/（T_x-T₀）-（T_g-T₀）/（T_n-T₀）,其中T_g为玻璃转变温度,T₀为理想玻璃转变温度.统计结果显示,ω₀与临界冷却速率具有较高的相关性,R²高达09626.进一步分析表明：新提出的ω₀参数可以合理地解释过冷熔体的黏度、脆性、液相稳定性、热稳定性以及T_rg、ΔT_x、γ、γ_m、ΔT_rg、α、β、δ和φ等参数与GFA的关系. 关键词： 块体非晶合金 黏度 脆性 玻璃形成能力